畢業(yè)設(shè)計-直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計

1、<p>　　摘 要 </p><p>　　本設(shè)計系統(tǒng)采用PWM發(fā)生器及驅(qū)動器為核心，設(shè)計附有儲存、濾波、分時導(dǎo)通的可調(diào)直流穩(wěn)壓電源系統(tǒng)，具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低、精度高等優(yōu)點。很大程度上滿足了穩(wěn)壓電源的應(yīng)用需求，穩(wěn)壓電源以體積小、可調(diào)控范圍廣、效率高、應(yīng)用范圍廣的目的而設(shè)計的。</p><p>　　設(shè)計一個雙管正激式它激型開關(guān)穩(wěn)壓電源電路，使其符合測量要求，主要過程是

2、兩個開關(guān)管分別輪流導(dǎo)通，傳送能量使變壓器變壓，電流通過二極管和電感L給電容C充電同時對負載Rl供電。通過導(dǎo)通周期的互補，電容的充放電發(fā)生變化，這樣就會使輸出電源電壓的范圍發(fā)生變化。通過芯片SG3525進行反饋控制電路的占空比，輸出采用濾波電路來實現(xiàn)設(shè)計要求。</p><p>　　關(guān)鍵詞：濾波電路，穩(wěn)壓電源電路，SG3525，雙管正激式開關(guān)電源。 </p><p><b>　　

3、Abstract</b></p><p>　　This design system using PWM generator and drive as the core, the design attached storage, filter, time-sharing conduction of adjustable dc regulated power supply system, has the

4、advantages of simple structure, low cost and high accuracy. To a large extent satisfy the application demand of regulated power supply, regulated power supply with small size, wide regulating range, high efficiency, wide

5、 application scope and the purpose of design.</p><p>　　Design a two pipe is shock type it shock type switch stabilized voltage supply circuit, make it conform to the requirements of the measurement, process

6、are two main switch tube respectively conduction in turn, transmits energy transformer transformer, current through the diode and the inductance L to charging capacitance C to Rl load power supply at the same time. By co

7、nducting periodic complementary, charge and discharge capacity changes, this will make the output voltage range change. Through </p><p>　　key words: filter circuit, voltage stabilizing circuit,SG3525, the tw

8、o pipe is shock type switching power supply.</p><p><b>　　目 錄</b></p><p>　　第1章 緒 論1</p><p>　　1.1 選題目的及意義1</p><p>　　1.2 國內(nèi)外研究概況2</p><p>　　1.

9、3 本文主要設(shè)計內(nèi)容3</p><p>　　第2章 方案論證與設(shè)計5</p><p>　　2.1 DC/DC主電路拓撲5</p><p>　　2.2 控制方法及實現(xiàn)方案5</p><p>　　2.3 提高效率的方法和實現(xiàn)方案7</p><p>　　第3章 電路設(shè)計和參數(shù)計算9</p><

10、p>　　3.1 主回路器件的選擇及參數(shù)計算9</p><p>　　3.2 控制電路設(shè)計與參數(shù)計算12</p><p>　　3.3 輔助電源電路設(shè)計與參數(shù)計算15</p><p>　　3.3.1 參數(shù)計算15</p><p>　　3.3.2 吸收回路電路的設(shè)計17</p><p>　　3.3.3 MOSF

11、ET的選擇18</p><p>　　3.3.4 續(xù)流二極管的選擇19</p><p>　　第4章 測試分析19</p><p>　　4.1 測試方法20</p><p>　　4.2 測試儀器20</p><p>　　4.3 測試數(shù)據(jù)20</p><p>　　4.4 測試結(jié)果分析20

12、</p><p>　　第5章 芯片簡介22</p><p>　　5.1 主控芯片G3525簡介22</p><p>　　5.2 輔助電路主控芯片UC3843簡介25</p><p>　　5.3 運算放大器lm358芯片簡介27</p><p><b>　　結(jié) 論31</b></p

13、><p><b>　　致 謝32</b></p><p><b>　　參考文獻33</b></p><p>　　附錄A 主電路圖35</p><p>　　附錄B 輔助電路圖27</p><p>　　附錄C 主電路選材清單28</p><p>　

14、　附錄D 輔助電路選材清單39</p><p>　　附錄E 實物圖40</p><p><b>　　Contents</b></p><p>　　ChapterⅠ Introduction1</p><p>　　1.1 Purpose and significanc1</p><p>　　

15、1.2 General research situation at home and abroad2</p><p>　　1.3 Mainly studies design conten3</p><p>　　ChapterII Demonstration and design5</p><p>　　2.1 DC/DC main circuit topolog

16、y5</p><p>　　2.2 Control methods and implementation schem5</p><p>　　2.3 Efficiency methods and implementation scheme7</p><p>　　ChapterIII Circuit design and parameter calculation

17、9</p><p>　　3.1 The main circuit components selection and parameter calculation9</p><p>　　3.2 Control circuit design and parameter calculation12</p><p>　　3.3 The auxiliary power ci

18、rcuit design and parameter calculation15</p><p>　　3.3.1 Parameters are calculated15</p><p>　　3.3.2 Absorption loop circuit design17</p><p>　　3.3.3 Choose MOSFET18</p><

19、;p>　　3.3.4 Choose stream tube very nine19</p><p>　　ChapterIV Test analysis19</p><p>　　4.1 Test method20</p><p>　　4.2 Test instruments20</p><p>　　4.3 Test data20

20、</p><p>　　4.4 Test results analysis20</p><p>　　ChapterV Chips profile22</p><p>　　5.1 Master control chip G3525 profile22</p><p>　　5.2 Introduction auxiliary circuit

21、control UC3843 chip25</p><p>　　5.3 Operational amplifier lm358 chips profile27</p><p>　　Conclusion31</p><p>　　Acknowledgements32</p><p>　　References33</p>&

22、lt;p>　　Appendix A main circuit diagram35</p><p>　　Appendix B auxiliary circuit diagram27</p><p>　　Appendix C main circuit material listing28</p><p>　　Appendix D auxiliary circ

23、uit selection in listing39</p><p>　　Appendix E physical figure40</p><p><b>　　第1章 緒 論</b></p><p>　　1.1 選題目的及意義</p><p>　　隨著電子技術(shù)的高速發(fā)展，電子系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛，電子設(shè)備的種類

