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硅、鍺切割片的損傷層研究.pdf(57頁)
半導(dǎo)體硅、鍺是制造集成電路IC芯片和半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)材料,隨著IC工藝的不斷發(fā)展,單晶片的尺寸越做越大。目前,IC技術(shù)已邁入納米電子時代,對半導(dǎo)體硅、鍺單晶片的加工質(zhì)量的要求越來越高。切割加工是晶片加工過程中的重要環(huán)節(jié),切割過程造成的表面損傷,直接決定...
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87年9月1日制定 - 中鴻鋼鐵(15頁)
中鴻鋼鐵股份有限公司第151頁87年9月1日制定編碼CHSAA30596年10月26日修訂內(nèi)控自行評估作業(yè)辦法內(nèi)控自行評估作業(yè)辦法96年10月26日實施目的依據(jù)制定、修訂管理者評估流程評估內(nèi)容評估單位分項評估工作底稿整體評估1總則11為使本公司之內(nèi)控自行評估作業(yè)能有所遵循。12...
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硅基在片電感射頻模型的研究.pdf(75頁)
無源器件尤其是電感是射頻集成電路中至關(guān)重要的器件。先進的射頻CMOS工藝已經(jīng)能在片集成無源器件。在片無源器件能有效減小封裝寄生參數(shù),提高電路穩(wěn)定性和性能,因此其應(yīng)用已經(jīng)成為一種趨勢。但是在片無源器件仍然面臨著嚴重的挑戰(zhàn),一方面射頻電路對在片無源器件的...
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8英寸薄層硅外延片工藝設(shè)計與實現(xiàn).pdf(86頁)
硅外延片材料是當代大規(guī)模集成電路和其他半導(dǎo)體硅器件的基礎(chǔ)功能材料,直接支撐了電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。其中,薄層硅外延在半導(dǎo)體器件中承載了重要的電路功能,NN硅外延片主要應(yīng)用在超大規(guī)模集成電路和分立器件中。目前8英寸集成電路在我國集成電路總產(chǎn)量中占有很...
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面向片上光互連的硅基無源器件研究.pdf(140頁)
隨著話音業(yè)務(wù)的激增和各種數(shù)據(jù)、圖像新業(yè)務(wù)的涌現(xiàn),特別是FTTH和IP網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展,通信系統(tǒng)的信息容量與處理速度呈現(xiàn)爆炸性增長態(tài)勢。而基于金屬傳導(dǎo)的電互連技術(shù)面臨嚴重的熱耗散與不可逾越的電子瓶頸,已越來越不適應(yīng)信息存儲、信息傳輸、信息處理的高速率高...
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u型輕鋼龍骨紙面石膏板吊頂做法(3頁)
U型輕鋼龍骨紙面石膏板吊頂做法一、構(gòu)造做法及材料1、構(gòu)造做法吊頂龍骨有兩種構(gòu)造,中、小龍骨緊貼大龍骨,底面吊掛(即不在同一水平面)稱雙層構(gòu)造;大、中龍骨底面在同一水平上,或不設(shè)大龍骨直接掛中龍骨稱單層構(gòu)造。後者僅用於輕型吊頂。2、材料(1)紙面石膏板...
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利用摻鍺的重摻硼硅襯底生長無失配位錯的pp39;硅外延片(81頁)
浙江大學碩士學位論文利用摻鍺的重摻硼硅襯底生長無失配位錯的P/P硅外延片姓名江慧華申請學位級別碩士專業(yè)材料物理與化學指導(dǎo)教師闕端麟楊德仁20050501碩士學位論文研究表明,鍺的摻入可以抑制硼的外擴散,這可能是由于鍺和硼形成了GE.B對,從而阻礙硼的外擴散。因...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 翻譯員 / 發(fā)布時間:2024-03-13 / 8人氣
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[學習]多晶硅原生硅料的鑄錠與電池片的性能參數(shù)講解(23頁)
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P型硅外延片工藝技術(shù)的研究.pdf(47頁)
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下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 自負 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 8人氣
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面向暗硅的片上網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)與映射方法研究.pdf(83頁)
最新集成電路設(shè)計發(fā)展中出現(xiàn)了暗硅問題,即為了維持多核系統(tǒng)性能而不超過散熱設(shè)計功耗,部分核需要處于關(guān)閉狀態(tài)或者不能持續(xù)長的運行周期,如此為多核系統(tǒng)的通信架構(gòu)片上網(wǎng)絡(luò)(WKONCHIPNOC)設(shè)計提出了新的挑戰(zhàn)。論文針對面向暗硅問題的片上網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)和映射方法展開研...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: Meizu / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 8人氣
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硅外延片生產(chǎn)工藝技術(shù)研究.pdf(36頁)
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下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 我要抱抱你 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 7人氣
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硅晶圓片項目可行性研究報告模板(75頁)
硅晶圓片生產(chǎn)線建設(shè)項目硅晶圓片生產(chǎn)線建設(shè)項目可行性研究報告可行性研究報告中咨國聯(lián)|出品二〇二一二〇二一年九月二〇二一二〇二一年九月第2頁第四章第四章項目建設(shè)條件項目建設(shè)條件181841地理位置選擇地理位置選擇181842區(qū)域投資環(huán)境區(qū)域投資環(huán)境1818421區(qū)域概況1...
