電力電子課程設(shè)計(jì)--- 單相半橋無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)

1、<p>　　電氣與電子信息工程學(xué)院</p><p><b>　　電力電子課程設(shè)計(jì)</b></p><p>　　設(shè)計(jì)題目：　 單相半橋無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì) </p><p>　　專業(yè)班級(jí)：電氣工程及其自動(dòng)化2010（專升本）班 </p><p>　　學(xué)　　號(hào)：　　 20102021012

2、8 　　　　 　</p><p>　　姓 名： </p><p>　　同 組 人： </p><p>　　指導(dǎo)教師： </p><

3、p>　　設(shè)計(jì)時(shí)間： 2011/11/13～2011/11/21 </p><p>　　設(shè)計(jì)地點(diǎn)： 電力電子室 </p><p>　　電力電子 課程設(shè)計(jì)成績(jī)?cè)u(píng)定表</p><p>　　指導(dǎo)教師簽字： </p><p>　　2011年 12 月

4、 20 日</p><p>　　《電力電子課程設(shè)計(jì)》課程設(shè)計(jì)任務(wù)書(shū)</p><p>　　2011 ～2012 學(xué)年 第1學(xué)期</p><p>　　學(xué)生姓名： 朱 勇 專業(yè)班級(jí) 電氣工程及其自動(dòng)化2010專升本 </p><p>　　指導(dǎo)教師：南光群、黃松柏 工作部門：電氣學(xué)院電氣自動(dòng)化教研室 </p><p&

5、gt;　　一、課程設(shè)計(jì)題目： </p><p>　　1. 單相橋式晶閘管整流電路設(shè)計(jì)</p><p>　　2. 三相半波晶閘管整流電路設(shè)計(jì)</p><p>　　3. 三相橋式晶閘管整流電路設(shè)計(jì)</p><p>　　4. 降壓斬波電路設(shè)計(jì)</p><p>　　5. 升壓斬波電路設(shè)計(jì)</p><p&g

6、t;　　6. 單相半橋無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)</p><p>　　7. 單相橋式無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)</p><p>　　8. 單相交流調(diào)壓電路設(shè)計(jì)</p><p>　　9. 三相橋式SPWM逆變器設(shè)計(jì)</p><p><b>　　二、課程設(shè)計(jì)內(nèi)容</b></p><p>　　1. 根據(jù)具體設(shè)計(jì)課題的技術(shù)指

7、標(biāo)和給定條件，能獨(dú)立而正確地進(jìn)行方案論證和電路設(shè)計(jì)，要求概念清楚、方案合理、方法正確、步驟完整；</p><p>　　2. 學(xué)會(huì)查閱有關(guān)參考資料和手冊(cè)，并能正確選擇有關(guān)元器件和參數(shù)；</p><p>　　3. 編寫(xiě)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)，參考畢業(yè)設(shè)計(jì)論文格式撰寫(xiě)設(shè)計(jì)報(bào)告（5000字以上）。</p><p>　　注：詳細(xì)要求和技術(shù)指標(biāo)見(jiàn)附錄。</p><p&g

8、t;<b>　　三、進(jìn)度安排</b></p><p><b>　　1．時(shí)間安排</b></p><p><b>　　2．執(zhí)行要求</b></p><p>　　電力電子課程設(shè)計(jì)共9個(gè)選題，每組不得超過(guò)6人，要求學(xué)生在教師的指導(dǎo)下，獨(dú)力完成所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)主電路、控制電路等詳細(xì)的設(shè)計(jì)（包括計(jì)算和器件選型）。嚴(yán)

9、禁抄襲，嚴(yán)禁兩篇設(shè)計(jì)報(bào)告基本相同，甚至完全一樣。</p><p><b>　　四、基本要求</b></p><p>　?。?）參考畢業(yè)設(shè)計(jì)論文要求的格式書(shū)寫(xiě)，所有的內(nèi)容一律打印；</p><p>　?。?）報(bào)告內(nèi)容包括設(shè)計(jì)過(guò)程、電路元件參數(shù)的計(jì)算、系統(tǒng)仿真結(jié)果及分析；</p><p>　?。?）要有完整的主電路原理圖和控

