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  • <em>SI</em>環(huán)和<em>SI</em>模.pdf31

    <em>SI</em>環(huán)和<em>SI</em>模.pdf SI環(huán)和SI模.pdf（31頁）

    分類一旦F壘密級鬲』￡泰予箍史謦碩士學位論文SI環(huán)和SI模張春霞導LJILI姓名職稱割位奎塑援專業(yè)名稱基礎麴堂研究方向搓理論論文答辯日期至生旦學位授予日期2QQ生魚旦答辯委員會主席評閱人二OO六年月日ABSTRACTINTHISPAPER，SOMESPECIALSEMICOMMUTATIVESUBRINGSOFUPPER...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 貝殼 / 發(fā)布時間：2024-03-06 / 11人氣

  • <em>si</em> units4

    <em>si</em> units si units（4頁）

    國際單際單位制位制（SI）園括號園括號內的名稱為同義詞在不致引起混淆、誤解的情況下，方括號方括號內文字可省略。表1，SI基本基本單位量名量名單位名位名符號符號長度米M質量千克KG時間秒S電流安培A熱力學溫度開爾文K物質的量摩爾MOL發(fā)光強度坎德拉CD表2，具有，具...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 7人氣

  • 利用金屬過渡層鍵合<em>Si</em>-<em>Si</em>、<em>Si</em>-GaN的研究.pdf63

    利用金屬過渡層鍵合<em>Si</em>-<em>Si</em>、<em>Si</em>-GaN的研究.pdf 利用金屬過渡層鍵合Si-Si、Si-GaN的研究.pdf（63頁）

    硅和氮化鎵是第一代和第三代半導體材料的典型代表。GAN具有優(yōu)良的光電性質和優(yōu)異的機械性能，被認為是制備短波長光電子器件的最佳材料之一。因為GAN缺少合適的襯底，所以硅基上的GAN是光電器件的一個重要研究方向。在SI基上外延生長GAN雖取得了很大的進展，但是硅與G...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 我昏昏欲睡 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 12人氣

  • <em>si</em>仿真操作18

    <em>si</em>仿真操作 si仿真操作（18頁）

    1SI仿真介紹信號完整性（SIGNALINTEGRITY簡稱SI）是指信號在電路中以正確的時序和電壓作出響應的能力。由于信號速率的提高，信號在板級的整個傳輸鏈路不再是集中參數(shù)，如傳輸線、過孔、器件封裝焊盤、連接器等都要看成分布參數(shù)，這些分布參數(shù)會造成信號的延時、阻抗...

    下載價格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 4人氣

  • <em>Si</em>表面吸附及<em>Si</em>摻雜缺陷GaN磁性的研究.pdf77

    <em>Si</em>表面吸附及<em>Si</em>摻雜缺陷GaN磁性的研究.pdf Si表面吸附及Si摻雜缺陷GaN磁性的研究.pdf（77頁）

    硅作為最重要的半導體材料，其表面結構及其外延生長一直是人們關注的研究課題。由于AUSI界面在電子器件和表面催化方面的廣泛應用，深入了解其微觀結構與特性具有重要的意義。本文采用基于密度泛函理論DFT的第一性原理計算方法，對SI各種表面結構進行了搭建和重構計算...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 晚風渺渺炊煙裊裊 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 10人氣

  • A1-25%<em>Si</em>合金<em>Si</em>相形態(tài)、變質及性能研究.pdf166

    A1-25%<em>Si</em>合金<em>Si</em>相形態(tài)、變質及性能研究.pdf A1-25%Si合金Si相形態(tài)、變質及性能研究.pdf（166頁）

    過共晶鋁硅合金是一種重要的鑄造合金廣泛應用于航空航天和汽車制造等領域由于鑄造組織中的粗大初晶硅相嚴重損害了其機械性能大大限制了高硅過共晶鋁硅合金在更廣泛范圍內的應用。為進一步挖掘該材料的性能潛力從而擴展材料的使用范圍本文對過共晶AL25％SI合金進行了...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： yellow / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 4人氣

  • <em>Si</em>（001）斜切表面Er納米結構及<em>Si</em>原子的影響作用.pdf35

    <em>Si</em>（001）斜切表面Er納米結構及<em>Si</em>原子的影響作用.pdf Si（001）斜切表面Er納米結構及Si原子的影響作用.pdf（35頁）

    復旦大學碩士學位論文SI（001）斜切表面ER納米結構及SI原子的影響作用姓名冀婷申請學位級別碩士專業(yè)凝聚態(tài)物理指導教師蔡群20060526中英文摘要ABSTRACTTHESTUDIESOFARTIFICIALNANOSTRUCTURCSAREFUELEDBOTHBYTHEIRNOVELPHYSICALPROPERTIESANDBYTHEIRDEVELOPINGPOTENTI...