24、也越來越多，電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系益密切。任何電子設(shè)備都離不開可靠的電源，它們對電源的要求也越來越高。特別是隨著小型電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛，也要求能夠提供穩(wěn)定的電源，以滿足小型電子設(shè)備的用電需要[1-3]。本文基于這個思想，設(shè)計和制作了符合指標(biāo)要求的開關(guān)穩(wěn)壓電源。</p><p>　　直流穩(wěn)壓電源作為直流能量的提供者，在各種電子設(shè)備中，有著極其重要的地位，它的性能良好與否直接影響整個電子產(chǎn)品的精度、穩(wěn)

25、定性和可靠性。隨著電子技術(shù)的日益發(fā)展的電源技術(shù)也得到了很大的發(fā)展，它從過去一個不太復(fù)雜的電子線路變?yōu)榻裉炀哂休^強功能的模塊。實現(xiàn)電源穩(wěn)定的方式，由傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓發(fā)展到今天的開關(guān)式穩(wěn)壓，電源技術(shù)正從過去附屬于其它電子設(shè)備狀態(tài)，逐漸演變?yōu)橐粋€電子學(xué)科的獨立的分支[4-6]?，F(xiàn)代電源技術(shù)是應(yīng)用電力電子半導(dǎo)體器件，綜合自動控制、計算機(微處理器)技術(shù)和電磁技術(shù)的多學(xué)科邊緣交叉技術(shù)。在各種高質(zhì)量、高效、高可靠性的電源中起關(guān)鍵作用，是現(xiàn)代電力電子技

26、術(shù)的具體應(yīng)用[7]。當(dāng)今社會電子設(shè)備給人們帶來了極大地便利，但是任何一 種電子設(shè)備都必須要一個穩(wěn)定的電源電路來保證它的正常工作，可以說電源電路是一切電子設(shè)備的基礎(chǔ)。而直流穩(wěn)壓電源在電源技術(shù)中占有十分重要的地位[8]。</p><p>　　直流穩(wěn)壓電源分成兩類：線性穩(wěn)壓電源和開關(guān)穩(wěn)壓電源。(1)線性穩(wěn)壓電源是比較早使用的一類直流穩(wěn)壓電源。線性穩(wěn)壓直流電源的特點是：輸出電壓比輸入電壓低；反應(yīng)速度快，輸出紋波較小；工作

27、產(chǎn)生的噪聲低；效率較低(現(xiàn)在經(jīng)?？吹腖DO就是為了解決效率問題而出現(xiàn)的)；發(fā)熱量大（尤其是大功率電源），間接地給系統(tǒng)增加熱噪聲。(2)開關(guān)型直流穩(wěn)壓電源與線性穩(wěn)壓電源不同的一類穩(wěn)電源，它的電路型式主要有單端反激式，單端正激式、半橋式、推挽式和全橋式。它和線性電源的根本區(qū)別在于它變壓器不工作在工頻而是工作在幾十千赫茲到幾兆赫茲[9-12]。功能管不是工作在飽和及截止區(qū)即開關(guān)狀態(tài)；開關(guān)電源因此而得名[13]。 可調(diào)直流穩(wěn)壓電源(開關(guān)型)

28、開關(guān)電源的優(yōu)點是體積小，重量輕，穩(wěn)定可靠；缺點相對于線性電源來說紋波較大（一般≤1%VO(P-P),好的可做到十幾mV(P-P)或更小)。它的功率可自幾瓦－幾千瓦均有產(chǎn)品[14-16]。開關(guān)型直流穩(wěn)壓電源可分為AC/DC電源、DC/DC電源、通行電源、電臺電源、模塊電源、特種電源[19-22]。</p><p>　　開關(guān)電源的高頻化就必然對傳統(tǒng)的PWM開關(guān)技術(shù)進行創(chuàng)新，實現(xiàn)ZVS、ZCS的軟開關(guān)技術(shù)已成為開關(guān)電源

29、的主流技術(shù)，并大幅提高了開關(guān)電源工作效率。對于高可靠性指標(biāo)，美國的開關(guān)電源生產(chǎn)商通過降低運行電流，降低結(jié)溫等措施以減少器件的應(yīng)力，使得產(chǎn)品的的可靠性大大提高[23-25]。</p><p>　　1.2 國內(nèi)外研究概況</p><p>　　電源是電子設(shè)備的心臟部分，其質(zhì)量的好壞直接影響著電子設(shè)備的可靠性，而且電子設(shè)備的故障60%來自源，因此，電源越來越受到人們的重視。電子設(shè)備的小型化和低成本

30、化使電源以輕、薄、小和高效率為發(fā)展方向。</p><p>　　20世紀(jì)50年代，美國宇航局以小型化、重量輕為目標(biāo)，為搭載火箭開發(fā)了開關(guān)電源。在近半個世紀(jì)的發(fā)展過程中，開關(guān)電源因具有體積小、重量輕、效率高、發(fā)熱量低、性能穩(wěn)定等優(yōu)點而逐步取代傳統(tǒng)技術(shù)制造的連續(xù)工作電源，并廣泛應(yīng)用于電子整機與設(shè)備中。20世紀(jì)80年代，計算機全面實現(xiàn)了開關(guān)電源化，率先完成計算機的電源換代。20世紀(jì)90年代，開關(guān)電源在電子、電器設(shè)備、家用

31、領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，開關(guān)電源技術(shù)進入快速發(fā)展期。到21世紀(jì)小型電子設(shè)備的發(fā)展更加迅速和更加普及，但是現(xiàn)在很多的小型電子設(shè)備都是依靠電池來供電的，所以開發(fā)一種新型的開關(guān)電源應(yīng)用于小型電子設(shè)備中就顯得非常重要了[1]。</p><p>　　開關(guān)電源的發(fā)展方向是高頻、高可靠、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。由于開關(guān)電源輕、小、薄的關(guān)鍵技術(shù)是高頻化，因此國外各大開關(guān)電源制造商都致力于同步開發(fā)新型高智能化的元器件，特別是改

32、善二次整流器件的損耗，并在功率鐵氧體（Mn-Zn）材料上加大科技創(chuàng)新，以提高在高頻率和較大磁通密度（Bs）下獲得高的磁性能，而電容器的小型化也是一項關(guān)鍵技術(shù)[2]。SMT技術(shù)的應(yīng)用使得開關(guān)電源取得了長足的進展，在電路板兩面布置元器件，以確保開關(guān)電源的輕、小、薄。</p><p>　　電力電子技術(shù)的不斷創(chuàng)新，使開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)有著廣闊的發(fā)展前景。要加快我國開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度，就必須走技術(shù)創(chuàng)新之路，走出有中國特色的產(chǎn)