10、制電路原理圖；</p><p>　?。?）列出主電路所用元器件的明細(xì)表。</p><p><b>　?。?）參考文獻(xiàn)</b></p><p>　　五、課程設(shè)計(jì)考核辦法與成績(jī)?cè)u(píng)定</p><p>　　根據(jù)過(guò)程、報(bào)告、答辯等確定設(shè)計(jì)成績(jī)，成績(jī)分優(yōu)、良、中、及格、不及格五等。</p><p>　　六、課

11、程設(shè)計(jì)參考資料</p><p>　　[1] 王兆安，黃俊.電力電子技術(shù)（第四版）.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2001 </p><p>　　[2] 王文郁.電力電子技術(shù)應(yīng)用電路.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2001</p><p>　　[3] 李宏.電力電子設(shè)備用器件與集成電路應(yīng)用指南.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2001</p><p>　　[4] 石玉、

12、栗書(shū)賢、王文郁.電力電子技術(shù)題例與電路設(shè)計(jì)指導(dǎo). 北京：機(jī)械工業(yè)出版社，1999</p><p>　　[5] 趙同賀等.新型開(kāi)關(guān)電源典型電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2010</p><p>　　指導(dǎo)教師：南光群、黃松柏</p><p>　　2011年10月8日</p><p>　　教研室主任簽名：胡學(xué)芝</p><

13、;p>　　2011年10 月9日</p><p><b>　　摘要</b></p><p>　　電力電子技術(shù)的應(yīng)用已深入到國(guó)家經(jīng)濟(jì)建設(shè)，交通運(yùn)輸，空間技術(shù)，國(guó)防現(xiàn)代化，醫(yī)療，環(huán)保和人們?nèi)粘Ｉ畹母鱾€(gè)領(lǐng)域。進(jìn)入新世紀(jì)后電力電子技術(shù)的應(yīng)用更加廣泛。以計(jì)算機(jī)為核心的信息科學(xué)將是21世紀(jì)起主導(dǎo)作用的科學(xué)技術(shù)之一，有人預(yù)言，電力電子技術(shù)和運(yùn)動(dòng)控制一起，將和計(jì)算機(jī)技術(shù)共同成

14、為未來(lái)科學(xué)的兩大支柱。</p><p>　　電力電子技術(shù)是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)。具體地說(shuō)，就是使用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)行變換和控制的技術(shù)。通常把電力電子技術(shù)分為電力電子制造技術(shù)和變流技術(shù)兩個(gè)分支。</p><p>　　變流技術(shù)也稱為電力電子器件的應(yīng)用技術(shù)，它包括用電力電子器件構(gòu)成各種電力變換電路和對(duì)這些電路進(jìn)行控制的技術(shù)，以及由這些電路構(gòu)成電路電子裝置和電力電子系統(tǒng)的技術(shù)?！白兞鳌辈粌H

15、指交直流之間的交換，也包括直流變直流和交流變交流的變換。</p><p>　　如果沒(méi)有晶閘管及電力晶體管等電力電子器件，也就沒(méi)有電力電子技術(shù)，而電力電子技術(shù)主要用于電力變換。因此可以認(rèn)為，電力電子器件的制造技術(shù)是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，而變流技術(shù)則是電力電子技術(shù)的核心。電力電子器件制造技術(shù)的理論基礎(chǔ)是半導(dǎo)體物理，而變流技術(shù)的理論基礎(chǔ)是電路理論。</p><p>　　將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電路稱

16、為逆變電路，根據(jù)交流電的用途可分為有源逆變和無(wú)源逆變。</p><p>　　本課程設(shè)計(jì)主要介紹單相半橋無(wú)源逆變電路。</p><p>　　關(guān)鍵詞：整流、無(wú)源逆變、晶閘管</p><p><b>　　Abstract</b></p><p>　　The application of power electronics te

