離子遷移調(diào)控氧化鎢納米線電輸運性能.pdf

1、阻變存儲器（或稱憶阻器）由于兼容CMOS工藝、讀寫速度快、能耗低等特點有望成為新一代的存儲器件。但是憶阻材料的憶阻機理目前尚不明確，這阻礙了阻變存儲器的產(chǎn)業(yè)化，進一步研究憶阻效應，闡明其內(nèi)在機理成為當務之急。現(xiàn)今，氧空位缺陷在氧化物的憶阻性能中的主要作用已經(jīng)得到廣泛認同。非化學計量比的WO3為研究氧空位遷移對憶阻效應的調(diào)控機制提供很好的平臺。在此基礎上，我們做了有關納米離子學方面的研究。
　　 本文通過水熱反應合成了WO3納米線

2、。通過調(diào)節(jié)PH值、溫度、反應時間和硫酸鈉用量獲得了直徑不同的納米線。對納米線進行了一系列的表征，包括SEM、XRD等。利用光刻微加工工藝，構筑了基于單根三氧化鎢納米線的納米器件。對納米器件進行了電輸運測試，并獲得了以下結果:
　　 1、在電極和納米線是歐姆接觸的情況下，對納米線進行了電化學摻雜。通過外加電場的作用，改變摻雜離子在納米線內(nèi)的軸向濃度分布，調(diào)控納米線的電導。
　　 2、研究了水分子對納米線憶阻性能的影響，進一