硒化鎘室溫核輻射探測器的表面電極研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文在系統(tǒng)論述核核輻射與物質(zhì)的作用原理和探測器結(jié)構(gòu)特性基礎(chǔ)上，分析探測器表面電極制備工藝對CdSe核輻射探測器漏電流、極化的影響，得到如下創(chuàng)新性結(jié)果：　　241An的γ射線與CdSe單晶材料作用方式主要為光電效應(yīng)，從理論上計算出γ射線入射到CdSe材料的深度及一定偏壓下的輸出脈沖，推斷出Am241的γ射線只是在晶片表面與CdSe的原子發(fā)生光電效應(yīng)，且在一定條件下所產(chǎn)生的脈沖信號大小為毫伏級。　　運用XPS光電子能譜對濕氧、干氧制備C

2、dSe晶片表面氧化層的成分進行分析發(fā)現(xiàn)，濕氧鈍化后CdSe(110)表面上形成化合物為SeOx(x＜1)，SeO2、Cd(OH)2和CdCO3，生成高電阻的穩(wěn)定氧化層，出現(xiàn)Se偏析現(xiàn)象，而干氧鈍化后CdSe(110)表面形成CdSe本底、過渡態(tài)SeOx(x＜1)、Cd(OH)2、以及吸附的O2、CO2、和H2O，也出現(xiàn)Se偏析現(xiàn)象?！　〔捎肅和In兩種電極材料制備出了MSM、MIS及單面柵極結(jié)構(gòu)的CdSe室溫核核輻射探測器并進行Ⅳ測試

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