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文檔簡介
1、IC工藝向22nm及更小尺寸發(fā)展,造成功耗和電流密度增大、電壓降低,使得電源噪聲預算進一步降低。另外,IC中集成的晶體管數(shù)量增加、數(shù)據傳輸速率提高,造成同時開關電流的幅值增大、出現(xiàn)頻率提高,使得電源噪聲越來越大。降低的噪聲預算和增大的電源噪聲,使電源分配網絡的設計要求更為苛刻。為了給高速數(shù)字系統(tǒng)提供低噪聲電源,必須設計性能優(yōu)越的去耦網絡。電容器及其焊盤設計結構是構成去耦網絡的主體,現(xiàn)有的建模方法不足以提供精確模型,必須研究電容器及焊盤設
2、計結構,提出精確的建模方法,以提高仿真精確度。
本文提出了一種貼片電容器的精確建模方法,利用測量得到的散射參數(shù)和矢量擬合法建立電容器阻抗的高階模型。另外,對現(xiàn)在流行的一種焊盤設計結構(過孔打在焊盤上),本文使用電磁場仿真軟件Q3D對該結構進行仿真,提取低頻安裝電感并分析電感和各結構參數(shù)的關系,得到低頻安裝電感的精確模型。
實驗證明,電容器模型得到的阻抗與廠商提供的阻抗的相對誤差小于5%。低頻安裝電感模型得到的電感與電
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