碳化硅顆粒增強鎂基復合材料的制備及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文采用熔劑保護法，以金屬鎂為基體，以尺寸5～10μm的碳化硅顆粒為增強相，制備了碳化硅顆粒增強的鎂基復合材料。研究了各種制備條件對復合材料微觀組織及性能的影響。 實驗得到了均勻彌散分布的碳化硅顆粒增強的鎂基復合材料，其最佳制備條件為：復合溫度845℃；保溫時間60min；保溫溫度400℃；冷卻方式空氣冷卻；SiC顆粒加入方式為把鎂條盤成圓形，SiC顆粒均勻摻入到鎂圓盤的縫隙中；SiC顆粒的預處理方式是在800℃高溫焙燒2小時。

2、 復合材料相組成分析表明，在復合材料的制備過程中，界面發(fā)生輕微的化學反應，有高強硬質(zhì)的Mg2Si結(jié)構(gòu)材料生成。 SiC顆粒增強鎂基復合材料的性能研究表明，隨著SiC顆粒加入量的增加，復合材料的硬度和密度也呈增加趨勢；SiC顆?？勺鳛樵鰪娤嘤行У靥岣呋w鎂的抗拉強度和屈服強度，當SiC顆粒加入量相同，復合材料的其它制備條件不同時，材料的抗拉強度和屈服強度也有差異；隨著SiC顆粒加入量的增加，復合材料的電導率逐漸降低。

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