稀土離子激活的硅酸鹽熒光材料的制備及發(fā)光特性.pdf

1、本文采用高溫固相法，以K2ZnSiO4和Na2MgSiO4為基質，制備了K2ZnSiO4:Eu3+、K2ZnSiO4:Tb3+、Na2MgSiO4:Eu3+、Na2MgSiO4:Tb3+系列發(fā)光材料；分析了樣品的晶體結構，研究了樣品的激發(fā)光譜、發(fā)射光譜、熒光壽命、色坐標等發(fā)光特性。主要內容如下：
　　(1)合成了K2ZnSiO4:Eu3+紅色熒光材料。樣品的激發(fā)光譜包括電荷遷移帶以及Eu3+離子的高能級特征躍遷兩部分，396納米和

2、466納米分別為最強峰和次強峰。396納米和466納米作為激發(fā)光，樣品發(fā)射峰對應Eu3+離子的特征發(fā)射5D0→7FJ（J=0，1，2，3，4），619納米是最高峰。樣品發(fā)射譜的強度和摻入Eu3+的濃度成正比。
　　(2)合成了K2ZnSiO4:Tb3+綠色熒光材料。200納米到300納米較強的4f75d1的寬帶吸收和400納米到500納米較弱的電子躍遷吸收（4f-4f）構成了其激發(fā)譜，激發(fā)主峰位于265納米。取波長為265納米的光

3、激發(fā)樣品，發(fā)現它的主發(fā)射峰位于545納米。發(fā)射光譜的強度和Tb3+離子摻雜濃度成正比，在實驗范圍內未觀測到濃度猝滅的發(fā)生。
　　(3)合成了Na2MgSiO4:Eu3+紅色熒光材料。200納米至310納米間的電荷遷移帶和310納米至500納米間的Eu3+特征激發(fā)峰兩部分組成了其激發(fā)譜，396納米為最強激發(fā)峰。用396納米光源激發(fā)樣品，其發(fā)射主峰626納米和次強峰598納米的發(fā)射強度接近。增加摻入 Eu3+的濃度，出現濃度猝滅現象，