基于強限制光波導的微環(huán)諧振器及其熱光特性研究.pdf

1、器件小型化的研究一直是集成光電子器件的發(fā)展方向之一。利用強限制光波導結構是實現(xiàn)器件小型化設計的一種非常有效的途徑。微環(huán)諧振器(MRR)是集成光電子回路的重要組成單元，它可以實現(xiàn)光無源/有源器件的眾多功能，因此MRR的相關研究至關重要。本論文圍繞SOI(Silicon—on—insulator)和SU—8兩種材料，研究了兩種強限制光波導結構：SOI納米線光波導和SU—8脊型光波導，在此基礎上，對基于強限制光波導的小型化MRR及其熱光特性進

2、行了深入的理論和實驗研究。
　　 集成光電子器件的理論基礎是光波導電磁場理論及其數(shù)值計算方法。在此，給出了包括有限差分方法(FDM)、光束傳輸方法(BPM)及時域有限差分方法(FDTD)等的分析求解過程，并將其應用到光波導器件的分析研究中。本文利用分步FDTD方法對透鏡光纖(TLF)與SOI納米線光波導的端面耦合系統(tǒng)進行了分析：考慮到光纖的旋轉對稱性結構，我們采用旋轉體FDTD方法對磨錐TLF和拉錐TLF的聚焦特性進行了分析，把

3、三維問題轉化為二維問題，節(jié)省了計算資源，提高了計算效率。計算結果表明拉錐TLF具有較強的聚焦特性，但是相對于磨錐TLF，其傳輸損耗比較大。因為SOI納米線光波導不具備旋轉對稱性，所以對光纖—波導耦合系統(tǒng)的特性分析，我們使用了標準的三維FDTD方法。仿真結果顯示拉錐TLF光斑小，與Si納米線光波導的耦合效率高；但是耦合系統(tǒng)總的損耗(耦合損耗與TLF傳輸損耗之和)與磨錐TLF耦合時計算出的總的損耗相差不多。
　　 在熱傳導理論基礎上

4、建立了光波導的熱學分析模型，提出了亞微米寬的新型熱電極，并把它應用到SOI脊型納米線光波導上。利用自建的熱學分析模型，對該光波導結構進行了數(shù)值分析，并與傳統(tǒng)的掩埋型光波導進行了熱學性能的比較。結果顯示，具有新型熱電極的SOI脊型納米線光波導結構所需電極功耗低，約為后者的1/10，響應速度快，約為后者的2倍。不僅如此，其加工工藝簡單(僅需一次光刻工藝)，制作成本可大大降低。在此基礎上，我們對該光波導結構進行了光學性能優(yōu)化，并利用MRR結構

5、設計出一種超小型、低功耗(5mW)、大范圍可調(20nm)的熱光可調諧濾波器。
　　 對SOI超小型光波導器件的制作工藝進行了總結，并給出了新型熱電極下的SOI脊型納米線光波導熱光器件的工藝流程。對SU—8脊型光波導(空氣為波導的上包層)的制作工藝進行了研究，并對兩種制作工藝(納米壓印技術和直接紫外光刻技術)進行了比較。后者工藝簡單，對于我們設計的SU—8光波導結構(微米量級)仍然能夠提供足夠的工藝容差，因此本文中關于SU—8光

6、器件的制作都是利用直接紫外光刻技術完成的，器件表征結果顯示利用該技術能夠制作出低損耗的SU—8光波導及器件，如小型化多模干涉(MMI)耦合器、MRR等。
　　 利用SU—8脊型光波導結構，通過在MMI區(qū)域引入二次曲線錐形結構，設計出一種基于GI(General Interference)干涉機制的小型化2×2 MMI耦合器，并利用直接紫外光刻技術，完成了該器件的制作，測試結果顯示該器件具有損耗低、均勻性好、帶寬大等優(yōu)點。把小型化

7、2×2錐形MMI耦合器引入到MRR耦合區(qū)，研制出了小型化的MRR器件，對其光學性能，包括光譜響應、偏振相關特性等進行了表征，并對其熱光效應進行了實驗研究，測試結果顯示溫度升高100℃，其諧振波長漂移量將超過10nm，該性質對于研制大范圍可調諧的濾波器件十分有利。針對SU—8脊型光波導的強限制作用及MRR的諧振增強效應，我們對MRR的熱光非線性效應進行了探索性實驗研究，通過對測試結果的分析，我們得到了SU—8材料對紅外光的吸收系數(shù)約為0.