17、chnology has penetrated into the national economic construction, transportation, space technology, the modernization of national defense, medical, environmental protection and people in all areas of daily life. After ent

18、ering the new century electric power electronic technology is used more and more widely. Take the computer as the core information science will be twenty-first Century played a dominant role in the science and technology

19、 one, somebody is fat</p><p>　　The power electronic technology is applied in power electronics technology. Specifically, is the use of power electronic devices for power conversion and control technology. Us

20、ually the power electronic technology is divided into power electronics manufacturing technology and variable flow technology in the two branch.</p><p>　　Converter technology is also known as the application

21、 of power electronic devices technology, it involves the use of power electronic devices of various electric power conversion circuit and the circuit control technology, as well as by the circuit circuit, electronic devi

22、ce and power electronic systems technology. " Flow" refers not only to the exchange between the AC and DC, including DC DC and AC AC converter.</p><p>　　If there is no thyristor and power transisto

23、rs and power electronic devices, there is no power electronic technology, power electronic technology is mainly used for power converter. It can therefore be considered, the power electronic device manufacturing technolo

24、gy is the power of electronic technology foundation, and converter technology is the core of power electronic technology. Manufacture technique of power electronic device is based on the theory of semiconductor physics,

25、and converter te</p><p>　　Changing DC into AC circuit called the inverter circuit, according to current use can be divided into active and passive inverter inverter.</p><p>　　This course is desi

26、gned to introduce a single-phase half-bridge passive inverter circuit.</p><p>　　Key words: passive inverter, rectifier, thyristor</p><p><b>　　目錄</b></p><p>　　第一章 系統(tǒng)方案設(shè)計(jì)

27、1</p><p>　　1.1 系統(tǒng)方案1</p><p>　　1.2 系統(tǒng)工作原理1</p><p>　　第二章 硬件電路設(shè)計(jì)與參數(shù)計(jì)算3</p><p>　　2.1 系統(tǒng)硬件連接圖3</p><p>　　2.2 整流電路設(shè)計(jì)方案3</p><p>　　2.2.1 整流變壓器的參數(shù)運(yùn)

28、算3</p><p>　　2.2.2 整流變壓器元件選擇4</p><p>　　2.3.3 整流電路保護(hù)元件的選用5</p><p>　　2.2 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案6</p><p>　　2.2.1 IGBT驅(qū)動(dòng)器的基本驅(qū)動(dòng)性能6</p><p>　　2.2.2 驅(qū)動(dòng)電路7</p><p&

29、gt;　　2.3觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案8</p><p>　　第三章 MATLAB仿真9</p><p>　　3.1 建立仿真模型9</p><p>　　3.2 仿真結(jié)果分析10</p><p><b>　　小結(jié)11</b></p><p><b>　　參考文獻(xiàn)12</b&g

30、t;</p><p>　　附錄一：元器件清單13</p><p>　　第一章 系統(tǒng)方案設(shè)計(jì)</p><p><b>　　1.1 系統(tǒng)方案</b></p><p>　　系統(tǒng)方案如圖1.1所示，在電路原理框圖中，交流電源、整流、濾波和半橋逆變電路四個(gè)部分構(gòu)成電路的主電路，驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)電路兩部分構(gòu)成指揮主電路中逆變橋正確工

31、作的控制電路。其中，交流電源、整流、濾波三個(gè)部分的功能分別由交流變壓器、全橋整流模塊和兩個(gè)串聯(lián)的電解電容實(shí)現(xiàn);半橋逆變電路由半橋逆變和緩沖電路構(gòu)成; 而驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)電路則需要根據(jù)實(shí)驗(yàn)電路的要求進(jìn)行搭建。</p><p>　　圖1.1 電路原理圖</p><p>　　1.2 系統(tǒng)工作原理</p><p>　　圖1.2 電壓型半橋逆變電路及其電壓電流波形</p

