分類一旦F壘密級(jí)鬲』￡泰予箍史謦碩士學(xué)位論文SI環(huán)和SI模張春霞導(dǎo)LJILI姓名職稱割位奎塑援專業(yè)名稱基礎(chǔ)麴堂研究方向搓理論論文答辯日期至生旦學(xué)位授予日期2QQ生魚旦答辯委員會(huì)主席評(píng)閱人二OO六年月日ABSTRACTINTHISPAPER，SOMESPECIALSEMICOMMUTATIVESUBRINGSOFUPPER...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 貝殼 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-06 / 11人氣
國(guó)際單際單位制位制（SI）園括號(hào)園括號(hào)內(nèi)的名稱為同義詞在不致引起混淆、誤解的情況下，方括號(hào)方括號(hào)內(nèi)文字可省略。表1，SI基本基本單位量名量名單位名位名符號(hào)符號(hào)長(zhǎng)度米M質(zhì)量千克KG時(shí)間秒S電流安培A熱力學(xué)溫度開爾文K物質(zhì)的量摩爾MOL發(fā)光強(qiáng)度坎德拉CD表2，具有，具...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-08 / 7人氣
硅和氮化鎵是第一代和第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。GAN具有優(yōu)良的光電性質(zhì)和優(yōu)異的機(jī)械性能，被認(rèn)為是制備短波長(zhǎng)光電子器件的最佳材料之一。因?yàn)镚AN缺少合適的襯底，所以硅基上的GAN是光電器件的一個(gè)重要研究方向。在SI基上外延生長(zhǎng)GAN雖取得了很大的進(jìn)展，但是硅與G...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 我昏昏欲睡 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 12人氣
1SI仿真介紹信號(hào)完整性（SIGNALINTEGRITY簡(jiǎn)稱SI）是指信號(hào)在電路中以正確的時(shí)序和電壓作出響應(yīng)的能力。由于信號(hào)速率的提高，信號(hào)在板級(jí)的整個(gè)傳輸鏈路不再是集中參數(shù)，如傳輸線、過孔、器件封裝焊盤、連接器等都要看成分布參數(shù)，這些分布參數(shù)會(huì)造成信號(hào)的延時(shí)、阻抗...
下載價(jià)格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-08 / 4人氣
硅作為最重要的半導(dǎo)體材料，其表面結(jié)構(gòu)及其外延生長(zhǎng)一直是人們關(guān)注的研究課題。由于AUSI界面在電子器件和表面催化方面的廣泛應(yīng)用，深入了解其微觀結(jié)構(gòu)與特性具有重要的意義。本文采用基于密度泛函理論DFT的第一性原理計(jì)算方法，對(duì)SI各種表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了搭建和重構(gòu)計(jì)算...
下載價(jià)格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 晚風(fēng)渺渺炊煙裊裊 / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-09 / 10人氣
過共晶鋁硅合金是一種重要的鑄造合金廣泛應(yīng)用于航空航天和汽車制造等領(lǐng)域由于鑄造組織中的粗大初晶硅相嚴(yán)重?fù)p害了其機(jī)械性能大大限制了高硅過共晶鋁硅合金在更廣泛范圍內(nèi)的應(yīng)用。為進(jìn)一步挖掘該材料的性能潛力從而擴(kuò)展材料的使用范圍本文對(duì)過共晶AL25％SI合金進(jìn)行了...
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復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文SI（001）斜切表面ER納米結(jié)構(gòu)及SI原子的影響作用姓名冀婷申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師蔡群20060526中英文摘要ABSTRACTTHESTUDIESOFARTIFICIALNANOSTRUCTURCSAREFUELEDBOTHBYTHEIRNOVELPHYSICALPROPERTIESANDBYTHEIRDEVELOPINGPOTENTI...
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本論文采用全息光刻法制作二維圖形襯底，利用超高真空化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)UHVCVD在圖形襯底上生長(zhǎng)有序的GESI島。系統(tǒng)研究了圖形在高溫脫氧時(shí)產(chǎn)生的變化，分析了圖形襯底、淀積條件等對(duì)GESI島生長(zhǎng)的影響。利用UHVCVD系統(tǒng)在平面襯底上生長(zhǎng)多層GESI島，研究不同厚度的SI間...
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下載價(jià)格：3 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設(shè)計(jì) / 發(fā)布時(shí)間：2024-03-03 / 8人氣
學(xué)校代號(hào)10532學(xué)號(hào)S07131039密級(jí)普通湖南大學(xué)碩士學(xué)位論文L73933L以微細(xì)SI粉為原料制備MGSI合金的研究STUDYONTHEMGSIALLOYSPREPAREDWITHTHEFINESIPOWDERSASTHERAWMATERIALLIUZHIWENBEHUNANUNIVERSITY2007ATHESISSUBMITTEDINPARTIALSATISFACTIONOFTHEREQUIREMENTSFORT...