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  • <em>Si</em>襯底上Ge-<em>Si</em>島的有序可控生長與表征.pdf53

    <em>Si</em>襯底上Ge-<em>Si</em>島的有序可控生長與表征.pdf Si襯底上Ge-Si島的有序可控生長與表征.pdf（53頁）

    本論文采用全息光刻法制作二維圖形襯底，利用超高真空化學氣相淀積系統(tǒng)UHVCVD在圖形襯底上生長有序的GESI島。系統(tǒng)研究了圖形在高溫脫氧時產生的變化，分析了圖形襯底、淀積條件等對GESI島生長的影響。利用UHVCVD系統(tǒng)在平面襯底上生長多層GESI島，研究不同厚度的SI間...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 沈江底 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 5人氣

  • da gong wu <em>si</em>2

    da gong wu <em>si</em> da gong wu si（2頁）

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  • 以微細<em>Si</em>粉為原料制備Mg-<em>Si</em>合金的研究.pdf84

    以微細<em>Si</em>粉為原料制備Mg-<em>Si</em>合金的研究.pdf 以微細Si粉為原料制備Mg-Si合金的研究.pdf（84頁）

    學校代號10532學號S07131039密級普通湖南大學碩士學位論文L73933L以微細SI粉為原料制備MGSI合金的研究STUDYONTHEMGSIALLOYSPREPAREDWITHTHEFINESIPOWDERSASTHERAWMATERIALLIUZHIWENBEHUNANUNIVERSITY2007ATHESISSUBMITTEDINPARTIALSATISFACTIONOFTHEREQUIREMENTSFORT...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 柔聲嬌喘 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 7人氣

  • 熔鹽法沉積<em>si</em>及制備fe6.5wt％<em>si</em>薄板研究75

    熔鹽法沉積<em>si</em>及制備fe6.5wt％<em>si</em>薄板研究 熔鹽法沉積si及制備fe6.5wt％si薄板研究（75頁）

    YT84201論文編號HBLG050088密級河北理工大學碩士學位論文熔鹽法沉積SI及制備FE。6．5WT％SI薄板研究作者姓名鋈盤蘊專業(yè)名稱Z造金物理絲堂研究方向塹盟抖型圣學習單位塑韭矍墨叁莖學習時間25生提變日期墊豎笙Q≥目25旦申請學位級別L坐亟圭導師姓名奎重型墼蕉單位扭絲...

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  • Mg2<em>Si</em>-<em>Si</em>異質結的熱蒸發(fā)制備與性質研究.pdf65

    Mg2<em>Si</em>-<em>Si</em>異質結的熱蒸發(fā)制備與性質研究.pdf Mg2Si-Si異質結的熱蒸發(fā)制備與性質研究.pdf（65頁）

    環(huán)境友好型半導體材料硅化鎂（MG2SI）是一種窄帶隙間接半導體材料。目前，微電子行業(yè)主要基于SI材料進行應用，在SI襯底上生長MG2SI薄膜的工藝，可以很好地與SI工藝兼容，因此MG2SISI異質結結構具有重大的研究價值。本文采用電阻式熱蒸發(fā)方法分別在NSI、PSI襯底上制備...

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  • <em>Si</em>表面上生長的Pb島及<em>Si</em>表面形態(tài)的研究.pdf74

    <em>Si</em>表面上生長的Pb島及<em>Si</em>表面形態(tài)的研究.pdf Si表面上生長的Pb島及Si表面形態(tài)的研究.pdf（74頁）

    復旦大學博士學位論文SI表面上生長的PB島及SI表面形態(tài)的研究姓名王國忠申請學位級別博士專業(yè)凝聚態(tài)表面物理指導教師資劍20040515ABSTRACTRECENTRESEARCHFOUNDTHATINEPITAXYEXPERIMENT，PBATOMSCANGROWINTOHIGHLYSELFORGANIZEDISLANDSSUCHISLANDSHAVEASETOFSTABLEHEIG...