32、><p>　　在一個(gè)周期內(nèi)，電力晶體管T1和T2的基極信號(hào)各有半周正偏，半周反偏，且互補(bǔ)。</p><p>　　若負(fù)載為阻感負(fù)載，設(shè)t2時(shí)刻以前，T1有驅(qū)動(dòng)信號(hào)導(dǎo)通，T2截止，則。</p><p>　　t2時(shí)刻關(guān)斷的T1，同時(shí)給T2發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)。由于感性負(fù)載中的電流i。不能立即改變方向，于是D2導(dǎo)通續(xù)流， 。</p><p>　　T3時(shí)刻i。降至

33、零，D2截止，T2導(dǎo)通，i。開(kāi)始反向增大，此時(shí)仍然有。</p><p>　　在t4時(shí)刻關(guān)斷T2，同時(shí)給T1發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)，由于感性負(fù)載中的電流i。不能立即改變方向，D1先導(dǎo)通續(xù)流，此時(shí)仍然有；</p><p>　　t5時(shí)刻 i。降至零， T1導(dǎo)通，。 </p><p>　　第二章 硬件電路設(shè)計(jì)與參數(shù)計(jì)算</p><p>　　2.1 系統(tǒng)硬件連

34、接圖</p><p>　　單相半橋無(wú)源逆變主電路如圖2.1所示</p><p>　　圖2.1單相半橋無(wú)源逆變主電路</p><p>　　2.2 整流電路設(shè)計(jì)方案</p><p>　　2.2.1 整流變壓器的參數(shù)運(yùn)算</p><p>　　1）變壓器二次側(cè)電壓的計(jì)算</p><p>　　是一個(gè)重要的

35、參數(shù)，選擇過(guò)低就會(huì)無(wú)法保證輸出額定電壓。選擇過(guò)大又會(huì)造成延遲角α加大，功率因數(shù)變壞，整流元件的耐壓升高，增加了裝置的成本。</p><p>　　根據(jù)設(shè)計(jì)要求，采用公式：</p><p>　　由表查得 A=2.34；取ε=0.9；α角考慮10°裕量，則 B=cosα=0.985</p><p><b>　　取=140V。</b><

36、/p><p>　　電壓比K=/=220/140=1.57。</p><p>　　2 ）一次、二次電流、的計(jì)算</p><p><b>　　由 得</b></p><p>　　考慮空載電流 取 </p><p>　　3）變壓器容量的計(jì)算</p><p>　?。?

37、 </p><p>　??； </p><p><b>　　； </b></p><p>　　2.2.2 整流變壓器元件選擇</p><p><b>　　1） 整流元件選擇</b></p><p>　

38、　二極管承受最大反向電壓，考慮三倍裕量，則，取600V。該電路整流輸出接有大電容，而且負(fù)載為純電阻性負(fù)載，所以簡(jiǎn)化計(jì)算得</p><p><b>　　取15A。</b></p><p>　　故選ZP15-6A 整流二極管4只，并配15A散熱器。</p><p>　　2） 濾波電容的選擇 </p><p>　　濾波電容一般

39、根據(jù)放電時(shí)間常數(shù)計(jì)算，負(fù)載越大，要求紋波系數(shù)越小，電容量越大。一般不作嚴(yán)格計(jì)算，多取2000以上。因該系統(tǒng)負(fù)載不大，故取=2200</p><p>　　耐壓按 取250V。</p><p>　　即選用2200、250V電容器。</p><p>　　3） IGBT的選擇</p><p>　　因，取3倍裕量，選耐壓為150以上的IGBT。由于IG

40、BT是以最大值標(biāo)注，且穩(wěn)定電流與峰值電流間大致為4倍關(guān)系，故應(yīng)選用大于4倍額定負(fù)載電流的IGBT為宜。為此選用1MBH50-090型IGBT。其續(xù)流二極管選擇與之配套的快速恢復(fù)二極管EDR60-100。Cl、C2為3300uF電解電容</p><p>　　2.3.3 整流電路保護(hù)元件的選用</p><p>　　1）變壓器二次側(cè)熔斷器選擇</p><p>　　由于變壓

