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文檔簡介
1、鐵電材料因其具有優(yōu)良的壓電性、鐵電性、熱釋電性、介電性以及優(yōu)異的光學(xué)性能作為機電轉(zhuǎn)換的功能材料,在高新技術(shù)領(lǐng)域扮演著重要角色。鋯鈦酸鉛壓電陶瓷自投入使用以來,憑借其優(yōu)良的性能,成為最廣泛使用的壓電材料。近年來,研究人員和工程師們一直專注于鐵電材料的研究,由于其具備將電磁、熱能、機械能轉(zhuǎn)換為電荷的能力,鐵電材料已經(jīng)被用于眾多電子應(yīng)用行業(yè),如:非易失性鐵電存儲器、熱電探測器、壓電傳感器、超聲換能器、薄膜電容器、微機電系統(tǒng)等。
本論
2、文擬采用溶膠凝膠法配制PZT前驅(qū)體溶膠,經(jīng)旋轉(zhuǎn)涂膜,低溫?zé)崽幚?,高溫結(jié)晶等工藝流程制備出鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電薄膜。薄膜中Pb、Zr、Ti的來源分別是醋酸鉛、硝酸氧鋯、鈦酸四丁酯,冰醋酸為催化劑,乙酰丙酮和甲酰胺為添加劑制備前驅(qū)體溶膠,采用KW-4A型勻膠機進行旋轉(zhuǎn)涂膜,采用KBF1100型箱式爐對薄膜進行高溫退火。在制備薄膜過程中,分別對溶膠配制階段、旋轉(zhuǎn)涂膜階段、高溫退火結(jié)晶階段中的因素進行敏感分析,探究了溶劑、pH值、加水量、濃度
3、、添加劑、前驅(qū)單體溶液的混合方式、基底、旋涂方式、退火溫度等因素對薄膜質(zhì)量的影響,最后得出制備薄膜的最優(yōu)工藝參數(shù)。最后在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制備出表面平整,壓電響應(yīng)明顯,最大剩余極化Pr為45μC/cm2,矯頑場Ec為1000kV/cm,并且呈(111)擇優(yōu)取向的薄膜。厚度為307.04nm、559.73nm、647.11nm。
采用掃描電子顯微鏡、XRD、傅立葉紅外光譜、拉曼光譜、X射線光電子能譜、熱重分析、原子
4、力顯微鏡、壓電力響應(yīng)顯微鏡等對制備的薄膜進行分析測試。發(fā)現(xiàn)當(dāng)濃度為0.4M、pH值為4.5、溶劑為乙二醇甲醚、采用階梯式增速旋轉(zhuǎn)涂膜以及快速熱處理等參數(shù)制備出的薄膜表面平整,呈(111)方向擇優(yōu)取向。原子力顯微鏡的測試結(jié)果顯示Ra即算術(shù)平均粗糙度為1.79nm,Rq即均方根粗糙度為2.23nm。XRD分析結(jié)果顯示,Pt/Ti/SiO2/Si基底相比SiO2、Si基底更有利于薄膜的結(jié)晶,并形成鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。當(dāng)退火時間相同的情況下,退火溫度為
5、650℃時,薄膜的原子比例與理想值最為接近,且最有利于鈣鈦礦的形成。采用原子力顯微鏡VPFM模塊測得PFM振幅的蝴蝶曲線,更好的證明了薄膜的壓電性能。
利用光刻技術(shù)對薄膜表面進行圖案化刻蝕,實現(xiàn)了對薄膜宏觀的加工。采用原子力顯微鏡微納加工的方法,實現(xiàn)了對薄膜表面微結(jié)構(gòu)的加工,通過壓電力顯微鏡(PFM)對薄膜的電疇進行測量,PFM相位圖結(jié)果顯示極化方向達(dá)到360°的變化,說明制備薄膜鐵電性能完好。PFM振幅圖顯示薄膜表面壓電系數(shù)
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