33、學(xué)研聯(lián)合發(fā)展之路，為我國國民經(jīng)濟的高速發(fā)展做出貢獻[4]。</p><p>　　1.3 本文主要設(shè)計內(nèi)容 </p><p>　　在電阻負載條件下，使電源滿足下述要求：輸入直流電壓DC41—DC57V，輸出電壓可調(diào)，具有輸出恒流限制功能，且限制電流可調(diào)。</p><p>　?。?）輸出電壓Vo：DC0—30V可調(diào)；</p><p>　?。?）輸

34、出恒流限制Io：0—3A可調(diào)；</p><p>　　（3）輸出噪聲紋波電壓峰-峰值Vopp≤1V（Udc=48V,Vo=30V,Io=3A）；</p><p>　　（4）DC-DC變換器的效率≥70%（Udc=48V,Vo=30V,Io=3A）[5]。</p><p><b>　　圖1-1 系統(tǒng)框圖</b></p><p&g

35、t;　　第2章 方案論證與設(shè)計</p><p>　　2.1 DC/DC主電路拓撲</p><p>　　可完成此方案的DC/DC變換器的拓撲有：反激式，雙管正激等。為滿足效率在70%以上，且能進一步提高到85%以上，通過以前做實驗實測的結(jié)果可知雙管正激式開關(guān)電源可達到90%以上，另外，雙管正激電路可靠性高，無直通危險，故選擇雙管正激作為本方案的主電路拓撲[6]。</p><

36、;p>　　圖2-1 雙管正激主拓撲結(jié)構(gòu) </p><p>　　2.2 控制方法及實現(xiàn)方案</p><p>　　在電子電路中，通常都需要電壓穩(wěn)定的直流電源供電。小功率穩(wěn)壓電源的組成可以用圖2-2表示，它是由變壓器，整流，濾波，和穩(wěn)壓電路等四個部分組成[7]。</p><p>　　圖 2-2主電路組成框圖</p>

37、<p>　　電源變壓器是將直流48V的電壓變?yōu)樗枰碾妷褐?，由于此直流電壓還含有較大的紋波，必須通過濾波電路加以濾除，從而得到平滑的直流電壓。但這樣的電壓還隨電網(wǎng)電壓波動（一般有正負10%左右的波動），負載和溫度的變化而變化。因而在整流、濾波電路之后，還需接穩(wěn)壓電路。穩(wěn)壓電路的作用是當(dāng)電網(wǎng)電壓波動、負載和溫度變化時，維持輸出直流電壓的穩(wěn)定。 當(dāng)負載要求功率較大，效率較高時，常采用開關(guān)穩(wěn)壓電源[8]。</p>

38、<p>　　雙管正激電路中驅(qū)動MOSFET的方波占空比不能大于0.5，故可選SG3525作為控制芯片。若采用直接驅(qū)動MOSFET可能由于G極電壓低于S極，而無法驅(qū)動MOSFET，因此采用變壓器隔離驅(qū)動。為能達到使輸出電壓0-30V可調(diào)，輸出電流0-3A可調(diào)的目的，需要使誤差放大器的基準(zhǔn)從零開始變化，而SG3525內(nèi)部誤差放大器的基準(zhǔn)無法調(diào)到0V ，故采用外接的運放作為誤差放大器使用。</p><p>

39、　　若實現(xiàn)穩(wěn)壓電源，首先就要就電路進行穩(wěn)壓。在穩(wěn)壓方面可選用變壓器來完成，然后要對輸入的電壓進行調(diào)節(jié)，在調(diào)節(jié)方面，可選用可調(diào)節(jié)三端正電壓穩(wěn)壓器進行調(diào)節(jié)（LM358）。由于電流幅值變化很大，所以需要用電容對電流進行濾波，然后輸出即可。衡量穩(wěn)壓器的性能有許多指標(biāo)，例如額定輸出電壓、電流和電壓調(diào)節(jié)范圍等，這屬于特性指標(biāo)；穩(wěn)壓系數(shù)、等效內(nèi)阻、紋波電壓（即交流電壓分量）等屬于質(zhì)量指標(biāo)。自動化程度，用來說明維護人員離開時，例如，是否具有自動開機、停

40、機性能，故障檢測等。經(jīng)濟指標(biāo)，主要有效率和功率因數(shù)等[9]。</p><p>　　由于電源需要從零開始調(diào)節(jié)，所以利用主電路自身給芯片供電是不可行的，需要外加電源給芯片供電，因此設(shè)計一三路輸出的反激式開關(guān)電源給主電路芯片供電。</p><p>　　本設(shè)計給出了SG3525控制的雙管正激式開關(guān)電源進行輸出電壓，電流可調(diào)的基本原理和實現(xiàn)方案。整個系統(tǒng)由整流濾波電路，DC/DC變換電路，輸出電壓電

41、流采樣電路，控制電路，等幾部分組成[11]。</p><p>　　2.3 提高效率的方法和實現(xiàn)方案</p><p>　　1、增大高壓電容容量、加強變壓器制作工藝，減小漏感、增大分壓取樣電阻阻值、減少輸入熱敏電阻阻值、增大LED供電電阻值。正激式：開關(guān)管導(dǎo)通時傳輸能量，適合于200W以下的供電電路。它的高頻變壓器傳輸效率高于反激式，可使變壓器體積更小、輸出紋波較反激式小，需要計算濾波電感的參

42、數(shù)，開關(guān)損耗小于反激式、噪聲小于反激式、元件數(shù)目比反激式多。200W以上的電子產(chǎn)品在日常使用較少，正激式適用于200W以下的小功率供電，而小功率電子產(chǎn)品，在日常應(yīng)用較為普及，這也就是正激式用量多余反激式的原因。開關(guān)電源的功耗包括由半導(dǎo)體開關(guān)、磁性元件和布線等的寄生電阻所產(chǎn)生的固定損耗以及進行開關(guān)操作時的開關(guān)損耗。對于固定損耗，由于它主要取決于元件自身的特性，因此需要通過元件技術(shù)的改進來予以抑制。在磁性元件方面，對于兼顧了集膚效應(yīng)和鄰近導(dǎo)