41、器最大二次電流，故選用10A熔芯即可滿足要求。應(yīng)選用15A、250V熔斷器。</p><p>　　2） IGBT保護(hù)電路的選擇</p><p><b>　　電容的選擇</b></p><p>　　一般按布線電感磁場(chǎng)能量全部轉(zhuǎn)化為電場(chǎng)能能量估算。即</p><p><b>　　得</b></p&

42、gt;<p>　　這里取為電路電壓=3A ；為電感值==14.7mH; 為保證保護(hù)可靠，</p><p>　　可取稍低于IGBT耐壓值為宜，這里取200V進(jìn)行計(jì)算；??；</p><p>　　則=0.0588uF</p><p><b>　　取，耐壓300V。</b></p><p><b>　　緩

43、沖電阻的計(jì)算</b></p><p>　　要求IGBT關(guān)斷信號(hào)到來(lái)之前，將緩沖電容器所積蓄的電荷放完，以關(guān)斷信號(hào)之前放電90%為條件，其計(jì)算公式如下；</p><p><b>　　，有。</b></p><p><b>　　緩沖電路二極管</b></p><p>　　因?yàn)橛糜诟哳l電路中，

44、故應(yīng)選用快速恢復(fù)二極管，以保證IGBT導(dǎo)通時(shí)很快關(guān)斷。</p><p>　　電流額定可按IGBT通過(guò)電流的0.1試選，然后調(diào)試決定。</p><p>　　圖2.2 IGBT保護(hù)電路</p><p>　　2.2 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案</p><p>　　2.2.1 IGBT驅(qū)動(dòng)器的基本驅(qū)動(dòng)性能</p><p>　　動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)能

45、力強(qiáng)，能為IGBT柵極提供具有陡峭前后沿的驅(qū)動(dòng)脈沖。當(dāng)IGBT在硬開(kāi)關(guān)方式下工作時(shí)，會(huì)在開(kāi)通及關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生較人的損耗。這個(gè)過(guò)程越長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗越大。器件工作頻率較高時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)大大超過(guò)IGBT通態(tài)損耗，造成管芯溫升較高。這種情況會(huì)大大限制IGBT的開(kāi)關(guān)頻率和輸出能力，同時(shí)對(duì)IGBT的安全工作構(gòu)成很大威脅。IGBT的開(kāi)關(guān)速度與其柵極控制信號(hào)的變化速度密切相關(guān)。IGBT的柵源特性顯非線性電容性質(zhì)，因此驅(qū)動(dòng)器須具有足夠的瞬時(shí)電流吞吐能力，才

46、能使IGBT柵源電壓建立或消失得足夠快，從而使開(kāi)關(guān)損耗降至較低的水平。另一方面，驅(qū)動(dòng)器內(nèi)阻也小能過(guò)小，以免驅(qū)動(dòng)回路的雜散電感與柵極電容形成欠阻尼振蕩。同時(shí)，過(guò)短的開(kāi)關(guān)時(shí)間也會(huì)造成回路過(guò)高的電流尖峰，這既對(duì)主回路安全不利，也容易在控制電路中造成干擾。</p><p>　　能向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艠O。IGBT導(dǎo)通肝的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在集射電流一定的情況下，Vge越高，Vce越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這

47、有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是，Vge井非越高越好，Vge過(guò)大，負(fù)載短路時(shí)Ic增大，IL．BT能承受短路電流的時(shí)間減少，對(duì)安全不利，一但發(fā)生過(guò)流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。因此，在有短路程的設(shè)備中Vge應(yīng)選小些，一般選12～15V。</p><p>　　在關(guān)斷過(guò)程中，為盡快抽取PNP管中的存儲(chǔ)電荷，能向IGBT提供足夠的反向柵壓?？紤]到在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的

