基于android的msnv7.0手機客戶端的設(shè)計與實現(xiàn)

1、上海交通大學(xué)博士學(xué)位論文金剛石薄膜的n型摻雜--分子動力學(xué)模擬和實驗研究姓名：胡曉君申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：何賢昶;蔡珣20031101摘 要 II和磷離子 研究了摻雜后薄膜的退火特性 結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能 結(jié)果表明 較低的注入劑量對于獲得損傷較少的 n 型金剛石薄膜是有利的 對于較低注入劑量的樣品 Hall 效應(yīng)測試表明 800退火后的硼磷共摻雜薄膜呈 n 型電導(dǎo) 在注入的磷離子劑量相同的情況下 同時注入了硼的金剛石薄

2、膜的載流子濃度與單一摻磷的相近 Hall 遷移率高 電阻率低 SIMS 和 FTIR 結(jié)果表明金剛石薄膜中的硼與氫形成 B-H 復(fù)合體 鈍化了硼的受主特性 使得共摻雜薄膜中電子濃度沒有大幅度減少 電子順磁共振和 Raman 測試結(jié)果證實在較高溫度下退火后 共摻雜薄膜的晶格結(jié)構(gòu)比單摻雜薄膜得到了更好的恢復(fù) 從而有利于提高載流子遷移率 降低電阻率在本征 CVD 金剛石薄膜中注入硫離子和共注入硫磷離子 研究施主雜質(zhì)對對金剛石結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影

3、響 Hall 效應(yīng)測試表明各摻雜薄膜的 Hall 系數(shù)多為負值 Hall 遷移率比硼磷共注入的大 EPR 和電學(xué)測試的結(jié)果表明 硫磷共注入相比較硼磷共注入來說 在金剛石中引入的晶格畸變更大 并且導(dǎo)電類型不易確認 說明在本文研究的范圍下 施主雜質(zhì)對不易得到低電阻率的n 型金剛石薄膜氧是可望得到n型金剛石的雜質(zhì)元素 本文用離子注入方法對金剛石中的氧摻雜進行了研究氧離子注入劑量為 1014 cm- 2和 1015cm- 2 時 得到了電阻率

4、較低 晶格也比較完整的 n 型金剛石薄膜 隨氧離子注入劑量的增大 載流子濃度也升高 說明氧確實能夠給金剛石中提供電子 是施主雜質(zhì) 測試得到了 Hall 遷移率和載流子濃度與溫度的關(guān)系 這方面的結(jié)果還未見有文獻報道通過載流子濃度與溫度的變化關(guān)系得到了氧在金剛石中的激活能為 0.28eV采用微波 CVD 方法制備了硫摻雜和硼硫共摻雜金剛石薄膜 PIXE 測試表明硼硫共摻雜能夠提高硫在金剛石中的溶解度 摻雜薄膜的導(dǎo)電類型為 n 型 電阻率為

5、0.0263Ùcm 載流子濃度為1.96×1017cm- 3 Hall 遷移率為 1.21×103 cm2 V- 1s- 1 得到了電阻率較文獻報道值更低 Hall 遷移率更高的摻硫膜 較低的電阻率可能是摻入的硫雜質(zhì)和薄膜中存在 sp2 鍵等多種因素共同作用的結(jié)果關(guān)鍵詞 金剛石薄膜 n 型 共摻雜 電阻率 分子動力學(xué) 本研究受到國家自然科學(xué)基金項目 共摻雜 n 型同質(zhì)外延 CVD 金剛石膜的制備和性能研