43、線效應(yīng)的低損耗繞線方法的研究由來已久。為了降低源自變壓器漏感的開關(guān)浪涌所引起的開關(guān)損耗，人們開發(fā)出了具有浪涌能量再生功能的緩沖電路等新型電路技術(shù)。以下是提高開關(guān)電源效率的電路和系統(tǒng)方法： （1）ZVS（零電壓開關(guān)）、ZCS（零電流開關(guān)）等利用諧振開關(guān)來降低開關(guān)損耗的方法。 （</p><p>　　2、將所有的續(xù)流二極管由快恢復(fù)二極管改成肖特基二極管，肖特基二極管具有相同的快恢復(fù)特性，另外其正向?qū)▔航?/p>

44、為0.3V<快恢復(fù)二極管1V，因此在通態(tài)電流一樣時其產(chǎn)生的功耗要小，將開關(guān)管采用SUM60N10 從而達到了提高效率的目的。紋波電壓就是疊加在輸出直流電壓上的交流電壓分量，通常經(jīng)濾波及穩(wěn)壓后，它的數(shù)值在幾毫伏以內(nèi)，以不影響電子設(shè)備工作為準(zhǔn)?？捎靡粋€容量較大的電容器與交流毫伏表串聯(lián)進行測量，此電容是隔直流用的降低紋波電壓從而提高效率[12]。 </p><p>　　第3章 電路設(shè)計和參數(shù)計算</p>

45、;<p>　　3.1 主回路器件的選擇及參數(shù)計算</p><p>　　(1) 在電路中反向并聯(lián)在繼電器或電感線圈的兩端，當(dāng)電感線圈斷電時其兩端的電動勢并不立即消失，此時殘余電動勢通過一個二極管釋放，起這種作用的二極管叫續(xù)流二極管。其實還是個二極管只不過它在這起續(xù)流作用而以。續(xù)流二極管通常是并聯(lián)在線圈的兩端，線圈在通過電流時，會在其兩端產(chǎn) 生感應(yīng)電動勢。當(dāng)電流消失時，其感應(yīng)電動勢會對電路中的原件產(chǎn)生反

46、向電壓。當(dāng)反向電壓高于原件的反向擊穿電壓時，會把原件如三極管，等造成損壞。續(xù)流二極管并聯(lián)在線兩端，當(dāng)流過線圈中的電流消失時，線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢通過二極管和線圈構(gòu)成的回路做功而消耗掉。叢而保護了電路中的其它原件的安全。續(xù)流二極管經(jīng)常和儲能元件一起使用，防止電壓電流突變，提供通路。電感可以經(jīng)過它給負載提供持續(xù)的電流，以免負載電流突變，起到平滑電流的作用。通常應(yīng)用在開關(guān)電源,繼電器電路,可控硅電路,IGBT等電路中,應(yīng)用非常廣泛。在開關(guān)電源

47、中，續(xù)流二極管通常和電阻串連起來構(gòu)成的的續(xù)流電路。這個電路與變壓器原邊并聯(lián)。當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時，續(xù)流電路可以釋放掉變壓器線圈中儲存的能量，防止感應(yīng)電壓過高，擊穿開關(guān)管。</p><p>　　本設(shè)計續(xù)流二極管：由輸出最大功率為90W，設(shè)最小的效率為70%，則輸入的最大功率為，128.57W，由輸入為DC41V~57V得到電流為2.26A。故選擇額定電流為3A，耐壓值為75V的MBR20100。</p>&

48、lt;p>　　(2)電解電容是電容的一種，介質(zhì)有電解液，涂層有極性，分正負，不可接錯。電容(Electric capacity)，由兩個金屬極，中間夾有絕緣材料（介質(zhì)）構(gòu)成 。有極性電解電容器通常在電源電路或中頻、低頻電路中起電源濾波、退耦、信號耦合及時間常數(shù)設(shè)定、隔直流等作用。一般不能用于交流電源電路，在直流電源電路中作濾波電容使用時，其陽極（正極）應(yīng)與電源電壓的正極端相連接，陰極（負極）與電源電壓的負極端相

49、連接，不能接反，否則會損壞電容器。 瓷片電容 陶瓷電容無極性。陶瓷電容的容量一般較小，用于信號源濾波，可用于消除高頻干擾。</p><p>　　本設(shè)計濾波電容為保證濾波效果和耐壓值選?。?70uF/160V。</p><p>　　(3) MOSFET柵極電荷和導(dǎo)通阻抗S是選擇管子的重要一部分，是因為二者都對電源的效率有直接的影響。對效率有影響的損耗主要分為兩種形式傳導(dǎo)損

50、耗和開關(guān)損耗。柵極電荷是產(chǎn)生開關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷單位為納庫侖(nc)，是MOS管柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導(dǎo)通阻抗RDS(ON) 在半導(dǎo)體設(shè)計和制造工藝中相互關(guān)聯(lián)，一般來說，器件的柵極電荷值較低，其導(dǎo)通阻抗參數(shù)就稍高。開關(guān)電源中第二重要的MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。某些特殊的拓撲也會改變不同MOS管參數(shù)的相關(guān)品質(zhì)，例如，可以把傳統(tǒng)的同步降壓轉(zhuǎn)換器與諧振轉(zhuǎn)換器做比較。諧振轉(zhuǎn)換器只在VDS (漏源

51、電壓)或ID (漏極電流)過零時才進行MOS管開關(guān)，從而可把開關(guān)損耗降至最低。這些技術(shù)被成為軟開關(guān)或零電壓開關(guān)(ZVS)或零電流開關(guān)(ZCS)技術(shù)。由于開關(guān)損耗被最小化，RDS(ON) 在這類拓撲中顯得更加重要。低輸出電容(COSS)值對這兩類轉(zhuǎn)換器都大有好處。諧振轉(zhuǎn)換器中的諧振電路主要由變壓器的漏電感與COSS決定。此外，在兩個MOS管關(guān)斷的死區(qū)時間內(nèi)，諧振電路必須讓COSS完全放電。</p><p>　　本設(shè)

52、計MOSFET：由于所承受的電壓為57V，最大平均電流為3.16A。故選取最大耐壓值為100V，額定電流為60A的SUM60N10。</p><p>　　(4) 主變壓器：由AP法公式，求得AP=0.5034cm4選取EE40、PC40作為變壓器的鐵芯，其AP=1.3824cm4；由，求得原邊匝數(shù)為：8匝，副邊：，求得副邊匝數(shù)為14匝。</p><p>　　由J=4.32A/mm2， 推得

