非晶態(tài)SiO-,2-電子能量模擬及遷移率的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、北方交通大學(xué)碩士學(xué)位論文非晶態(tài)SiO電子能量模擬及遷移率的研究姓名：楊勝申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：光學(xué)指導(dǎo)教師：成正維何大偉2002.2.1AbstractAmorphousSi02isoneofthemostimportantdielectricmaterialsBecauseofitsgoodelectronacceleratingcharaemristic，amorphousSi02waswidelyus酣inthelayeredo

2、ptimizationthinfilmelectroluminescent(TFEL)devicesandotheroovelstructuredevicesaselectronaccelerationlayersSoitissignificanttostudythepr01)ertiesofelectrontransportinamorphousSi02TwomainpartswasincludedinthisthesisInthef

3、irstpartwestudytheelectronenergydistributioninamorphousSi02withMonteCarlomethod，andinthesecondpartwestudythechargelocalizationandelectronmobililtyofamorphousSiO：witharandomnetworkmodelInthesimulationofelectronenergydistr

4、ibutioninamorphousSi02thescatteringmechanismwetakeintoaccolIntarepolaropticalphorionscattering，acousticphononscattering，impactionization，andaamorphousscatteringexpressionwithasimplespheroidgausstypepotentialTheresultofsi

5、mulationasfollows：Withtheincreasingofelectricfieldstrength，theaverageenergyofelectronalsoIncreaseTheaverageenergyofelectroncanreach27eVWrllentheeleetriefieldstrengthis5MV／cmwhichshowsthatamorphousSiO，isagoodelectronaccel

6、erationmaterialAccordingtotheelectronenergydistribution，wethinkthatinordertogetgoodelectronaccelerationperformanceinTFE乙，theelectricfieldstrengthofSi02shouldbehigherthan3MV／cmInthestudyoftherandomnetworkSi02，firstlyacont

7、inuousrandomnetworktypestructuralmodelwilhperiodicboundaryconditionswasconstructed，thenwecalculatetheelectronicstn】ctureofthemodel，resultsarepresentedforthedensityofStatesandthelocalizationindexofone—electronwavefunction

8、s，aithe|asttheelectronmobilityofamorphousSiO：wasevaluatedbasedontheresultofelectronicstructureTheresultasfoltows：TheValencebandofamorphousSiO，mainlycontributedbytheoxygenatomsandtheconductionbandmainlyofferedbythesilicon

9、atomsThelocalizationoftheboRomofconductionbandislittle，howeverrelativelylargeratthetopofvalencebandThemobitityvalueestimatedis22cm2，VsincloseagreementwiththeexperimentsKeyWords：AmorphousThinfilme]ectroluminescenceEnergyd

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