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1、采用真空熱蒸發(fā)法在玻璃襯底制備納米硫?qū)馘a化物薄膜(Sn<,x>S<,y>)薄膜。在空氣、氮?dú)鈿夥障聦?duì)薄膜進(jìn)行不同條件的熱處理,獲得性能良好的SnS、SnS<,2>、Sn<,2>S<,3>納米多晶薄膜。經(jīng)X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、能譜儀、分光光度計(jì)等方法對(duì)薄膜各種性能進(jìn)行測(cè)試,并研究不同制備工藝、不同Sn與S配比的蒸發(fā)粉末對(duì)SnS、SnS<,2>和Sn<,2>S<,3>薄膜的物相結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸、表面形貌、光電特性的影響。 實(shí)驗(yàn)
2、結(jié)果顯示:采用Sn∶S混合粉末比例為1∶0.8(at%)作為蒸發(fā)物制備出的薄膜,經(jīng)過T=330℃,t=40min(氮?dú)?熱處理可獲得正交晶系的P型SnS納米多晶薄膜;薄膜沿(021)晶向擇優(yōu)生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)性能良好,平均晶粒尺寸約為62.17nm.。當(dāng)Sn∶S比例為1∶1.2(at%)時(shí),制備出的薄膜在氮?dú)庵薪?jīng)T=430℃,t=40min熱處理后,可得到晶相結(jié)構(gòu)良好的正交晶系N型Sn<,2>S<,3>納米多晶薄膜;平均晶粒尺寸為60.37nm。
3、Sn∶S比例為1∶1.5(at%)時(shí),在氮?dú)庵薪?jīng)T=430℃,t=40min熱處理可獲得六角晶系SnS<,2>納米多晶薄膜;導(dǎo)電類型為N型,平均晶粒尺寸約77.07nm。掃描電鏡分析給出,三種結(jié)構(gòu)的薄膜表面均勻平整呈孔狀結(jié)構(gòu),致密度較好,顆粒大小較均勻,顆粒聚集現(xiàn)象較弱。能譜分析給出SnS,SnS<,2>薄膜接近物質(zhì)的化學(xué)計(jì)量比,Sn<,2>S<,3>薄膜偏離物質(zhì)的化學(xué)計(jì)量比稍大。 SnS薄膜在350-900nm范圍內(nèi)透射率非常
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