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  • <em>p</em><em>型</em>及<em>n</em><em>型</em>半導(dǎo)體三價(jià)元素磷、砷、銻。9

    <em>p</em><em>型</em>及<em>n</em><em>型</em>半導(dǎo)體三價(jià)元素磷、砷、銻。 pn半導(dǎo)體三價(jià)元素磷、砷、銻。(9頁)

    1單元221P型及N型半導(dǎo)體單元總結(jié)半導(dǎo)體載子流動(dòng)形成電子流,當(dāng)電壓上升半導(dǎo)體電子流動(dòng)加速。2211電子流(動(dòng)畫)221P型及N型半導(dǎo)體2元件連結(jié)排列規(guī)則電子流與電洞流電流方向相反。3元件連結(jié)2212電洞流(動(dòng)畫)221P型及N型半導(dǎo)體三價(jià)原子原子核及價(jià)電層除外之各內(nèi)部電...

    下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2023-07-19 / 19人氣

  • Al-<em>N</em>共摻法生長<em>p</em><em>型</em>ZnO及ZnO同質(zhì)<em>p</em>-<em>n</em>結(jié)的制備.pdf97

    Al-<em>N</em>共摻法生長<em>p</em><em>型</em>ZnO及ZnO同質(zhì)<em>p</em>-<em>n</em>結(jié)的制備.pdf Al-N共摻法生長pZnO及ZnO同質(zhì)p-n結(jié)的制備.pdf(97頁)

    ZNO是一種直接寬禁帶半導(dǎo)體光電材料室溫禁帶寬度為337EV自由激子結(jié)合能高達(dá)60MEV遠(yuǎn)大于GAN的25MEV和ZNSE的22MEV。ZNO薄膜制備溫度低價(jià)格低廉可以用塊體ZNO作為襯底而且抗射線輻射性好這些優(yōu)點(diǎn)使得ZNO成為一種極具發(fā)展和應(yīng)用潛力的半導(dǎo)體材料有望在不久的將來取代ⅢⅤ...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 南街遺址 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 8人氣

  • Ga-<em>N</em>共摻<em>p</em><em>型</em>ZnMgO薄膜的研究.pdf38

    Ga-<em>N</em>共摻<em>p</em><em>型</em>ZnMgO薄膜的研究.pdf Ga-N共摻pZnMgO薄膜的研究.pdf(38頁)

    ZNO是ⅡⅥ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。在室溫下,ZNO的禁帶寬度為337EV,激子結(jié)合能高達(dá)60MEV。MG摻入ZNO薄膜形成的ZNMGO薄膜的禁帶寬度,隨著MG摻入量的不同,會(huì)在3378EV范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào),顯示出ZNMGO在紫外波段光電器件方面廣闊的應(yīng)用前景。ZNMGO應(yīng)用于ZNMGOZNO異質(zhì)結(jié)、超...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 吻我的脈絡(luò) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-12 / 11人氣

  • <em>p</em>&#224;mǐěrɡāoyu&#<em>225</em>;<em>n</em>  <em>n</em>&#243;<em>n</em>ɡzhuā<em>n</em>ɡd&#224;nmǒ t&#<em>225</em>;o c&#237;  wū jǐ  shu3

    <em>p</em>&#224;mǐěrɡāoyu&#<em>225</em>;<em>n</em>  <em>n</em>&#243;<em>n</em>ɡzhuā<em>n</em>ɡd&#224;nmǒ t&#<em>225</em>;o c&#237;  wū jǐ  shu p&#224;mǐěrɡāoyu&#225;n n&#243;nɡzhuānɡd&#224;nmǒ t&#225;o c&#237; wū jǐ shu(3頁)

    PMǐěRɡāOYUNNNɡZHUāNɡDNMǒTOCWūJǐSHUɡUǒKāITUNY()()()()()()()ZHJūNKāNɡKǎIJīNɡHNɡXNɡBDOFēNɡFāNBKōNɡWSHǒUYōULǜ()()()()()()SHURULDPZILINDāOXIāOBāNɡYǒNɡCHNɡLUYNɡZHOɡU()()()()()()...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-07 / 3人氣

  • 直流磁控濺射制備In-<em>N</em>共摻<em>p</em><em>型</em>ZnO薄膜.pdf60

    直流磁控濺射制備In-<em>N</em>共摻<em>p</em><em>型</em>ZnO薄膜.pdf 直流磁控濺射制備In-N共摻pZnO薄膜.pdf(60頁)

