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1、V2O5因具有理論容量大、放電平臺(tái)高、合成便捷、低成本等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛關(guān)注。但也存在一些弊端,如結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較差,電子離子的導(dǎo)電率較低,故在充放電過(guò)程中Li+的嵌入/脫出會(huì)導(dǎo)致V2O5層狀結(jié)構(gòu)的坍塌,因此阻礙了它的實(shí)際應(yīng)用。而將材料納米化、金屬陽(yáng)離子摻雜可以有效地克服V2O5材料的上述缺點(diǎn)。本文制備出了純相的V2O5納米材料和金屬離子摻雜的V2O5納米材料,并對(duì)制備樣品的形貌結(jié)構(gòu)、電化學(xué)性能進(jìn)行了表征,還考察了金屬離子摻雜量對(duì)材料性能的影響
2、。
采用雙組份溶劑水熱法(溶劑由水和醇類組成),合成出了納米棒狀結(jié)構(gòu)的V2O5。以XRD、SEM、CV和恒流充放電的表征方式對(duì)制備樣品進(jìn)行了性能研究,主要探究水與乙醇的體積比、水熱溫度、填充比、水熱時(shí)間以及不同種類的溶劑對(duì)材料性能的影響,得到了最佳的制備條件,如下所示:水與乙醇的體積比為1∶0.5,水熱溫度為180℃,填充比為60%,水熱時(shí)間為24h,最佳的溶劑為乙醇。并且此材料表現(xiàn)出了較好的電化學(xué)性能,有較好的可逆性和倍率性
3、能以及循環(huán)性能,在充放電倍率為0.1C倍率下進(jìn)行充放電測(cè)試,其首次放電比容可以達(dá)到250.01mAh/g。
通過(guò)使用NH4VO3和HCl為原料合成出了納米棒狀結(jié)構(gòu)的V2O5正極材料。以XRD、SEM、CV和恒流充放電的表征方式對(duì)制備樣品進(jìn)行了性能研究,主要探究不同制備條件(如溶液的pH值、水熱溫度、水熱時(shí)間、填充比以及表面活性劑)對(duì)材料性能的影響,得到了最佳的合成條件,最優(yōu)合成條件為:pH值為3,水熱溫度為180℃,水熱時(shí)間為
4、24h以及填充比為70%。同時(shí),實(shí)驗(yàn)表明,表面活性劑的添加可使V2O5材料的電化學(xué)性能進(jìn)一步提高,在充放電倍率為0.5C下進(jìn)行充放電測(cè)試,所制備V2O5材料的放電比容量和循環(huán)性能均高于未添加表面活性劑的材料。在以上條件下制得的材料表現(xiàn)出了較好的電化學(xué)性能,有較好的可逆性和倍率性能以及循環(huán)性能,在充放電倍率為0.1C倍率下進(jìn)行充放電測(cè)試,其首次放電比容可以達(dá)到245.89mAh/g。
對(duì)五氧化二釩進(jìn)行金屬離子摻雜,考察金屬離子摻
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