三元混晶GaAs1-xSbx電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf

1、GaAs因具有電子遷移率高、抗輻射能力強(qiáng)、耐熱等優(yōu)點(diǎn)在制作高頻高速光電器件、微波器件及光電集成等領(lǐng)域有著廣泛的用途。為挖掘和拓寬GaAs材料的應(yīng)用，研究者們對(duì)其進(jìn)行合適的替位摻雜來(lái)計(jì)算電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。但就目前而言，針對(duì)Sb組分從0到1變化時(shí)對(duì)三元混晶GaAs1-xSbx材料的物性理論研究還不見(jiàn)多。綜上所述，我們計(jì)劃采用基于密度泛函理論的第一性原理研究三元混晶GaAs1-xSbx的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。
　　本文主要內(nèi)容如下:第一

2、，對(duì)GaAs晶體的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、應(yīng)用及研究現(xiàn)狀進(jìn)行介紹。第二，對(duì)基于密度泛函理論的第一性原理方法進(jìn)行介紹。第三，在結(jié)構(gòu)優(yōu)化的基礎(chǔ)上對(duì)本征閃鋅礦GaAs的電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行計(jì)算。第四，對(duì)GaAs1-xSbx體系的能帶結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)隨不同Sb組分的改變進(jìn)行研究并得出如下結(jié)論:體系的晶格常數(shù)隨Sb組分的增加呈線性增大趨勢(shì)。能帶隨Sb組分的增加出現(xiàn)二次變化趨勢(shì)。對(duì)于光學(xué)性質(zhì):隨Sb組分的增大三元混晶GaAs1-xSbx的靜態(tài)介電常數(shù)逐漸增大，