    ZNO作為一種新型半導(dǎo)體材料,在短波發(fā)光二極管LEDS、短波激光器LDS和紫外探測器領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景,和已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化的GAN材料相比,ZNO具有一系列優(yōu)點(diǎn)1自由激子束縛能高達(dá)60MEV,遠(yuǎn)高于GAN的24MEV,這樣ZNO在室溫下就可以產(chǎn)生激子發(fā)射;2ZNO的制備溫度遠(yuǎn)低于GA...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: beloved意中人 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 7人氣

  • <em>N</em>摻雜<em>p</em><em>型</em>ZnO材料的制備及其光電性能研究.pdf72

    <em>N</em>摻雜<em>p</em><em>型</em>ZnO材料的制備及其光電性能研究.pdf N摻雜pZnO材料的制備及其光電性能研究.pdf(72頁)

    ZNO(氧化鋅)是一種新型的在光電探測領(lǐng)域具有很大潛力的直接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為337EV,計(jì)算可知其對應(yīng)波長在近紫外區(qū)域,可見光波段透明。具有抗輻射性能優(yōu)秀、熱穩(wěn)定性能好、無毒無污染、原料豐富、禁帶寬度可調(diào)等諸多優(yōu)點(diǎn),目前來說,雖然國際范圍內(nèi)的研...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 罪愛 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-06 / 4人氣

  • <em>P</em><em>型</em>ZnO薄膜及其<em>p</em>-<em>n</em>結(jié)的制備與性能的研究.pdf115
  • <em>P</em>-<em>N</em>-<em>P</em>-<em>N</em>-S<em>型</em>離子液體極壓抗磨添加劑的合成及其摩擦學(xué)研究.pdf89

    <em>P</em>-<em>N</em>-<em>P</em>-<em>N</em>-S<em>型</em>離子液體極壓抗磨添加劑的合成及其摩擦學(xué)研究.pdf P-N-P-N-S離子液體極壓抗磨添加劑的合成及其摩擦學(xué)研究.pdf(89頁)

    潤滑材料在人類生活和生產(chǎn)中是不可或缺的。隨著人類的環(huán)境保護(hù)意識(shí)不斷加強(qiáng),人們對于潤滑油提出了越來越嚴(yán)格的要求。本文合成了一系列共四種PNPNS型離子液體極壓抗磨劑,考察了其油溶性、熱穩(wěn)定性及抗腐蝕性。本文以合成油PAO為基礎(chǔ)油,利用四球摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)考察...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 熱情收斂 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-05 / 3人氣

  • <em>p</em><em>型</em>導(dǎo)電ZnO:(Al,<em>N</em>,H)薄膜的制備及性能研究.pdf74

    <em>p</em><em>型</em>導(dǎo)電ZnO:(Al,<em>N</em>,H)薄膜的制備及性能研究.pdf p導(dǎo)電ZnO:(Al,N,H)薄膜的制備及性能研究.pdf(74頁)

    ZNO是一種新型的ⅡⅥ族寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,由于ZNO具有很高的激子束縛能室溫下為60MEV,激子增益可達(dá)到300CM1,是一種可能的短波長發(fā)光器件材料,在LEDS、LDS等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景。通過摻入AL、GA等施主雜質(zhì)可形成性能優(yōu)異的NZNO材料,但PZNO材料的制備卻較...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 辭南雁 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 10人氣

  • 銻摻雜<em>p</em><em>型</em>ZnO納米陣列-<em>n</em><em>型</em>GaN薄膜異質(zhì)結(jié)暖白光LED研究.pdf55

    銻摻雜<em>p</em><em>型</em>ZnO納米陣列-<em>n</em><em>型</em>GaN薄膜異質(zhì)結(jié)暖白光LED研究.pdf 銻摻雜pZnO納米陣列-nGaN薄膜異質(zhì)結(jié)暖白光LED研究.pdf(55頁)

    一種基于來自N型半導(dǎo)體材料的電子與來自P型半導(dǎo)體材料的空穴在界面實(shí)現(xiàn)全界面的復(fù)合,實(shí)現(xiàn)對能帶的有效調(diào)節(jié),使得ZNO本征的紫外發(fā)光峰向紫外可調(diào)的白光發(fā)光峰偏移,制成白光發(fā)光二極管。該白光發(fā)光二極管通過化學(xué)氣相沉積法并同步退火一步實(shí)現(xiàn)硅(SI)摻雜N型GAN薄膜...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 北京的守候 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-09 / 2人氣

  • Al-<em>N</em>共摻法制備<em>P</em><em>型</em>ZnO及其性能研究.pdf69

    Al-<em>N</em>共摻法制備<em>P</em><em>型</em>ZnO及其性能研究.pdf Al-N共摻法制備PZnO及其性能研究.pdf(69頁)

