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文檔簡介
1、該論文包括了類硅銠離子的3s<'2>3p<'23>P<,1,2>-3s3p<'35>S<,2>的禁戒躍遷譜線的研究及實(shí)驗(yàn)方法的簡單介紹.該論文工作主要是研究n=3,△n=0的禁戒躍遷譜線波長,特別是類硅離子從五重態(tài)躍遷到三重態(tài)產(chǎn)生的譜線.該工作中,我們除了用與之前兩個(gè)工作相同的實(shí)驗(yàn)方法,還用了CCD探測系統(tǒng),使信噪比得到了很大的改善,這對以后的數(shù)據(jù)分析幫助很大.我們用束箔法研究了類硅銠離子的3s<'2>3p<'23>P<,1,2>-3s
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