氧化石墨烯在水合肼體系中對單晶硅織構化的影響.pdf

1、單晶硅太陽能電池的表面反射率是影響其光電轉換效率的重要因素之一。硅片表面織構化在降低表面反射率方面起著重要作用。
　　本文鑒于碳納米材料具有較高的比表面積、高的反應活性、良好的生物兼容性以及物料豐富價格低廉等獨特的優(yōu)點，將石墨烯基的納米碳材料應用到單晶硅的織構化中，期望能縮短制絨周期、改善絨面的金字塔形貌。主要研究內容如下：
　　(1)氧化石墨烯(GO)和還原氧化石墨烯(RGO)的制備與表征。采用改進的Hummers法制備氧

2、化石墨烯，然后采用水合肼對其進行還原，還原不同時間得到不同還原態(tài)的氧化石墨烯，并對兩者做FTIR、SE M、DF M表征。結果表明，所制備的氧化石墨烯中含有羥基、羰基、羧基等含氧官能團；經(jīng)過水合肼還原后官能團的數(shù)量減少，有的甚至消失；從形貌上看，氧化石墨烯呈透明薄片狀層層堆疊在一起，是片層結構，片層間距在0.97 nm左右；而經(jīng)過還原后的氧化石墨烯，片狀結構相對來說堆積的更密集些，片層間距在0.74 nm左右。
　　(2)不同濃度