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YT84201論文編號(hào)HBLG050088密級(jí)河北理工大學(xué)碩士學(xué)位論文熔鹽法沉積SI及制備FE。6．5WT％SI薄板研究作者姓名鋈盤蘊(yùn)專業(yè)名稱Z造金物理絲堂研究方向塹盟抖型圣學(xué)習(xí)單位塑韭矍墨叁莖學(xué)習(xí)時(shí)間25生提變?nèi)掌趬|豎笙Q≥目25旦申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別L坐亟圭導(dǎo)師姓名奎重型墼蕉單位扭絲...
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環(huán)境友好型半導(dǎo)體材料硅化鎂（MG2SI）是一種窄帶隙間接半導(dǎo)體材料。目前，微電子行業(yè)主要基于SI材料進(jìn)行應(yīng)用，在SI襯底上生長(zhǎng)MG2SI薄膜的工藝，可以很好地與SI工藝兼容，因此MG2SISI異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)具有重大的研究?jī)r(jià)值。本文采用電阻式熱蒸發(fā)方法分別在NSI、PSI襯底上制備...
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復(fù)旦大學(xué)博士學(xué)位論文SI表面上生長(zhǎng)的PB島及SI表面形態(tài)的研究姓名王國(guó)忠申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別博士專業(yè)凝聚態(tài)表面物理指導(dǎo)教師資劍20040515ABSTRACTRECENTRESEARCHFOUNDTHATINEPITAXYEXPERIMENT，PBATOMSCANGROWINTOHIGHLYSELFORGANIZEDISLANDSSUCHISLANDSHAVEASETOFSTABLEHEIG...
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第1頁(yè)/共7頁(yè)數(shù)學(xué)模型實(shí)驗(yàn)數(shù)學(xué)模型實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn)報(bào)告10學(xué)院專業(yè)姓名學(xué)號(hào)_______實(shí)驗(yàn)時(shí)間______實(shí)驗(yàn)地點(diǎn)一、實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目一、實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目傳染病模型求解二、實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵蠖?、?shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵驛求解微分方程的解析解B求解微分方程的數(shù)值解三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容問題的描...
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本文以高硅鋁合金AL20SI為基體合金，以ALSIFE為反應(yīng)體系，采用熔體原位反應(yīng)法，制備了耐熱耐磨ALSIFEAL20SI復(fù)合材料。利用金相顯微鏡、金相分析軟件、掃描電鏡、X射線衍射儀等多種現(xiàn)代分析手段，研究了三種不同變質(zhì)劑MN、SR、Y及熱處理對(duì)復(fù)合材料的微觀組織，內(nèi)生增...
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采用無壓熔滲法制備SIAL復(fù)合材料，研究了SI顆粒氧化對(duì)復(fù)合材料的影響。通過X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、能譜分析儀、光學(xué)顯微鏡等儀器分析研究了SI顆粒氧化的氧化特性和SIAL復(fù)合材料組織形貌特征，探討了SI顆粒氧化對(duì)SIAL復(fù)合材料顯微組織形成機(jī)制的影響；采用激光...
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為了系統(tǒng)闡釋MGALSI合金中MG2SI相的變質(zhì)機(jī)理采用AL10WT％SR中間合金對(duì)MG6AL15SI合金進(jìn)行變質(zhì)處理從實(shí)驗(yàn)角度研究SR元素對(duì)MG2SI形態(tài)的影響并探討SR元素對(duì)MG2SI相的作用機(jī)制。同時(shí)運(yùn)用基于密度泛函理論的第一原理方法從MG2SI和AL4SR的體相性質(zhì)和表面性質(zhì)研究出發(fā)構(gòu)建AL4...
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ALSI合金具有優(yōu)良的力學(xué)性能和鑄造性能廣泛應(yīng)用于航空、航天及汽車制造等領(lǐng)域。隨著SI含量的增加未變質(zhì)處理的ALSI合金中會(huì)出現(xiàn)的粗大的板片狀共晶硅和多角狀初晶硅相嚴(yán)重地?fù)p害了材料的性能。因此鑄造ALSI合金的細(xì)化變質(zhì)問題得到了人們的普遍關(guān)注。工業(yè)上傳統(tǒng)變質(zhì)方...
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本工作主要是利用了X射線衍射、掃描電鏡等分析等方法測(cè)定了CESIZR三元體系在773K和1173K兩個(gè)溫度下的等溫截面以及ERSIV三元體系在1173K溫度下的等溫截面。在CESIZR三元體系兩個(gè)溫度中，確定存在11個(gè)二元化合物，它們分別是CE5SI3，CE3SI2，CESSI4，CESI，CE3SI5，CES...
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