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文檔簡介
1、近年來,能源危機和環(huán)境污染已經(jīng)成為全球性問題,人們對可再生能源的發(fā)展及應(yīng)用寄予厚望。設(shè)計和利用半導體器件將清潔的太陽能轉(zhuǎn)化為電能、氫能等成為解決能源和環(huán)境問題的突破口。二氧化鈦(TiO2)作為一種寬禁帶半導體,具有廉價無毒、化學性質(zhì)穩(wěn)定、光催化活性高等優(yōu)點,在能源、環(huán)境及生物領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。而具有一維結(jié)構(gòu)的TiO2納米棒陣列,相比傳統(tǒng)的TiO2納米顆粒,在比表面積、電子傳輸、回收再利用等方面優(yōu)勢凸顯,受到了廣泛關(guān)注。在一維TiO2納米
2、棒的基礎(chǔ)上構(gòu)建納米異質(zhì)結(jié)構(gòu),一方面可以顯著增強T1O2對太陽光的吸收,另一方面可以加速電子的傳輸效率,從而提高TiO2的光電化學性能。本文中利用傳統(tǒng)的水熱法,在氟摻雜氧化錫(FTO)導電襯底上生長了高度有序的TiO2納米棒陣列,并通過第二次水熱過程,在TiO2納米棒的表面構(gòu)建納米異質(zhì)結(jié)構(gòu),研究并探討納米異質(zhì)結(jié)的形成對TiO2光電化學(PEC)性能的影響。具體研究內(nèi)容如下:
通過兩步水熱法,在FTO襯底上生長分形結(jié)構(gòu)的TiO2納
3、米樹異質(zhì)結(jié)。TiO2納米樹是枝干結(jié)構(gòu),主干為金紅石相TiO2納米棒,主干上的分支為銳鈦礦相TiO2納米薄片。利用簡單的連續(xù)離子層吸附反應(yīng)(SILAR)分別在TiO2納米棒和TiO2納米樹的表面沉積CdS/ZnS量子點(CdS/ZnS QDs),利于比較它們不同結(jié)構(gòu)對PEC性能的影響。樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、光學特性及光電化學性能得到了詳細的表征及研究。結(jié)果表明,在敏化Cd/ZnS QDs后,TiO2納米樹光陽極相比于TiO2納米棒光陽板表現(xiàn)出
4、了更優(yōu)異的PEC性能。其中,敏化后的TiO2納米樹光陽極的光電流密度為0.29mA/cm2,幾乎是敏化后的TiO2納米棒的2倍(0.15mA/cm2)。在線性掃描伏安(LSV)的測試中,敏化后的TiO2納米樹光陽極在偏壓1V時的光電流密度1.5mA/cm2,是敏化后的TiO2納米棒的1.5倍(1.0mA/cm2)。分形結(jié)構(gòu)的TiO2納米樹相比于TiO2納米棒具有更大的比表面積,一方面增強了對光的吸收,另一方面可負載更多的量子點。并且Ti
5、O2納米樹的枝干交界處形成了金紅石/銳鈦礦的異質(zhì)結(jié),有利于電荷的有效分離和傳輸。因此,分形TiO2納米樹異質(zhì)結(jié)構(gòu)在高效率的光電能源裝置的應(yīng)用方面具有很大的潛力。
通過兩步水熱法,在FTO襯底上生長了MoS2納米薄片敏化的TiO2納米棒陣列。通過改變MoS2單源前驅(qū)體的濃度,制備出了不同MoS2含量的MoS2/TiO2樣品。隨著濃度的增加,MoS2的形貌表現(xiàn)出由納米薄片(MNP)到納米球(MNS)的轉(zhuǎn)變。MNP的負載大大增加了T
6、iO2納米棒的比表面積,其固有窄帶隙,將TiO2納米棒對太陽光的吸收范圍拓寬至可見光區(qū)域,且MNP邊緣具有很多缺陷,有利于光催化反應(yīng)盼進行。結(jié)果表明,最優(yōu)的MoS2/TiO2電極展示出了最高的光電流密度(0.293mA/cm2)以及最大的的光催化降解歲丹明B(RhB)速率常數(shù)(9.21×10-3/min),分別是普通TiO2電極的9和2.4倍。說明,MoS2與TiO2的接觸界面和異質(zhì)結(jié)可以加速電荷轉(zhuǎn)移,抑制電子-空穴對(e--h+)的復(fù)
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