原位Mg2Sip-AM60B鎂基復(fù)合材料棒材電化學(xué)冷拉拔的研究.pdf

1、本文主要以原位自生Mg2Sip/AM60B鎂基復(fù)合材料為研究對象，輔以AM60B鎂金為對比對象，研究了拉拔坯料的熱擠壓及隨后的電化學(xué)冷拉拔。
　　研究結(jié)果表明：擠壓溫度過低或過高，都不利于獲得表面質(zhì)量良好的棒材。在350℃～430℃的擠壓溫度范圍內(nèi)，Mg2Sip/AM60B復(fù)合材料和AM60B合金的抗拉強(qiáng)度都隨溫度的上升而降低，但由于 Mg2Si粒子能促進(jìn)基體的動態(tài)再結(jié)晶，軟化加工硬化，在350℃～370℃之間，復(fù)合材料抗拉強(qiáng)度的

2、下降更為顯著；AM60 B合金的延伸率對擠壓溫度的敏感性較小，而復(fù)合材料最佳延伸率的溫度區(qū)間為370℃～410℃。綜合可知，復(fù)合材料和基體合金的最佳擠壓溫度為410℃。
　　相比于傳統(tǒng)冷拉拔，Mg2Sip/AM60B復(fù)合材料和AM60B鎂合金棒材電化學(xué)拉拔過程中，在化學(xué)力學(xué)效應(yīng)的作用下，其拉拔力和表面硬度均明顯降低。但相比于AM60 B基體合金，由于復(fù)合材料中Mg2Si粒子對位錯(cuò)滑移的阻礙，使其電化學(xué)拉拔過程中拉拔力降低的幅度較基

3、體合金的?。焕瘟νǔｋS電流密度的增加而降低，但隨著電流密度的增加，會形成厚而致密的腐蝕層，將造成摩擦力的增大及阻礙位錯(cuò)的移出，反而使拉拔力增加；電化學(xué)冷拉拔棒材表層的變形層厚度比傳統(tǒng)冷拉的小，而復(fù)合材料由于Mg2Si粒子的存在造成塑性的降低，使得其比基體合金的小；由于加工硬化率和電化學(xué)反應(yīng)速率隨拉拔速度增加而分別增加和降低，兩種材料的拉拔力均隨拉拔速度的增加而增加，但相比于基體合金，復(fù)合材料因Mg2Si粒子的存在，隨著拉拔速度的增加，