p型氧化物薄膜及晶體管的制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近幾年，金屬氧化物薄膜晶體管（Thin Film Transistors，TFTs）由于其卓越的電學和光學性質，在顯示和透明電子器件領域受到了極大的關注。關于氧化物薄膜晶體管的文獻報道主要為n型氧化物TFT，p型氧化物TFT研究較少。p型材料的缺失限制了薄膜晶體管在電子顯示和全邏輯透明電路領域中的應用。目前p型氧化物TFT的報道主要集中于Cu2O和SnO，制備方法大多采用復雜的真空物理沉積方法，得到的器件性能也不夠理想。本論文采用溶液法

2、制備了p型NiO和Cu2O薄膜，并研究了不同退火溫度對薄膜結晶度、表面形態(tài)以及電學性質的影響。
　　采用溶膠凝膠法制備了NiO薄膜，在空氣中對薄膜進行退火，結果表明：不同退火溫度制備的薄膜均沒有結晶；粗糙度隨溫度升高逐漸變大；500℃條件下制備的NiO薄膜具有最好的導電性。利用溶膠凝膠法制備Cu2O薄膜，進行不同溫度的真空退火處理，結果表明：真空退火將CuO還原成Cu2O；高溫退火增強了Cu2O的結晶度；600℃制備的薄膜導電性最

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