ZnSe和ZnO-ZnSe微納結構的設計合成及其光催化性質研究.pdf

1、ZnSe是一種環(huán)境友好型窄帶隙的II-VI族半導體（2.67eV），在光催化過程中可以吸收可見光。ZnO是一種重要的擁有寬的直接帯隙II-VI族半導體（3.37eV），由于其成本低、高效的光催化活性、環(huán)境友好的優(yōu)點，一般被認為是具有前景的光催化劑。但是ZnO在光催化過程中只能利用紫外光。為了增大ZnO光吸收范圍至可見光區(qū)域，減少電荷重組，有效地利用太陽光進行光催化降解，把ZnO跟窄帶隙的ZnSe耦合，二者價帶和導帶相互交錯排列，形成Ⅱ型

2、的ZnO/ZnSe異質結。這種Ⅱ型ZnO/ZnSe異質結，可吸收可見光進行光催化降解，有效地利用太陽光，提高了光生電子-空穴的分離。本文致力于通過簡單的液相法，合成具有新穎結構的ZnSe微納結構和ZnO/ZnSe異質納米結構陣列，并研究光催化活性與結構之間的構效關系。內容如下：
　　1、以NaBH4做還原劑，調節(jié)乙二醇和氨水的比例獲得由ZnSe納米棒組成的微球和ZnSe顆粒組成的納米片。用于可見光催化降解有機染料甲基橙（MO）和羅

3、丹明(RhB)，有較高的活性。其中，較大比表面積的ZnSe納米片表現出更高的可見光催化活性。
　　2、通過液相化學轉化法，在Zn片上獲得ZnO納米棒/ZnSe異質納米結構陣列。獲得的ZnSe外殼具有可調控性，隨著氨水濃度的增加，可以分別得到納米顆粒，納米棒和納米片三種ZnSe納米殼結構。ZnO和ZnSe耦合后，增強了可見光的吸收能力和電子-空穴的有效分離，且ZnSe納米片具有大的活性面，故ZnO納米棒/ZnO納米片異質結構陣列表現

4、出很高的光催化活性。
　　3、進一步設計合成ZnO納米片陣列，通過液相化學轉化法，獲得四種不同結構的ZnO納米片/ZnSe異質納米結構陣列：ZnO/ZnSe納米顆粒，ZnO/ZnSe納米顆?？?、ZnO/ZnSe納米棒和ZnO/ZnSe納米片。在可見光下降解RhB，具有更大比表面積的ZnO納米片/ZnSe納米片異質結構陣列比其他三種結構表現出更強的光催化活性。而且，也比之前合成的ZnO納米棒/ZnSe納米片異質結構陣列具有更高效的光