材料科學(xué)基礎(chǔ) 復(fù)習(xí)題

1、緒論一、填空題1、材料科學(xué)主要研究的核心問題是結(jié)構(gòu)和性能的關(guān)系。材料的結(jié)構(gòu)是理解和控制性能的中心環(huán)節(jié)，結(jié)構(gòu)的最微細水平是原子結(jié)構(gòu)，第二個水平是原子排列方式，第三個水平是顯微組織。2.根據(jù)材料的性能特點和用途，材料分為結(jié)構(gòu)材料和功能材料兩大類。根據(jù)原子之間的鍵合特點，材料分為金屬、陶瓷、高分子和復(fù)合材料四大類。第一章材料的原子結(jié)構(gòu)一、填空題1.金屬材料中原子結(jié)合以金屬鍵為主，陶瓷材料（無機非金屬材料）以共價鍵和離子鍵結(jié)合鍵為主，聚合物材料

2、以共價鍵和氫鍵以及范德華鍵為主。第二章材料的結(jié)構(gòu)一、填空題1、晶體是基元（原子團）以周期性重復(fù)方式在三維空間作有規(guī)則的排列的固體。2、晶體與非晶體的最根本區(qū)別是晶體原子排布長程有序，而非晶體是長程無序短程有序。3、晶胞是晶體結(jié)構(gòu)中的最小單位。4、根據(jù)晶體的對稱性，晶系有三大晶族，七大晶系，十四種布拉菲Bravais點陣，三十二種點群，230種空間群。5、金屬常見的晶格類型有體心立方、面心立方、密排六方。6、fcc晶體的最密排方向為，最密

3、排面為111，最密排面的堆垛順序為ABCABCABCABC……。7、fcc晶體的致密度為0.74，配位數(shù)為12，原子在（111）面上的原子配位數(shù)為6。8、bcc晶體的最密排方向為，最密排面為110，致密度為0.68，配位數(shù)為8。9、晶體的宏觀對稱要素有對稱點、對稱軸、對稱面。10、CsCl型結(jié)構(gòu)屬于簡單立方格子，NaCl型結(jié)構(gòu)屬于面心立方格子，CaF2型結(jié)構(gòu)屬于面心立方格子。第三章晶體結(jié)構(gòu)缺陷一、填空題1、按幾何組態(tài)，晶體中的缺陷分為點

4、缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷。2、點缺陷主要包括空位、間隙原子、置換原子；線缺陷有位錯；面缺陷包括晶界、相界、表面等。3、描述位錯性質(zhì)及特征的是柏氏矢量b。4、位錯的類型有刃位錯、螺位錯和混合位錯。5、位錯線與柏氏矢量垂直的位錯為刃位錯，位錯線與柏氏矢量平行的位錯稱為螺位錯。6、位錯的基本運動方式有滑移和攀移。7、刃位錯可以滑移和攀移，螺位錯可以滑移而不攀移，能進行交滑移的位錯必然是螺位錯。8、位錯滑移一般沿著晶體的密排（面）和密排（方

5、向）進行。9、柏氏矢量實際上反應(yīng)了位錯線周圍區(qū)域晶格畸變的大小和方向。10、兩平行同號螺位錯間的作用力為斥力。11、全位錯是柏氏矢量等于點陣矢量的位錯；不全位錯是柏氏矢量不等于點陣矢量的位錯。12、面心立方晶體的不全位錯類型主要有Shockley不全位錯和Franker不全位錯，柏氏矢量分別為b=a6，b=a3。只能發(fā)生攀移運動的位錯是Franker不全位錯。13、位錯間轉(zhuǎn)化（位錯反應(yīng)）要滿足的條件有幾何條件：柏氏矢量守恒和能量條件：反