48、工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管了的功耗，重則將使裂變電路處于短路直通狀態(tài)，因此，最好給應(yīng)處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(5～15V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開(kāi)關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。</p><p>　　有足夠的輸入輸出電隔離能力。在許多設(shè)備中，IGBT與工頻電網(wǎng)有直接電聯(lián)系，而控制電路一般不希望如此。另外，許多電路中的IGBT的工作電位差別很大，

49、也不允許控制電路與其直接藕合。因此驅(qū)動(dòng)器具有電隔離能力可以保證設(shè)備的正常工作，也有利于維修調(diào)試人員的人身安全。但這種電隔離不應(yīng)影響驅(qū)動(dòng)信譬的正常傳輸。</p><p>　　具有柵壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極眼電壓一般為±20V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。</p><p>　　輸入輸出信號(hào)傳輸無(wú)延時(shí)。這小儀能夠減少系統(tǒng)響應(yīng)滯后，而且能提高保護(hù)的快速性。<

50、;/p><p>　　電感負(fù)載下，IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間不能過(guò)分短，以限制di／dt所形成的尖峰電壓，保證IGBT的安全。</p><p>　　2.2.2 驅(qū)動(dòng)電路</p><p>　　IGBT的驅(qū)動(dòng)電路如圖4，此IGBT門極驅(qū)動(dòng)電路采用了光耦合器使信號(hào)電路與門極驅(qū)動(dòng)電路相隔離。當(dāng)光電耦合器導(dǎo)通時(shí)，V截止，IGBT導(dǎo)通。光電耦合器截止，V導(dǎo)通，導(dǎo)通，IGBT截止。</p

51、><p>　　圖2.3 IGBT驅(qū)動(dòng)電路圖</p><p>　　2.3觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案</p><p>　　控制電路需要實(shí)現(xiàn)的功能是產(chǎn)生PWM信號(hào)，用于可控制電路中主功率器件的通斷，通過(guò)對(duì)占空比α的調(diào)節(jié)，達(dá)到控制輸出電壓大小的目的。此外，控制電路還具有一定的保護(hù)功能。</p><p>　　被實(shí)驗(yàn)裝置的控制電路采用控制芯片SG3525為核心組成。芯

52、片的輸入電壓為8V到35V。它的振蕩頻率可在100HZ到500KHZ的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。在芯片的CT端和放電端間串聯(lián)一個(gè)電阻可以在較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間。此外此外，其軟起動(dòng)電路非常容易設(shè)計(jì)，只需外部接一個(gè)軟起動(dòng)電容即可。</p><p>　　圖2.4 觸發(fā)電路圖</p><p>　　第三章 MATLAB仿真</p><p>　　MATLAB軟件語(yǔ)言系統(tǒng)是當(dāng)今流行的第四代計(jì)

53、算機(jī)語(yǔ)言，由于它在科學(xué)計(jì)算、數(shù)據(jù)分析、系統(tǒng)建模與仿真、圖形圖像處理等不同領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用以及自身的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，目前MATLAB受到個(gè)研究領(lǐng)域的推崇和關(guān)注。</p><p>　　本文也采用MATLAB軟件對(duì)研究結(jié)果經(jīng)行仿真，以驗(yàn)證結(jié)果是否正確。</p><p>　　3.1 建立仿真模型</p><p>　　建立仿真模型的步驟：</p><p>　　

54、① 建立主電路的仿真模型</p><p><b>　?、?構(gòu)造控制部分</b></p><p>　　③ 完成波形觀測(cè)及分析部分</p><p>　　最終完成仿真模型如圖7所示：</p><p>　　圖3.1 單相半橋無(wú)源逆變電路仿真模型</p><p>　　3.2 仿真結(jié)果分析</p>

