化學機械拋光多區(qū)壓力拋光頭檢測平臺研制.pdf

1、化學機械拋光（Chemical-Mechanical Planarization，簡稱CMP）是目前條件下一種較為理想的獲得高質量表面的處理方法，該方法通過化學和機械的雙重作用去除材料，可以同時實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化和局部平坦化。
　　目前國際上流行的干進、干出式CMP設備一般包括拋光部件、在位檢測部件、清洗部件、干燥部件、機械手搬運部件等等，其中拋光部件是CMP設備的核心。拋光頭檢測平臺作為拋光部件的必備配套裝置，直接影響到晶圓

2、表面的拋光效果，對保證拋光質量的一致性、減少CMP設備的維護時間、提高CMP設備的利用率具有重要作用。
　　論文在深入分析國外相關設備以及CMP拋光工藝過程基礎上，針對拋光頭裝卸晶片的檢測要求，設計了一套機械裝置，可全面測量裝卸片的高度、偏度等參數(shù)，為確保CMP工作質量奠定了良好基礎。
　　選擇相對潔凈的動力能源——氣壓力傳動為動力源，采用氣動元件搭建了氣動驅動系統(tǒng)，可以快速、可靠地完成檢測任務，也便于拋光頭的更換與維護。<