LaAlO3-GaAs異質(zhì)結(jié)界面電學(xué)性能研究.pdf

1、功能氧化物由于其廣泛的性質(zhì):鐵磁性，鐵電性，壓電性，熱電性，超導(dǎo)性和非線性光學(xué)效應(yīng)而引起了相當(dāng)大的研究關(guān)注。Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體襯底由于其良好的光電子和高移動(dòng)性的傳輸性質(zhì)而具有特殊應(yīng)用意義。將功能氧化物集成在Ⅲ-Ⅴ半導(dǎo)體襯底上是當(dāng)下研究熱點(diǎn)，高載流子遷移率的STO/GaAs界面是其中典型的代表。
　　鋁酸鑭(LaAlO3)與鈦酸鍶(SrTiO3)同屬于鈣鈦礦型氧化物，晶格大小非常接近?；阡X酸鑭與鈦酸鍶的晶格關(guān)系，本文圍繞鋁酸鑭/砷化鎵

2、(LAO/GaAs)異質(zhì)界面的電學(xué)性能研究展開，主要完成了了以下工作:
　　1.利用脈沖激光沉積(PLD)設(shè)備，以GaAs(100)為基片，LAO為靶材制備出了高質(zhì)量的LAO/GaAs薄膜樣品。
　　2.對(duì)LAO/GaAs樣品進(jìn)行XRD表征，確認(rèn)LAO的生長(zhǎng)晶向?yàn)轭A(yù)期的GaAs對(duì)角線方向。
　　3.對(duì)LAO/GaAs界面電輸運(yùn)特性進(jìn)行變溫霍爾測(cè)試，得出LAO/GaAs界面有較高的空穴型載流子遷移率。
　　4.引入