MOCVD反應(yīng)室感應(yīng)加熱裝置的研究.pdf

1、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（英文簡(jiǎn)寫(xiě) MOCVD）是制備半導(dǎo)體器件或部件的重要技術(shù)，已成為現(xiàn)今半導(dǎo)體照明材料使用最廣泛的薄膜制備技術(shù)。反應(yīng)室是制造MOCVD設(shè)備的關(guān)鍵和難點(diǎn)，它的設(shè)計(jì)直接決定著半導(dǎo)體薄膜材料的最終質(zhì)量；而半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)厚度與反應(yīng)室的溫度分布密切相關(guān)，因此對(duì)反應(yīng)室加熱系統(tǒng)的研究具有非常重要的意義。
　　本文針對(duì)自主研發(fā)的MOCVD設(shè)備，為了減少其反應(yīng)室內(nèi)加熱裝置的制造成本，提出了一種安全、低價(jià)的中頻感應(yīng)加熱系統(tǒng)，用

2、于替代以往設(shè)備中價(jià)格昂貴的直流電阻爐加熱器。
　　根據(jù)感應(yīng)加熱的原理及感應(yīng)加熱式 MOCVD設(shè)備的特點(diǎn)，本文在ANSYS環(huán)境下建立了其反應(yīng)室的3D模型，并通過(guò)有限元法對(duì)其簡(jiǎn)化二維模型的感應(yīng)電磁場(chǎng)和溫度場(chǎng)進(jìn)行了耦合仿真分析，重點(diǎn)研究了反應(yīng)室石墨基座表面的溫度場(chǎng)分布情況。
　　論文研究了電流強(qiáng)度、電流頻率對(duì)磁場(chǎng)分布、基座中焦耳熱分布及溫度場(chǎng)分布的影響，發(fā)現(xiàn)電參數(shù)與加熱效率成正比，與溫度均勻性成反比，同功率下溫度的均勻性隨著電流頻