下載價格:9 賞幣 / 發(fā)布人: 兩難 / 發(fā)布時間:2024-03-16 / 0人氣
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高平坦度要求硅拋光片加工工藝研究.pdf(49頁)
集成電路的發(fā)展趨勢是體積越來越小、速度越來越快、電路規(guī)模越來越大、功能越來越強、襯底硅片尺寸越來越大。盡管如此,150MM及以下小直徑硅片到目前為止依然大量被用于POWERDEVICE、MOSFET、小型集成電路等器件的生產(chǎn)中,短時間內(nèi)還不會退出市場,但是器件廠商對于...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 不感興趣 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 5人氣
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硅基射頻集成電路片上無源元件的設(shè)計與建模.pdf(112頁)
隨著無線通信、衛(wèi)星導(dǎo)航、射頻識別、移動電視等射頻微波應(yīng)用系統(tǒng)的迅猛發(fā)展,小型化、高性能、低成本和低功耗消費類應(yīng)用電子設(shè)備的市場需求激發(fā)了人們對于單芯片系統(tǒng)SOCSYSTEMONACHIP的極大興趣。硅基CMOS工藝因具有低成本、低功耗及高集成度等特點成為實現(xiàn)SOC的首選...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 笑嘆 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 4人氣
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硅基集成螺旋電感的研究及片上天線的設(shè)計和優(yōu)化.pdf(64頁)
這篇論文主要分為兩個部分一是硅基集成螺旋電感的建模分析和優(yōu)化二是片上天線的設(shè)計和優(yōu)化在第一部分中我們首先比較了硅基集成螺旋電感的三種建模和仿真方法并且具體分析了硅基集成螺旋電感的各種損耗因素及它們螺旋電感性能的影響在此基礎(chǔ)上我們思考和總結(jié)了多種提...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 靠近 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 6人氣
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黑硅電池片上液相沉積法制備SiO2薄膜的研究.pdf(56頁)
黑硅因其獨特的納米結(jié)構(gòu),具有很寬的光譜吸收范圍,極低的反射率,以及一些其他優(yōu)良的特性,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)就獲得了科學家們的廣泛關(guān)注,在硅太陽能電池領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用潛力。但黑硅由于表面積的增大以及制備過程中引入的缺陷,具有較高的表面復(fù)合速率和較低的少數(shù)載流...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 臉紅 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 9人氣
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基于硅技術(shù)的太赫茲片上天線與系統(tǒng)的研究.pdf(132頁)
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晶體硅太陽能電池片自動焊接關(guān)鍵技術(shù)的研究.pdf(66頁)
隨著社會的發(fā)展作為人類社會運行和發(fā)展的基礎(chǔ)物質(zhì)條件能源在近一百多年內(nèi)的消耗有目共睹。短時期內(nèi)不可再生的傳統(tǒng)化石能源儲量的有限性與人類社會發(fā)展日益增長的能源需求之間的矛盾日亟激化。因此為了人類社會能夠?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的目標就必須加大對可再生能源的開發(fā)...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 深情大佬 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 6人氣
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薄硅外延片的生長及高頻肖特基二極管的研制.pdf(67頁)
肖特基勢壘二極管是利用金屬半導(dǎo)體的整流接觸特性而制成的二極管與PN結(jié)相比它是一種多子器件具有正向?qū)妷旱褪褂妙l率高等特點這使得肖特基二極管在微波領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用該文的主要工作如下1首先從理論上分析出高頻肖特基二極管對材料的外延層厚度摻雜濃度的要求...
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高溫退火對直拉硅拋光片表面質(zhì)量及氧沉淀的影響.pdf(82頁)
直拉硅拋光片的表面質(zhì)量和氧沉淀對集成電路成品率的影響很大。無論在硅片生產(chǎn)還是在集成電路制造中,硅片都要經(jīng)過高溫退火。因此,高溫退火對硅片表面質(zhì)量和氧沉淀影響的研究顯得十分重要。本文研究了200MM直拉硅拋光片經(jīng)高溫退火后的表面狀態(tài)以及氧沉淀,取得了如下...
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