芯片命名規(guī)則

1、芯片芯片命名規(guī)則命名規(guī)則(2008032610:09:21)轉(zhuǎn)載標(biāo)簽：雜談一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分的意義分別如下：第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2二極管、3三極管第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：AN型鍺材料、BP型鍺材料、CN型硅材料、DP型硅材料。表示三極管

2、時(shí)：APNP型鍺材料、BNPN型鍺材料、CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P普通管、V微波管、W穩(wěn)壓管、C參量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、N阻尼管、U光電器件、K開(kāi)關(guān)管、X低頻小功率管(f3MHzPc1W)、A高頻大功率管(f3MHzPc1W)、T半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y體效應(yīng)器件、B雪崩管、J階躍恢復(fù)管、CS場(chǎng)效應(yīng)管、BT半導(dǎo)體特殊器件、FH復(fù)合管、PINPIN型管、JG激光

3、器件。第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)越是近期產(chǎn)品。第五部分：用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。三、美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：第一部分：用符號(hào)表示器件用途的類(lèi)型。JAN軍級(jí)、JANTX特軍級(jí)、JANTXV超特軍級(jí)、JANS宇航級(jí)、無(wú)非軍用品。第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1二極管、2=三極管、3

4、三個(gè)pn結(jié)器件、nn個(gè)pn結(jié)器件。第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志。N該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)登記。第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄同一型號(hào)器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管JAN軍級(jí)、2三極管、NEIA注冊(cè)標(biāo)志、3251EIA登記順序號(hào)、A2N3251A檔。四、國(guó)際電子