隨機(jī)橫向單軸與雙軸晶場(chǎng)Ising模型的臨界性質(zhì)和磁化.pdf

1、本文在有效場(chǎng)理論和切斷近似框架內(nèi)，研究自旋S=1的隨機(jī)橫向單軸與雙軸晶場(chǎng)Ising模型的臨界性質(zhì)和磁化。 首先分別選擇二維方格子及三維簡(jiǎn)立方格子，研究橫向隨機(jī)晶場(chǎng)：Ising模型的相圖和磁化行為，重點(diǎn)是橫向隨機(jī)晶場(chǎng)濃度和晶場(chǎng)比率對(duì)相圖和磁化的影響。給出了T-D<,x>空間的相圖和m-T空間的磁化圖。在晶場(chǎng)稀疏情況下，負(fù)晶場(chǎng)方向存在臨界溫度的峰值，正方向可出現(xiàn)重入現(xiàn)象。晶場(chǎng)比率取+0.5和-0.5時(shí)，磁有序相范圍縮小，特別是晶場(chǎng)比

2、率取-0.5時(shí)，隨晶場(chǎng)濃度的降低，臨界溫度峰值從橫向晶場(chǎng)負(fù)方向渡越到正方向。固定某一負(fù)晶場(chǎng)值，不同晶場(chǎng)比率的磁化行為有明顯差異。同時(shí)高溫和低溫下的磁化也存在許多差異。 其次，研究了對(duì)于簡(jiǎn)立方晶格，縱向及橫向雙軸晶場(chǎng)Ising模型的臨界性質(zhì)。僅稀疏橫向晶場(chǎng)時(shí)，討論了T-D<,x>和T-D<,z>空間的三臨界點(diǎn)和它的軌跡。在T-D<,x>空間內(nèi)發(fā)現(xiàn)了兩個(gè)三臨界點(diǎn)的新現(xiàn)象。一條二級(jí)相變線存在于兩條一級(jí)相變線之間，由兩個(gè)三臨界點(diǎn)隔開。稀

3、疏濃度的變化導(dǎo)致了三臨界點(diǎn)軌跡的一個(gè)復(fù)雜的關(guān)聯(lián)。改變縱向晶場(chǎng)，基態(tài)出現(xiàn)簡(jiǎn)并。在T-D<,z>空間內(nèi)，隨著橫向晶場(chǎng)濃度的降低，標(biāo)正(負(fù))D<,x>/J值的相變線的有序相范圍變大(小)。同時(shí)在T-D，空間同時(shí)稀疏時(shí)縱向晶場(chǎng)和橫向晶場(chǎng)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)橫向晶場(chǎng)濃度減小時(shí)，三臨界點(diǎn)能夠存在的縱向晶場(chǎng)濃度范圍也將減小。在此情況下，正負(fù)方向橫向晶場(chǎng)作用下系統(tǒng)的臨界行為有所不同：當(dāng)橫向晶場(chǎng)取正方向時(shí)，在一定縱向晶場(chǎng)稀疏濃度范圍內(nèi)出現(xiàn)雙三臨界點(diǎn)；而橫向晶場(chǎng)取負(fù)方