0.35μmsigebicmos工藝3.5ghz功率放大器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)_第1頁
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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文0.35μmSiGeBiCMOS工藝3.5GHz功率放大器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)姓名：周建沖申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師：李智群20070301AbstraetABSTRACTw汕thedevelopmentofwirelesscommunicationtechnologies，wirelessproductssuchasmobile曲one，WLANetehavealreadybeenusedindailyap

2、plicationsThecharacteristicsofwideband，hi【911communicationcapacityandwideareacoverageofsatellitecommunicationhavemadeitoneofthemostimportantwirelesscommunicationsRFpoweramplifierliesaltheendofthetransmitteranditsmaintask

3、istoampli母themodulatedsignalandtransmititthroughantennaItisoneofthekeypartsforwirelesscommunicationsystemsespeciallylikethesatellitecommunicationsystemwhichneedshighlinearityandhighoutputpowerAsaresult，itismeaningfultese

4、archanddevelopRFpoweramplifiersforsatellitecommunicationsThecommonlyusedtechnologiesfurRFpoweramplifierdesignareGaAs，SiGeBiCMOSandCMOSTheGaAsprocesshasexcellenthighfrequencyperformanceandoutputpowercapacitybutitisquiteex

5、pensiveandtheuniformityisbadduetoprocessvariationsContrarilyCMOSprocesshaslowoutputcapacityanditisdifficultforhighoutputpowerapplicationsTheperformanceofSiGeBiCMOSisbe=tweenGaAsandCMOSwithrelativelylowCOStandcompatiblewi

6、thCMOScircuitsHence，itisagoodchoiceformediumoutputpowerapplicationsThisthesisisjustthepreresearchoftheRFpoweramplifierdesignedbySiGeBiCMOSprocessThisthesispresentsthedesignofapoweramplifierforsatellitecommunicationsinAMS

7、0351anSiGeBiCMOSprocessTheclassAtypewithcommonemitterstructureischosenThecimuitincludesthreecascadedstagesandthetotaltransistorarearatioforeachstageisl：2：4Ithasoneinputmatchingnetworktwointerstagematchingnetworksandoneou

8、tputmatchingnetworkTheactiveproportionalcurrentmirrorbiascircuitischosenforeachstageThepm—simulationresultsshowthattheamplifierchipmeetsthespecifications，butitisnotverifiedbypostsimulationduotolimitingtapeouttimeThetesti

9、ngresultsshowthatthechipcauworkstablybutthecenterfequ哪isshiftedto800MHzwithpowergainof24dBundldBcompressionoutputpowerof25dBmThetotalareaofthechipis164x148mm2Circuitdesignsimulationlayoutdrawingandmeasurementofthechipare

10、presentedindetailinthisthesisThendetailedanalysisofthemeasurementresultsisgivenThereasons黜analyzedbasedonsimulationandtestresultsAtlastthedesignmethodisgivenfornextturndesign[Keywords]SiGeBiCMOSTechnology；RadioFrequencyI

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