53、原邊線徑為0.9895mm，考慮肌膚效應(yīng)采用4 股0.53 并饒。 推得副邊線徑為0.747mm，考慮肌膚效應(yīng)采用 2股0.53mm并饒。</p><p>　　(5)在典型的降壓拓撲結(jié)構(gòu)電路中，當(dāng)開關(guān)管（Q1）閉合時，電流開始通過這個開關(guān)流向輸出端，并以某一速率穩(wěn)步增大，增加速率取決于電路電感。根據(jù)楞次定律，di=E*dt/L，流過電感的電流所發(fā)生的變化量等于電壓乘以時間變化量，再除以這個電感值。由于流過負載電阻

54、RL的電流穩(wěn)定增加，輸出電壓成正比增大。在達到預(yù)定的電壓或電流限值時，控制集成電路將開關(guān)斷開，從而使電感周圍的磁場衰減，并使偏置二極管D1正向?qū)?，從而繼續(xù)向輸出電路供給電流，直至開關(guān)再度接通。這一循環(huán)反復(fù)進行，而開關(guān)的次數(shù)由控制集成電路來確定，并將輸出電壓調(diào)控在要求的電壓值上。電感值對于在開關(guān)斷開期間保持流向負載的電流很關(guān)鍵。所以必須算出保持降壓變換器輸出電流所必需的最小電感值，以確保在輸出電壓和輸入電流處于最差條件下，仍能夠為負載供

55、應(yīng)足夠的電流。</p><p>　　本設(shè)計濾波電感：由,ION=3A得IOC=0.3A 。</p><p><b>　　=></b></p><p>　　得到L=496uH。</p><p>　　選擇磁芯77439A7，相對磁導(dǎo)率Ur為60 Al=135 OD=4.7cm ID=2.374cm Ht=1.892

56、cm求得匝數(shù)N=53求得線徑為0.9406mm 采用1mm。</p><p><b>　　(6) 濾波電容</b></p><p>　　紋波：由于直流穩(wěn)定電源一般是由交流電源經(jīng)整流穩(wěn)壓等環(huán)節(jié)而形成的，這就不可避免地在直流穩(wěn)定量中多少帶有一些交流成份，這種疊加在直流穩(wěn)定量上的交流分量就稱之為紋波。紋波的成分較為復(fù)雜，它的形態(tài)一般為頻率高于工頻的類似正弦波的諧波，另一種則

57、是寬度很窄的脈沖波。</p><p>　　為了達到設(shè)計要求，使電源是一個直流穩(wěn)壓電源，為了使輸入電源和負載等條件變化時對輸出造成最小的影響，可以通過減小電源的導(dǎo)線電阻，濾波電路，增加容性負載能力，通過取樣進行比較放大，調(diào)節(jié)輸出，使輸出保持穩(wěn)定。</p><p>　　設(shè)紋波電壓為0.3V 由公式 求得C=470uF[11]。</p><p><b>　　圖

58、3-1 主回路</b></p><p>　　3.2 控制電路設(shè)計與參數(shù)計算</p><p>　　雙管正激電路中驅(qū)動MOSFET的方波占空比不能大于0.5，故可選擇SG3525作為控制芯片。若采用直接驅(qū)動MOSFET可能由于G極電壓低于S極，而無法驅(qū)動MOSFET，因此采用變壓器隔離驅(qū)動。為能達到使輸出電壓0-30V可調(diào)，輸出電流0-3A可調(diào)的目的，需要使誤差放大器的基準(zhǔn)從零開始

59、變化，而SG3525內(nèi)部誤差放大器的基準(zhǔn)無法調(diào)到0V ，故采用外接的運放作為誤差放大器使用。</p><p>　　采用外接正負電源的運放作為誤差放大器，其基準(zhǔn)由SG3525的16腳輸出的5V外接電位器提供。</p><p>　　頻率的確定：設(shè)定開關(guān)頻率為71KHz 由SG3525可得其CT=102 RT=10K RD=10。</p><p>　　采樣電阻的確定，由在

60、基準(zhǔn)為5V時輸出電壓為30V，并考慮功率等因素選取4.7K 和23K串聯(lián)分壓，如圖3-2所示。</p><p><b>　　圖3-2 控制電路</b></p><p>　　圖3-3 控制電路驅(qū)動波形</p><p>　　隔離驅(qū)動變壓器如圖3-4所示：若采用直接驅(qū)動MOSFET可能由于G極電壓低于S極，而無法驅(qū)動MOSFET，因此采用變壓器隔離驅(qū)

61、動。為了保證MOSFET完全導(dǎo)通，設(shè)計變壓器匝比為30:40:40[19] 。</p><p>　　圖3-4 隔離驅(qū)動變壓器</p><p>　　3.3 輔助電源電路設(shè)計與參數(shù)計算</p><p>　　3.3.1 參數(shù)計算</p><p>　　輔助電路采用反激式開關(guān)電源，輸出為一個5V，一個是12V，一個是-12V，由UC3843控制，開關(guān)頻

62、率為82KHz，如圖3-5所示。</p><p><b>　　反激變壓器的計算</b></p><p>　　（1）原邊匝數(shù)Np: </p><p><b>　　求得Np=22。</b></p><p>　?。?）原邊電感量Lp： </p><p>　　求得Lp=116.279

63、uF。</p><p>　　(3) 5V輸出副邊匝數(shù)Ns5:</p><p><b>　　求得Ns5=6。</b></p><p>　　(4) 12V輸出副邊匝數(shù)Ns12：</p><p>　　求得Ns12=11。</p><p>　　同理可得-12V輸出繞組：Ns-12=11。</p>

64、;<p>　　(5) 輔助繞組匝數(shù) </p><p>　　求得Naux=14。</p><p><b>　　(6) 啟動電阻</b></p><p><b>　　求得R=22K。</b></p><p>　　(7) RT CT選取</p><p>　　由公式

65、 及f=82KHz 綜合考慮選取RT=10K CT=222，原邊峰值電流采樣電阻推出 R=0.39/1W。</p><p>　　圖3-5 輔助電源主電路</p><p>　　3.3.2 吸收回路電路的設(shè)計</p><p>　　吸收電路它由電阻Rsn、電容Csn和二極管VDs構(gòu)成。電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。吸收電路對過電壓的抑制要好于吸收電路，與電路相