55、<p>　　將仿真時(shí)間設(shè)為0.00s，選擇ode113的仿真算法，將絕對(duì)誤差設(shè)為1e-5，運(yùn)行后可得仿真結(jié)果。</p><p>　　如圖8所示自上而下分別為逆變器輸出的交流電壓、電流和直流側(cè)電流波形。交流電壓為100V的方波電壓，周期與驅(qū)動(dòng)信號(hào)同為1kHz。由于負(fù)載為純電阻負(fù)載，則直流電流無(wú)波動(dòng)。</p><p>　　圖3.2 單相半橋無(wú)源逆變電路仿真波形</p>

56、<p><b>　　小結(jié)</b></p><p>　　通過(guò)此次課程設(shè)計(jì)，使我更加扎實(shí)的掌握了有關(guān)電力電子方面的知識(shí)，在設(shè)計(jì)過(guò)程中雖然遇到了一些問(wèn)題，但經(jīng)過(guò)一次又一次的思考，一遍又一遍的檢查終于找出了原因所在，也暴露出了前期我在這方面的知識(shí)欠缺和經(jīng)驗(yàn)不足。實(shí)踐出真知，通過(guò)親自動(dòng)手制作，使我們掌握的知識(shí)不再是紙上談兵。 過(guò)而能改，善莫大焉。在課程設(shè)計(jì)過(guò)程中，我們不斷發(fā)現(xiàn)錯(cuò)

57、誤，不斷改正，不斷領(lǐng)悟，不斷獲取。最終的檢測(cè)調(diào)試環(huán)節(jié)，本身就是在踐行“過(guò)而能改，善莫大焉”的知行觀。這次課程設(shè)計(jì)終于順利完成了，在設(shè)計(jì)中遇到了很多問(wèn)題，最后在老師的指導(dǎo)下，終于游逆而解。在今后社會(huì)的發(fā)展和學(xué)習(xí)實(shí)踐過(guò)程中，一定要不懈努力，不能遇到問(wèn)題就想到要退縮，一定要不厭其煩的發(fā)現(xiàn)問(wèn)題所在，然后一一進(jìn)行解決，只有這樣，才能成功的做成想做的事，才能在今后的道路上劈荊斬棘，而不是知難而退，那樣永遠(yuǎn)不可能收獲成功，收獲喜悅，也永遠(yuǎn)不可能得到社

58、會(huì)及他人對(duì)你的認(rèn)可！ 實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，也對(duì)團(tuán)隊(duì)精神的進(jìn)行了考察，讓我們?cè)诤献髌饋?lái)更加默契，在成功后一起體會(huì)喜悅的心情。果然是團(tuán)結(jié)就是力量，只有互相之間默契融洽的配合才能換來(lái)最終完美的結(jié)果。 此次設(shè)計(jì)也讓我明白了思路即出路，</p><p><b>　　參考文獻(xiàn)</b></p><p>　?。?］王兆安，劉進(jìn)軍，電力電子技術(shù)，機(jī)械工業(yè)出版社，2009.5&l

59、t;/p><p>　　［2］王興貴，陳偉，現(xiàn)代電力電子技術(shù)（M）, 機(jī)械工業(yè)出版社2010</p><p>　?。?］電力電子技術(shù)計(jì)算機(jī)仿真實(shí)驗(yàn)（M），機(jī)械工業(yè)出版社2006</p><p>　?。?］李維波，MATLAB在電氣工程中的應(yīng)用，中國(guó)電力出版社，2007</p><p>　?。?］湯才剛，朱紅濤，李莉，陳國(guó)橋，基于PWM的逆變電路分析

60、，《現(xiàn)代電子技術(shù)》2008年第1期總第264期。</p><p>　?。?］王文郁.電力電子技術(shù)應(yīng)用電路.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2001</p><p>　?。?］ 李宏.電力電子設(shè)備用器件與集成電路應(yīng)用指南.北京：機(jī)械工業(yè)出版社，2001</p><p>　?。?］ 石玉、栗書(shū)賢、王文郁.電力電子技術(shù)題例與電路設(shè)計(jì)指導(dǎo). 北京：機(jī)械工業(yè)出版社，1999</p