埋嵌型Ge-GeO2納米顆粒的形貌演變及其光學性能的研究.pdf

1、埋嵌型Ge納米顆粒在氧化生長中形成核殼Ge/GeO2結構納米顆粒，這過程中必然伴隨著應變的產(chǎn)生。應變能調控納米顆粒的微觀結構、形貌，和Ge-GeO2界面的缺陷，從而改變納米顆粒的光學性能本文系統(tǒng)的探索了氧化埋嵌型半導體納米顆粒形成埋嵌型核殼結構納米顆粒的機理。具體的研究工作如下：
　　1、以埋嵌型Ge/GeO2核殼結構納米顆粒為對象，研究了核殼結構納米顆粒形貌與界面應變之間的相互依賴關系。研究工作發(fā)現(xiàn)，Ge/GeO2核殼結構納米顆

2、粒的核心與殼層界面處的應變場分布強烈地依賴于納米顆粒的形貌。通過調節(jié)GeO2殼層的厚度可以很容易的實現(xiàn)Ge核心從受到拉伸應變到受到壓縮應變的轉換。進一步的研究工作還發(fā)現(xiàn)作用在GeO2氧化物殼層的應變梯度可以誘導裂縫狀GeO2氧化物殼層的形成。人們可以通過調整核殼結構納米顆粒的形貌來設計納米顆粒的應變，也可以利用應變來調控核殼結構納米顆粒的形貌演變，從而進一步設計核殼結構納米顆粒的物理和化學性能。
　　2、利用表面氧化法制備了具有裂