66、比Vce升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收電阻，在一定程度上降低了損耗。 </p><p>　　吸收回路原理若開關(guān)斷開，蓄積在寄生電感中能量通過開關(guān)的寄生電容充電，開關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時，吸收二極管導(dǎo)通，開關(guān)電壓被吸收二極管所嵌位，約為1V左右。寄生電感中蓄積的能量也對吸收電容充電。開關(guān)接通期間，吸收電容通過電阻放電，如圖3-6所示。</p><p><

67、;b>　　本設(shè)計吸收電阻</b></p><p>　　求得Rsn=6.8K/2W。</p><p><b>　　吸收電容</b></p><p>　　求得Csn=103/1KW。</p><p><b>　　圖3-6 吸收回路</b></p><p>　　3

68、.3.3 MOSFET的選擇</p><p>　　功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。</p><p>　　功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體

69、管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET。</p><p>　　本設(shè)計由于MOSFET所承受的電壓為200V選擇IRF640。</p><p>　　3.3.4 續(xù)流二極管的選擇</p><p>　　續(xù)流二極管都是并聯(lián)在線圈的兩端，線圈在通過電流時，會在其兩端產(chǎn) 生感

70、應(yīng)電動勢。當(dāng)電流消失時，其感應(yīng)電動勢會對電路中的原件產(chǎn)生反向電壓。當(dāng)反向電壓高于原件的反向擊穿電壓時，會把原件如三極管，等造成損壞。續(xù)流二極管并聯(lián)在線 兩端，當(dāng)流過線圈中的電流消失時，線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢通過二極管和線圈構(gòu)成的回路做功而消耗掉。叢而保護了電路中的其它原件的安全。</p><p>　　在電路中反向并聯(lián)在繼電器或電感線圈的兩端，當(dāng)電感線圈斷電時其兩端的電動勢并不立即消失，此時殘余電動勢通過一個二極管釋

71、放，起這種作用的二極管叫續(xù)流二極管。其實還是個二極管只不過它在這起續(xù)流作用而以，經(jīng)常和儲能元件一起使用，防止電壓電流突變，提供通路。電感可以經(jīng)過它給負載提供持續(xù)的電流，以免負載電流突變，起到平滑電流的作用！在開關(guān)電源中，就能見到一個由二極管和電阻串連起來構(gòu)成的的續(xù)流電路。這個電路與變壓器原邊并聯(lián)。當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時，續(xù)流電路可以釋放掉變壓器線圈中儲存的能量，防止感應(yīng)電壓過高，擊穿開關(guān)管。</p><p>　　本設(shè)計為

72、考慮提高效率，使用MBR20100[10]。</p><p><b>　　第4章 測試分析</b></p><p><b>　　4.1 測試方法</b></p><p>　　采用外接滑動變阻器作為負載測試輸出電流，帶負載能力，記錄并計算效率，采用示波器測量輸出紋波電壓，輸出波形，改變采樣電路反饋環(huán)節(jié)中的滑動變阻102阻值從

73、而改變輸出電壓、電流的變化。</p><p><b>　　4.2 測試儀器</b></p><p>　　萬用表 、示波器、滑動變阻器、直流穩(wěn)壓源、電流表、電壓表。</p><p><b>　　4.3 測試數(shù)據(jù)</b></p><p>　　輸出電壓 ：0—30V、輸出電流 ：0—3A、電壓紋波噪聲：4

74、00mV、效率≥70%。</p><p>　　4.4 測試結(jié)果分析</p><p>　　這次設(shè)計制作的可變電壓電源是成功的，在輸出端可以輸出3-10V的電壓并且是穩(wěn)定的各點的參數(shù)也符合要求。但是這個過程中出現(xiàn)了一個錯誤因為沒有齊納二極管所以買了一個發(fā)光二極管來代替器材，買完之后就開始焊接沒有去深入探討。所以一直是根據(jù)設(shè)計的圖來焊接的最后焊接完成之后測試卻不能達到效果調(diào)節(jié)電位器電壓的變化范圍

75、，只有零點伏而且總在4V左右變化。沒有得到結(jié)果只好深入電路圖，最后發(fā)現(xiàn)買的發(fā)光二極管反接的，因為書上的齊納二極管是反接的，但沒有去想這二者是不一樣的，發(fā)光二極管只有在導(dǎo)通是的壓降才會等于2V左右，但齊納二極管是反相時穩(wěn)定2V左右的電壓這里便是一個很關(guān)鍵的地方，只好把發(fā)光二極管拆下來重新正相焊接上去。再經(jīng)過測試輸出電壓可以在3-10V之間變化也是穩(wěn)定輸出的， 通過這次的設(shè)計制作我又得到了一個教訓(xùn)。當(dāng)給定的器材不一樣時要適當(dāng)?shù)剡M行探討原理圖

76、是否還可以照用還是要經(jīng)過變化才可以用的，不能照著書上的一路走下去，要學(xué)會思考變化之后的影響，對每一個細節(jié)都要進行深入的探討，這樣才不容易犯錯?；就瓿稍O(shè)計要求，仍有改進空間。</p><p><b>　　第5章 芯片簡介</b></p><p>　　5.1 主控芯片G3525簡介</p><p>　　隨著電能變換技術(shù)的發(fā)展，功率MOSFET在開

77、關(guān)變換器中開始廣泛使用。為此，美國硅通用半導(dǎo)體公司推出了SG3525，以用于驅(qū)動N溝道功率MOSFET。SG3525是一種性能優(yōu)良、功能齊全和通用性強的單片集成PWM控制芯片，它簡單可靠及使用方便靈活，輸出驅(qū)動為推拉輸出形式，增加了驅(qū)動能力；內(nèi)部含有欠壓鎖定電路、軟啟動控制電路、PWM鎖存器，有過流保護功能，頻率可調(diào)，同時能限制最大占空比。其性能特點如下： 1)工作電壓范圍寬： 8～35V。 2)內(nèi)置5．1 V±

78、;1．0％的基準(zhǔn)電壓源。 3)芯片內(nèi)振蕩器工作頻率寬100Hz～400 kHz。 4)具有振蕩器外部同步功能。 5)死區(qū)時間可調(diào)。為了適應(yīng)驅(qū)動快速場效應(yīng)管的需要，末級采用推拉式工作電路，使開關(guān)速度更陜，末級輸出或吸入電流最大值可達400mA。 6)內(nèi)設(shè)欠壓鎖定電路。當(dāng)輸入電壓小于8V時芯片內(nèi)部鎖定，停止工作(基準(zhǔn)源及必要電路除外)，使消耗電流降至小于2mA。 7)有軟啟動電路。比較器的反相輸入端即