    ZNO是一種極具應(yīng)用潛力的直接寬禁帶半導(dǎo)體材料室溫禁帶寬度為337EV近年來ZNO作為寬帶半導(dǎo)體材料的研究越來越受到人們的重視與其它寬禁帶半導(dǎo)體材料相比ZNO具有許多優(yōu)點(diǎn)自由激子結(jié)合能高達(dá)60MEV薄膜生長溫度低抗輻射性好受激輻射有較低的閾值功率和很高的能量轉(zhuǎn)換效率...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 浮浣 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-09 / 18人氣

  • 減少<em>左</em>縮進(jìn)ctrl+shift+<em>n</em>降級為正文ctrl+shift+<em>p</em>定義字符大小21

    減少<em>左</em>縮進(jìn)ctrl+shift+<em>n</em>降級為正文ctrl+shift+<em>p</em>定義字符大小 減少縮進(jìn)ctrl+shift+n降級為正文ctrl+shift+p定義字符大小(21頁)

    減少左縮進(jìn)CTRLSHIFTN降級為正文CTRLSHIFTP定義字符大小CTRLSHIFTQSYMBOL字體CTRLSHIFTS定義樣式CTRLSHIFTT減小首行縮進(jìn)CTRLSHIFTU下劃線CTRLSHIFTV格式粘貼CTRLSHIFTW只給詞加下劃線CTRLSHIFTZ默認(rèn)字體樣式CTRLSHIFT上標(biāo)與正常切換ALTSHIFTA顯示所有標(biāo)題ALTSHIFTC關(guān)...

    下載價(jià)格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-12 / 27人氣

  • 石墨烯負(fù)載<em>p</em><em>型</em>-<em>n</em><em>型</em>半導(dǎo)體氧化物及其氣敏性能研究.pdf62

    石墨烯負(fù)載<em>p</em><em>型</em>-<em>n</em><em>型</em>半導(dǎo)體氧化物及其氣敏性能研究.pdf 石墨烯負(fù)載p-n半導(dǎo)體氧化物及其氣敏性能研究.pdf(62頁)

    當(dāng)今社會(huì)對于環(huán)境以及健康的關(guān)注已越來越高,因此,開發(fā)一種高靈敏度、優(yōu)選擇性、可用于多相(氣相或液相)的氣敏元件用來檢測環(huán)境污染氣體和有毒氣體就顯得十分必要。在眾多氣敏元件材料中,一些新型的金屬氧化物組合(尤其是P型聯(lián)合N型金屬氧化物半導(dǎo)體)已成為研...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 沒了牽掛 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-05 / 21人氣

  • <em>N</em>-Al共摻<em>p</em><em>型</em>ZnO薄膜制備及形成機(jī)理研究.pdf52

    <em>N</em>-Al共摻<em>p</em><em>型</em>ZnO薄膜制備及形成機(jī)理研究.pdf N-Al共摻pZnO薄膜制備及形成機(jī)理研究.pdf(52頁)

    河北大學(xué)碩士學(xué)位論文NAL共摻P型ZNO薄膜制備及形成機(jī)理研究姓名張錦川申請學(xué)位級別碩士專業(yè)光學(xué)工程指導(dǎo)教師于威20080601ABSTRACT皇LIII1_魯曼|鼉量皇量皇皇皇舅|■置量曼曼曼曼ABSTRACTTHENA1CODOPEDPTYPEZNOTHINFILMSWEREPREPAREDONA1203OO1USINGHELICONWAVEPLASMA...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 愛情情人 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-05 / 12人氣

  • In-<em>N</em>共摻<em>p</em><em>型</em>ZnMgO薄膜的制備及穩(wěn)定性研究.pdf62

    In-<em>N</em>共摻<em>p</em><em>型</em>ZnMgO薄膜的制備及穩(wěn)定性研究.pdf In-N共摻pZnMgO薄膜的制備及穩(wěn)定性研究.pdf(62頁)

    氧化鋅(ZNO)是ⅡⅥ族直接寬帶隙半導(dǎo)體材料,室溫下其禁帶寬度與氮化鎵(GAN)相近約為337EV,激子束縛能高達(dá)60MEV,是GAN(約25MEV)的兩倍之多,遠(yuǎn)高于室溫?zé)崮埽?6MEV),有望實(shí)現(xiàn)室溫乃至更高溫度下的激子受激發(fā)射;同時(shí),氧化鋅還具有原材料豐富、無毒等優(yōu)點(diǎn)。...

