傳輸線脈沖對(duì)電子線路干擾的仿真和測(cè)試.pdf

1、靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)是常見電磁騷擾(Electromagnetic Disturbance)的一種，會(huì)給電子器件或設(shè)備帶來嚴(yán)重的干擾，甚至造成設(shè)備或器件損壞，所以對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行靜電抗擾測(cè)試十分必要。傳統(tǒng)的基于IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)制作的靜電放電發(fā)生器由于存在諸可重復(fù)性較低、不一樣的廠家按照該標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的發(fā)生器會(huì)得到不同結(jié)果等問題，在進(jìn)行抗擾測(cè)試時(shí)具有明顯不足，因此傳輸線脈沖發(fā)生器(T

2、ransmission LinePulse，TLP)得以在靜電抗擾測(cè)試中得到應(yīng)用發(fā)展，用以模擬靜電放電對(duì)被測(cè)設(shè)備(DeviceUnder Test，DUT)的干擾。所以研究傳輸線脈沖發(fā)生器以及TLP與DUT的耦合關(guān)系，具有十分重要的意義。
　　本文根據(jù)傳輸線原理，分析了傳輸線脈沖的產(chǎn)生過程，并對(duì)其影響因素進(jìn)行了研究，搭建了實(shí)際的TLP發(fā)生器，并對(duì)傳輸線脈沖測(cè)試搭載的激勵(lì)探頭模型進(jìn)行測(cè)試，這些激勵(lì)探頭可以模擬靜電放電不同耦合形式。本

3、文分為三個(gè)部分，首先對(duì)傳輸線脈沖發(fā)生器的原理進(jìn)行了分析闡述，根據(jù)傳輸線原理以及波的反射折射，分析了傳輸線脈沖方波的產(chǎn)生過程，并根據(jù)傳輸線脈沖發(fā)生器的原理結(jié)構(gòu)分析了可能影響方波脈寬、上升時(shí)間等方面的影響因素，針對(duì)各個(gè)因素利用Simulink軟件搭建了仿真模型進(jìn)行仿真，得到每種因素對(duì)于波形影響的仿真結(jié)果;其次，傳輸線搭建了實(shí)際的TLP發(fā)生器，得到波形較為理想的傳輸線脈沖方波。并且對(duì)TLP發(fā)生器的各個(gè)部分采用了不同元件進(jìn)行對(duì)比測(cè)試，以達(dá)到產(chǎn)生

4、較為理想的波形效果。結(jié)果可以很好的將產(chǎn)生的TLP方波的上升沿控制在800ps，過沖現(xiàn)象得到抑制;最后，簡(jiǎn)要介紹了TLP測(cè)試時(shí)常用的激勵(lì)探頭以及各類探頭的作用機(jī)理，闡述了S參數(shù)的意義，以及二端口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)與Y參數(shù)和Z參數(shù)的轉(zhuǎn)換關(guān)系，并給出了一種二端口網(wǎng)絡(luò)Y參數(shù)的等效模型。使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)實(shí)驗(yàn)室自制TLP測(cè)試用的電場(chǎng)探頭、水平磁場(chǎng)探頭、垂直磁場(chǎng)探頭以及注入探頭與簡(jiǎn)單電子線路的耦合進(jìn)行S參數(shù)測(cè)量，并根據(jù)S參數(shù)與Y參數(shù)和Z參數(shù)的轉(zhuǎn)換關(guān)系得