CVD Ir-Re復(fù)合材料研究.pdf

1、該文結(jié)合國(guó)家"九五"重點(diǎn)科技攻關(guān)課題開展Ir/Re復(fù)合材料的制備基礎(chǔ)與理論問(wèn)題的研究工作,為成功制備Ir/Re復(fù)合噴管,順利完成攻關(guān)任務(wù)提供了必要的技術(shù)理論支持.首次在國(guó)內(nèi)采用化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition簡(jiǎn)寫為CVD)技術(shù)制備出Ir/Re復(fù)合材料和復(fù)合噴管.Ir涂層與Re基體之間實(shí)現(xiàn)了冶金擴(kuò)散連接,結(jié)合牢固可靠.采用MOCVD(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition)技術(shù)

2、,以乙酰丙酮銥為沉積源,在金屬M(fèi)o基體上制備Ir薄膜(涂層).應(yīng)用CVD法制備了難熔金屬Re.研究了主要的CVD工藝參數(shù)對(duì)Re的沉積動(dòng)力學(xué)的影響.Re的沉積速率隨基體溫度的升高呈指數(shù)上升,即沉積速率與溫度的關(guān)系符合Arrhenius公式;氯氣流量的增加使Re的沉積速率呈直線上升,為典型的質(zhì)量控制生長(zhǎng)過(guò)程.研究了沉積條件對(duì)Re的顯微結(jié)構(gòu)的影響.首次用TGA研究了CVDRe的氧化規(guī)律.對(duì)于較長(zhǎng)時(shí)間的氧化而言,CVDRe在1000℃以上的氧化