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  • In-<em>N</em>共摻制備<em>p</em><em>型</em>ZnO與ZnMgO薄膜及其性能的研究.pdf93

    In-<em>N</em>共摻制備<em>p</em><em>型</em>ZnO與ZnMgO薄膜及其性能的研究.pdf In-N共摻制備pZnO與ZnMgO薄膜及其性能的研究.pdf(93頁)

    ZNO是一種ⅡⅥ族寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,屬于六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。ZNO在光電、壓電、熱電、鐵電等諸多領(lǐng)域都具有優(yōu)異的性能,但是最具潛力的應(yīng)用是在光電器件領(lǐng)域。室溫下ZNO的禁帶寬度寬為337EV,激子結(jié)合能為60MEV,遠(yuǎn)高于其它寬禁帶半導(dǎo)體材料,如GAN為25MEV。ZNO激...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 你多來一時(shí)我便歡喜一時(shí) / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 5人氣

  • <em>n</em><em>型</em>硅上絲網(wǎng)印刷制備Al-<em>p</em>+發(fā)射極的研究.pdf45

    <em>n</em><em>型</em>硅上絲網(wǎng)印刷制備Al-<em>p</em>+發(fā)射極的研究.pdf n硅上絲網(wǎng)印刷制備Al-p+發(fā)射極的研究.pdf(45頁)

    N型硅太陽電池以其優(yōu)異的性能越來越受到研究人員和企業(yè)的青睞。PN結(jié)的形成和特性的優(yōu)化是提高最終N型硅太陽電池轉(zhuǎn)化效率的關(guān)鍵。傳統(tǒng)N型硅襯底形成PN結(jié)的方法如硼擴(kuò)散、硼注入存在著諸多問題。鋁摻雜形成ALP發(fā)射極制備N型太陽電池以其廉價(jià)、不改動(dòng)傳統(tǒng)生產(chǎn)線的構(gòu)成就...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 笑容 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-09 / 8人氣

  • 光電子學(xué)<em>p</em>-<em>n</em><em>型</em>光電二極管22

    光電子學(xué)<em>p</em>-<em>n</em><em>型</em>光電二極管 光電子學(xué)p-n光電二極管(22頁)

    ,73PN型光電二極管,理學(xué)院,,,1PN型光電二極管,半導(dǎo)體光電探測器和半導(dǎo)體光源是功能相反的器件,探測器將輸入光子通量轉(zhuǎn)換成電流,半導(dǎo)體光源則相反。但是,制作這兩種器件經(jīng)常用到相同的材料。探測器的工作指標(biāo)與光源也有相對應(yīng)的部分。,光電二極管探測器的工作依賴...

    下載價(jià)格:4 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間:2024-01-06 / 8人氣

  • 化學(xué)反應(yīng)法可控制備有機(jī)微納管-棒以及基于<em>P</em><em>型</em>有機(jī)微米線與<em>N</em><em>型</em>硅基底的<em>P</em>-<em>N</em>結(jié)光電探測器.pdf64

    化學(xué)反應(yīng)法可控制備有機(jī)微納管-棒以及基于<em>P</em><em>型</em>有機(jī)微米線與<em>N</em><em>型</em>硅基底的<em>P</em>-<em>N</em>結(jié)光電探測器.pdf 化學(xué)反應(yīng)法可控制備有機(jī)微納管-棒以及基于P有機(jī)微米線與N硅基底的P-N結(jié)光電探測器.pdf(64頁)

    有機(jī)小分子納米結(jié)構(gòu)在新型光電器件方面的潛在應(yīng)用,激起研究者的極大興趣。由于很難在晶體生長的開始階段精確控制有機(jī)晶體的成核以及其后的生長過程,制備形貌、尺寸以及表面性質(zhì)可控的有機(jī)納米結(jié)構(gòu),依然面臨挑戰(zhàn)。本論文1選擇通過化學(xué)反應(yīng)的方法,選用丁二酮肟與鎳...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 茍且偷生 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10 / 6人氣

  • 靜電紡絲法制備<em>P</em>-<em>N</em><em>型</em>熱電氧化物復(fù)合納米纖維.pdf64

    靜電紡絲法制備<em>P</em>-<em>N</em><em>型</em>熱電氧化物復(fù)合納米纖維.pdf 靜電紡絲法制備P-N熱電氧化物復(fù)合納米纖維.pdf(64頁)

    熱電材料是一種能直接將廢熱轉(zhuǎn)換為電能的環(huán)保型功能材料,它的出現(xiàn)與發(fā)展給人們緩解環(huán)境污染和減小能源危機(jī)帶來了希望。材料的低維化和微型器件的興起促使了納米結(jié)構(gòu)熱電材料的發(fā)展,具有特殊結(jié)構(gòu)的熱電復(fù)合納米纖維由于擁有潛在的綜合優(yōu)異性能,從而備受關(guān)注。本文...

    下載價(jià)格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 痛極 / 發(fā)布時(shí)間:2024-03-09 / 6人氣

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