電工電子技術(shù)第二版每章檢測題習題解析

1、1第6章檢測題檢測題（共100分，120分鐘）一、填空題：一、填空題：（每空0.5分，共25分）1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為空穴，不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴，少數(shù)載流子為自由電子，不能移動的雜質(zhì)離子帶負電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由基區(qū)、發(fā)射區(qū)、集電區(qū)及發(fā)射結(jié)和集電結(jié)組成的。三極

2、管對外引出電極分別是基極、發(fā)射極和集電極。3、PN結(jié)正向偏置時，外電場的方向與內(nèi)電場的方向相反，有利于多數(shù)載流子的擴散運動而不利于少子的漂移；PN結(jié)反向偏置時，外電場的方向與內(nèi)電場的方向相同，有利于少子的漂移運動而不利于多子的擴散，這種情況下的電流稱為反向飽和電流。4、PN結(jié)形成的過程中，P型半導體中的多數(shù)載流子空穴向N區(qū)進行擴散，N型半導體中的多數(shù)載流子自由電子向P區(qū)進行擴散。擴散的結(jié)果使它們的交界處建立起一個空間電荷區(qū)，其方向由N區(qū)

3、指向P區(qū)?？臻g電荷區(qū)的建立，對多數(shù)載流子的擴散運動起削弱作用，對少子的漂移運動起增強作用，當這兩種運動達到動態(tài)平衡時，PN結(jié)形成。5、檢測二極管極性時，需用萬用表歐姆擋的R1K檔位，當檢測時表針偏轉(zhuǎn)度較大時，則紅表棒接觸的電極是二極管的陰極；黑表棒接觸的電極是二極管的陽極。檢測二極管好壞時，兩表棒位置調(diào)換前后萬用表指針偏轉(zhuǎn)都很大時，說明二極管已經(jīng)被擊穿損壞；兩表棒位置調(diào)換前后萬用表指針偏轉(zhuǎn)都很小時，說明該二極管已經(jīng)絕緣老化不通。6、單極

4、型晶體管又稱為MOS管。其導電溝道分有N溝道和P溝道。7、穩(wěn)壓管是一種特殊物質(zhì)制造的面接觸型硅晶體二極管，正常工作應在特性曲線的反向擊穿區(qū)。8、MOS管在不使用時應避免柵極懸空，務必將各電極短接。二、判斷正誤：二、判斷正誤：（每小題1分，共10分）1、P型半導體中不能移動的雜質(zhì)離子帶負電，說明P型半導體呈負電性。（錯）2、自由電子載流子填補空穴的“復合”運動產(chǎn)生空穴載流子。（錯）3、用萬用表測試晶體管時，選擇歐姆檔R10K檔位。（錯）3

5、四、簡述題：四、簡述題：（每小題4分，共28分）1、N型半導體中的多子是帶負電的自由電子載流子，P型半導體中的多子是帶正電的空穴載流子，因此說N型半導體帶負電，P型半導體帶正電。上述說法對嗎？為什么？答：這種說法是錯誤的。因為，晶體在摻入雜質(zhì)后，只是共價鍵上多出了電子或少了電子，從而獲得了N型半導體或P型半導體，但整塊晶體中既沒有失電子也沒有得電子，所以仍呈電中性。2、某人用測電位的方法測出晶體管三個管腳的對地電位分別為管腳①12V、管

6、腳②3V、管腳③3.7V，試判斷管子的類型以及各管腳所屬電極。答：管腳③和管腳②電壓相差0.7V，顯然一個硅管，是基極，一個是發(fā)射極，而管腳①比管腳②和③的電位都高，所以一定是一個NPN型硅管。再根據(jù)管子在放大時的原則可判斷出管腳②是發(fā)射極，管腳③是基極，管腳①是集電極。3、圖623所示電路中，已知E=5V，V，二極管為理想元件（即認tu?sin10i?為正向?qū)〞r電阻R=0，反向阻斷時電阻R=∞），試畫出u0的波形。答：分析：根據(jù)電路

7、可知，當uiE時，二極管導通u0=ui，當uiE時，二極管截止時，u0=E。所以u0的波形圖如下圖所示：4、半導體和金屬導體的導電機理有什么不同？單極型和雙極型晶體管的導電情況又有何不同？答：金屬導體中只有自由電子一種載流子參與導電，而半導體中則存在空穴載流子和自由電子兩種載流子，它們同時參與導電，這就是金屬導體和半導體導電機理上的本質(zhì)不同點。單極型晶體管內(nèi)部只有多數(shù)載流子參與導電，因此和雙極型晶體管中同時有兩種載流子參與導電也是不同的