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  • <em>si</em>.sir.sis 模型7

    <em>si</em>.sir.sis 模型 si.sir.sis 模型（7頁）

    第1頁/共7頁數(shù)學模型實驗數(shù)學模型實驗實驗報告實驗報告10學院專業(yè)姓名學號_______實驗時間______實驗地點一、實驗項目一、實驗項目傳染病模型求解二、實驗目的和要求二、實驗目的和要求A求解微分方程的解析解B求解微分方程的數(shù)值解三、實驗內容三、實驗內容問題的描...

    下載價格：6 賞幣 / 發(fā)布人： 世中仙 / 發(fā)布時間：2024-03-15 / 15人氣

  • 耐熱耐磨Al-<em>Si</em>-Fe-Al-20<em>Si</em>復合材料的研究.pdf72

    耐熱耐磨Al-<em>Si</em>-Fe-Al-20<em>Si</em>復合材料的研究.pdf 耐熱耐磨Al-Si-Fe-Al-20Si復合材料的研究.pdf（72頁）

    本文以高硅鋁合金AL20SI為基體合金，以ALSIFE為反應體系，采用熔體原位反應法，制備了耐熱耐磨ALSIFEAL20SI復合材料。利用金相顯微鏡、金相分析軟件、掃描電鏡、X射線衍射儀等多種現(xiàn)代分析手段，研究了三種不同變質劑MN、SR、Y及熱處理對復合材料的微觀組織，內生增...

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  • 熔鹽法沉積<em>si</em>及制備fe6.5wt％<em>si</em>薄板研究75
  • <em>Si</em>顆粒氧化對<em>Si</em>-Al復合材料組織和性能的影響.pdf65

    <em>Si</em>顆粒氧化對<em>Si</em>-Al復合材料組織和性能的影響.pdf Si顆粒氧化對Si-Al復合材料組織和性能的影響.pdf（65頁）

    采用無壓熔滲法制備SIAL復合材料，研究了SI顆粒氧化對復合材料的影響。通過X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、能譜分析儀、光學顯微鏡等儀器分析研究了SI顆粒氧化的氧化特性和SIAL復合材料組織形貌特征，探討了SI顆粒氧化對SIAL復合材料顯微組織形成機制的影響；采用激光...

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  • Mg-Al-<em>Si</em>合金中Mg2<em>Si</em>相的變質機理研究.pdf79

    Mg-Al-<em>Si</em>合金中Mg2<em>Si</em>相的變質機理研究.pdf Mg-Al-Si合金中Mg2Si相的變質機理研究.pdf（79頁）

    為了系統(tǒng)闡釋MGALSI合金中MG2SI相的變質機理采用AL10WT％SR中間合金對MG6AL15SI合金進行變質處理從實驗角度研究SR元素對MG2SI形態(tài)的影響并探討SR元素對MG2SI相的作用機制。同時運用基于密度泛函理論的第一原理方法從MG2SI和AL4SR的體相性質和表面性質研究出發(fā)構建AL4...

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  • 過共晶Al-<em>Si</em>合金對Al-<em>Si</em>合金的變質作用.pdf57

    過共晶Al-<em>Si</em>合金對Al-<em>Si</em>合金的變質作用.pdf 過共晶Al-Si合金對Al-Si合金的變質作用.pdf（57頁）

    ALSI合金具有優(yōu)良的力學性能和鑄造性能廣泛應用于航空、航天及汽車制造等領域。隨著SI含量的增加未變質處理的ALSI合金中會出現(xiàn)的粗大的板片狀共晶硅和多角狀初晶硅相嚴重地損害了材料的性能。因此鑄造ALSI合金的細化變質問題得到了人們的普遍關注。工業(yè)上傳統(tǒng)變質方...

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  • Ce-<em>Si</em>-Zr與ER-<em>Si</em>-V三元體系等溫截面.pdf64

    Ce-<em>Si</em>-Zr與ER-<em>Si</em>-V三元體系等溫截面.pdf Ce-Si-Zr與ER-Si-V三元體系等溫截面.pdf（64頁）

    本工作主要是利用了X射線衍射、掃描電鏡等分析等方法測定了CESIZR三元體系在773K和1173K兩個溫度下的等溫截面以及ERSIV三元體系在1173K溫度下的等溫截面。在CESIZR三元體系兩個溫度中，確定存在11個二元化合物，它們分別是CE5SI3，CE3SI2，CESSI4，CESI，CE3SI5，CES...

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