79、軟啟動控制端芯片的引腳8，可外接軟啟動電容。該電容器內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓Uref由恒流源供電</p><p>　　圖5-1 SG3525內(nèi)部原理框圖</p><p>　　圖5-2 引腳功能說明</p><p>　　1、Inv.input(引腳1)：誤差放大器反向輸入端。在閉環(huán)系統(tǒng)中，該引腳接反饋信號。在開環(huán)系統(tǒng)中，該端與補償信號輸入端（引腳9）相連，可構(gòu)成跟隨器。

80、0; </p><p>　　2、Noninv.input(引腳2)：誤差放大器同向輸入端。在閉環(huán)系統(tǒng)和開環(huán)系統(tǒng)中，該端接給定信號。根據(jù)需要，在該端與補償信號輸入端（引腳9）之間接入不同類型的反饋網(wǎng)絡(luò)，可以構(gòu)成比例、比例積分和積分等類型的調(diào)節(jié)器。  </p><p>　　3、Sync(引腳3)：振蕩器外接同步信號輸入端。該端接外部同步脈沖信號可實現(xiàn)與外電路同步。

81、  </p><p>　　4、OSC.Output(引腳4)：振蕩器輸出端。</p><p>　　5、CT(引腳5)：振蕩器定時電容接入端。  </p><p>　　6、RT（引腳6）：振蕩器定時電阻接入端。  </p><p>　　7、Discharge(引腳7)：振蕩器放電端。該

82、端與引腳5之間外接一只放電電阻，構(gòu)成放電回路。</p><p>　　8、Soft-Start(引腳8)：軟啟動電容接入端。該端通常接一只5 的軟啟動電容。  </p><p>　　9、Compensation(引腳9)：PWM比較器補償信號輸入端。在該端與引腳2之間接入不同類型的反饋網(wǎng)絡(luò)，可以構(gòu)成比例、比例積分和積分等類型調(diào)節(jié)器。  <

83、;/p><p>　　10、Shutdown(引腳10)：外部關(guān)斷信號輸入端。該端接高電平時控制器輸出被禁止。該端可與保護電路相連，以實現(xiàn)故障保護。 </p><p>　　11、Output A（引腳11）：輸出端A。引腳11和引腳14是兩路互補輸出端。 </p><p>　　12、Ground(引腳12)：信號地。 </p&

84、gt;<p>　　13、Vc(引腳13)：輸出級偏置電壓接入端。</p><p>　　14、Output B（引腳14）：輸出端B。引腳14和引腳11是兩路互補輸出端。 </p><p>　　15、Vcc（引腳15）：偏置電源接入端。 </p><p>　　16、Vref(引腳16)：基準(zhǔn)電源輸出端。該端可輸出一溫度穩(wěn)定性

85、極好的基準(zhǔn)電壓。</p><p>　　直流電源Vs從腳15接入后分兩路，一路加到或非門；另一路送到基準(zhǔn)電壓穩(wěn)壓器的輸入端，產(chǎn)生穩(wěn)定的元器件作為電源。振蕩器腳5須外接電容CT，腳6須外接電阻RT。振蕩器頻率廠由外接電阻RT和電容CT決定，振蕩器的輸出分為兩路，一路以時鐘脈沖形式送至雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及兩個或非門；另一路以鋸齒波形式送至比較器的同相輸入端，比較器的反向輸入端接誤差放大器的輸出，誤差放大器的輸出與鋸齒波電壓在

86、比較器中進行比較，輸出一個隨誤差放大器輸出電壓高低而改變寬度的方波脈沖，再將此方波脈沖送到或非門的一個輸入端。或非門的另兩個輸入端分別為雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和振蕩器鋸齒波。雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個輸出互補，交替輸出高低電平，將PWM脈沖送至三極管VT1及VT2的基極，鋸齒波的作用是加入死區(qū)時間，保證VT1及VT2不同時導(dǎo)通。最后，VTl及VT2分別輸出相位相差為180°的PWM波。 采用SG3525集成PWM控制器作為控制芯片，它的

87、外圍電路簡單。電路中的鋸齒波生成電路由RT、CT和內(nèi)部電路組成，本設(shè)計取CT=102，RT=10kΩ，RD=100Ω，經(jīng)計算振蕩器輸出頻率f=700Hz[18]。</p><p>　　5.2 輔助電路主控芯片UC3843簡介</p><p>　　UC3843 是高性能固定頻率電流模式控制器專為離線和直流至直流變換器應(yīng)用而設(shè)計，為設(shè)計人員提供只需最少外部元件就能獲得成本效益高的解決方案。這些

88、集成電路具有可微調(diào)的振蕩器、能進行精確的占空比控制、溫度補償?shù)膮⒖?、高增益誤差放大器。電流取樣比較器和大電流圖騰柱式輸出，是驅(qū)動功率MOSFET的理想器件。其它的保護特性包括輸入和參考欠壓鎖定，各有滯后、逐周電流限制、可編程輸出靜區(qū)時間和單個脈沖測量鎖存。 UC3842A 有16V（通）和10 伏（斷）低壓鎖定門限，十分適合于離線變換器。UC3843A是專為低壓應(yīng)用設(shè)計的，低壓鎖定門限為8.5伏（通）和7.6V

89、（斷）。 </p><p>　　特點: ① 微調(diào)的振蕩器放電電流。</p><p>　?、诳删_控制占空比。 </p><p>　　③電流模式工作到500KHZ。 </p><p>　?、茏詣忧梆佈a償。 </p><p><b>　?、萱i存脈寬調(diào)制。</b></p>&

90、lt;p><b>　?、蘅芍鹬芟蘖鳌?</b></p><p>　?、邇?nèi)部微調(diào)的參考電壓。</p><p><b>　?、鄮穳烘i定。 </b></p><p>　?、岽箅娏鲌D騰柱輸出。 </p><p>　?、馇穳烘i定帶滯后低啟動和工作電流。 </p><p>　

91、　圖5-3 UC3843芯片內(nèi)部原理</p><p>　　圖5-4引腳功能 </p><p>　　1、(引腳1)補償：該管腳為誤差放大器輸出，并可用于環(huán)路補償。</p><p>　　2、（引腳3）電壓反饋:一個正比于電感器電流的電壓接至此輸入，脈寬調(diào)制器使用此信息中止輸出開關(guān)的導(dǎo)通。</p><p>　　3、（引腳5）電流取樣： 一個正比

