15 變?nèi)荻O管調(diào)頻實(shí)驗(yàn)

1、0變?nèi)荻O管調(diào)頻實(shí)驗(yàn)一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握變?nèi)荻O管調(diào)頻電路的原理。2.了解調(diào)頻調(diào)制特性及測(cè)量方法。3.觀察寄生調(diào)幅現(xiàn)象，了解其產(chǎn)生及消除的方法。二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.測(cè)試變?nèi)荻O管的靜態(tài)調(diào)制特性。2.觀察調(diào)頻波波形。3.觀察調(diào)制信號(hào)振幅時(shí)對(duì)頻偏的影響。4.觀察寄生調(diào)幅現(xiàn)象。三、實(shí)驗(yàn)原理及電路1.變?nèi)荻O管工作原理調(diào)頻即為載波的瞬時(shí)頻率受調(diào)制信號(hào)的控制。其頻率的變化量與調(diào)制信號(hào)成線性關(guān)系。常用變?nèi)荻O管實(shí)現(xiàn)調(diào)頻。變?nèi)荻O管調(diào)頻電路如圖131所示

2、。從J2處加入調(diào)制信號(hào)，使變?nèi)荻O管的瞬時(shí)反向偏置電壓在靜12J1J2R310KR710KR83.3KR410KR22KR101KR118.2KC5104C21104C1047pC927pC310pC15102C14104L222uHQ33DG6Q23DG6RA1100KC1104C20470pCRY14.19MCC1525pC4104R122K12VPOWER112C810pTH1TH2D1BB149LED1LEDE110UF16VC

3、2210412TP2TP3TP6TP7TP1TP4TP5W120KW25kR110KR610KQ13DG6C7104R55101243S11243S2C13100pD2BB149R910KL122uHC23102C2104C6560pT1R133.3KR14510C11104圖131變?nèi)荻O管調(diào)頻2u的關(guān)系趨于線性（見(jiàn)圖（c））。2.變?nèi)荻O管調(diào)頻器獲得線性調(diào)制的條件設(shè)回路電感為L(zhǎng)，回路的電容是變?nèi)荻O管的電容C（暫時(shí)不考慮雜散電容及其

4、它與變?nèi)荻O管相串聯(lián)或并聯(lián)電容的影響），則振蕩頻率為。為了獲得線性調(diào)制，頻率振蕩應(yīng)該與調(diào)制電壓LCf?21?成線性關(guān)系，用數(shù)學(xué)表示為，式中A是一個(gè)常數(shù)。由以上二式可得，將上式兩Auf?LCAu?21?邊平方并移項(xiàng)可得，這即是變?nèi)荻O管調(diào)頻器獲得線性調(diào)制的條件。這就是2222)2(1???BuuLAC?說(shuō)，當(dāng)電容C與電壓u的平方成反比時(shí)，振蕩頻率就與調(diào)制電壓成正比。3.調(diào)頻靈敏度調(diào)頻靈敏度定義為每單位調(diào)制電壓所產(chǎn)生的頻偏。fS設(shè)回路電容的

5、Cu曲線可表示為，式中B為一管子結(jié)構(gòu)即電路串、并固定電容有關(guān)的參nBuC??數(shù)。將上式代入振蕩頻率的表示式中，可得LCf?21?LBufn?22?調(diào)制靈敏度LBnuufSnf?412?????當(dāng)n＝2時(shí)LBSf?21?設(shè)變?nèi)荻O管在調(diào)制電壓為零時(shí)的直流電壓為U0相應(yīng)的回路電容量為C0振蕩頻率為，就有：0021LCf??200??BUCLBUf?200?則有00UfSf?上式表明，在n＝2的條件下，調(diào)制靈敏度與調(diào)制電壓無(wú)關(guān)（這就是線性調(diào)制

6、的條件），而與中心振蕩頻率成正比，與變?nèi)荻O管的直流偏壓成反比。后者給我們一個(gè)啟示，為了提高調(diào)制靈敏度，在不影響線性的條件下，直流偏壓應(yīng)該盡可能低些，當(dāng)某一變?nèi)荻O管能使總電容Cu特性曲線的n＝2的直線段愈靠近偏壓小的區(qū)域時(shí)，那么，采用該變?nèi)荻O管所能得到的調(diào)制靈敏度就愈高。當(dāng)我們采用串和并聯(lián)固定電容以及控制高頻振蕩電壓等方法來(lái)獲得Cu特性n＝2的線性段時(shí)，如果能使該線性段盡可能移向電壓低的區(qū)域，那么對(duì)提高調(diào)制靈敏度是有利的。由可以看出