150V VDMOS器件用外延層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì).pdf

1、VDMOS器件作為新一代功率集成電力電子器件之一，應(yīng)用領(lǐng)域包含常見的家庭消費(fèi)類電子設(shè)備、汽車電子系統(tǒng)、智能電網(wǎng)，以及各類工業(yè)設(shè)備、動(dòng)力機(jī)車、航天、船舶系統(tǒng)，是現(xiàn)代生活不可或缺的重要電子元件。而目前國內(nèi)所有的功率VDMOS器件都用硅外延片制作，VDMOS器件的品質(zhì)性能和高質(zhì)量的硅外延材料緊密相連。針對(duì)具體器件用硅外延片結(jié)構(gòu)進(jìn)行細(xì)化設(shè)計(jì)不僅能夠提高器件性能及研制成功率，同樣也是外延廠家的迫切需要，因此具有較高的研究價(jià)值。
　　本論文首

2、先對(duì)VDMOS功率器件用外延材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)解析，明確外延層的結(jié)構(gòu)組成。然后借助Tsuprem4和Medici模擬軟件平臺(tái)，對(duì)不同結(jié)構(gòu)外延層制作的VDMOS器件進(jìn)行仿真研究。通過仿真分析外延層電阻率及其均勻性對(duì)器件性能的影響，得出外延層電阻率與器件擊穿電壓與導(dǎo)通電阻存在標(biāo)準(zhǔn)線性關(guān)系;通過仿真分析外延層厚度及其均勻性對(duì)器件性能的影響，得到外延層有效厚度必須大于臨界穿通厚度;通過仿真分析外延層過渡區(qū)形貌對(duì)器件性能的影響，指明器件工藝是影響過渡區(qū)