92、于電感器電流的電壓接至此輸入，脈寬調(diào)制器使用此信息中止輸出開關(guān)的導(dǎo)通。</p><p>　　4、（引腳7）RT/CT： 通過將電阻RT連接至Vref以及電容CT連接至地，使振蕩器頻率和最大輸出占空比可調(diào)，工作頻率可達500kHz 。</p><p>　　5、（引腳8）電源地：該管腳是一個連回至電源的分離電源地返回端（僅14 管腳封裝如此），用于減少控制電路中開關(guān)瞬態(tài)噪聲

93、的影響。</p><p>　　6、（引腳9）地: 該管腳是控制電路和電源的公共地（僅對8管腳封裝如此）</p><p>　　7、（引腳10）輸出 : 該輸出直接驅(qū)動功率MOSFET的柵極，高達1.OA 的峰值電流經(jīng)此管腳拉和灌。</p><p>　　8、（引腳11）VC: 輸出高態(tài)（VoH）由加到此管腳（僅14 管腳封裝如此）的電壓設(shè)定。通過分離

94、的電源連接，可以減小開關(guān)瞬態(tài)噪聲對控制電路的影響。</p><p>　　9、（引腳12）VCC : 該管腳是控制集成電路的正電源。</p><p>　　10、（引腳14）Vref ：該管腳為參考輸出，它通過電阻RT向電容CT提供充電電流。</p><p>　　11、（引腳2,4,6,13）空腳 ：無連接（僅14管腳封裝如此），這些管腳沒有內(nèi)部連接。</p>

95、;<p>　　5.3 運算放大器lm358芯片簡介</p><p>　　LM358內(nèi)部包括有兩個獨立的、高增益、內(nèi)部頻率補償?shù)碾p運算放大器， 適合于電源電壓范圍很寬的單電源使用，也適用于雙電源工作模式，在推薦的工 作條件下，電源電流與電源電壓無關(guān)。它的使用范圍包括傳感放大器、直流增益 模組,音頻放大器、工業(yè)控制、DC增益部件和其他所有可用單電源供電的使用運算放大器的場合。 LM358的封裝形式

96、有塑封8引線雙列直插式和貼片式[19-25]。 </p><p>　　圖5-5 LM358芯片引腳圖</p><p>　　圖5-6 內(nèi)部電路原理圖</p><p>　　圖5-7 LM358應(yīng)用電路</p><p>　　特性(Features)： 內(nèi)部頻率補償直流電壓增益高(約100dB)，單位增益頻帶寬(約1MHz)，電源電壓范圍寬：單電源

97、(3—30V)；雙電源(±1.5一±15V) 。低功耗電流，適合于電池供電。</p><p>　　低輸入偏流低輸入失調(diào)電壓和失調(diào)電流，共模輸入電壓范圍寬，包括接地。差模輸入電壓范圍寬，等于電源電壓范圍。</p><p>　　輸出電壓擺幅大（0至Vcc-1.5V)。參數(shù)輸入偏置電流45 nA 輸入失調(diào)電流50 nA ，輸入失調(diào)電壓2.9mV，輸入共模電壓最大值VCC~1.

98、5 V 共模抑制比80dB，電源抑制比100dB[25]。</p><p><b>　　結(jié) 論 </b></p><p>　　本次畢業(yè)設(shè)計輸入輸出穩(wěn)壓電源的設(shè)計，依靠雙管正激拓撲，受SG3525的控制，以反激作為輔助電源，使用EMI濾波器降低輸出電壓的噪聲。在實物制作過程中，只要有一處焊錯都會影響到板子的整體效果，設(shè)計電路主要由色環(huán)電阻、熱敏電阻、LM358、SG3

99、525、UC3843、電容、二極管、場效應(yīng)管、電感、變壓器等組建。制作過程涉及到電焊、組裝。</p><p>　　該系統(tǒng)主要由硬件部分組成，在查閱并學(xué)習(xí)現(xiàn)有的模塊電路之后，選合適的電路進行組合。硬件部分由41V輸入，30V輸出變壓器、π型RC濾波電路、帶有運放的串聯(lián)調(diào)整型晶體管穩(wěn)壓電路組出核心模擬電路部分，運放LM358的正端接D/A輸出的基準(zhǔn)電壓，負端接反饋電壓，同時根據(jù)反饋電壓來調(diào)整基準(zhǔn)電壓的大小。</

100、p><p><b>　　致 謝</b></p><p>　　四年大學(xué)生活轉(zhuǎn)瞬即逝，臨近畢業(yè)時，我無比懷念四年精彩的大學(xué)生活。在此次畢業(yè)設(shè)計中，我深刻體會到學(xué)習(xí)是一個需要長期積累的過程。無論是在以后的工作還是生活中，都應(yīng)該不斷的學(xué)習(xí)，努力提高自己的能力和綜合素質(zhì)。</p><p>　　本設(shè)計是在xx老師的悉心指導(dǎo)和幫助下，通過不斷的學(xué)習(xí)相關(guān)知識、查

101、閱資料，設(shè)計修改后完成的。在本文的設(shè)計過程中，從選題、課題的進行到論文的審閱，自始至終x老師都非常負責(zé)，對存在的問題和困難給予及時的解決，使課題能夠順利進行。楊老師嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)，淵博的學(xué)識，謙遜的為人，豐富的實踐經(jīng)驗，敏銳的科學(xué)眼光，將是我永遠學(xué)習(xí)的楷模。在此，謹(jǐn)致以衷心的感謝和崇高的敬意。 </p><p>　　大學(xué)四年的學(xué)習(xí)生活，遇到了很多優(yōu)秀的老師，他們不僅教我專業(yè)方面的知識，更重要的教會我如何做人，如何正確

102、的從校園跨入社會。尤其是電信學(xué)院的各位老師給予了我很大的幫助和啟示，使順利的找到了工作，完成畢業(yè)設(shè)計。在此表示衷心的感謝，祝愿他們身體健康，工作順利，事業(yè)上取得更大成功。 </p><p>　　再次真誠地感謝所有在我四年讀書期間幫助過我的老師、同學(xué)和朋友，祝大家在以后的工作生活中一切順利！ </p><p><b>　　參考文獻</b></p><

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