含螺噁嗪的光致變色薄膜微納周期結(jié)構(gòu)制備技術(shù)研究.pdf

1、激光干涉光刻技術(shù)是一種無(wú)掩模光刻技術(shù)，此技術(shù)補(bǔ)充了傳統(tǒng)光刻技術(shù)的不足，且其具有很多優(yōu)勢(shì)如：高分辨率、長(zhǎng)焦深、大批量生產(chǎn)等。
　　本論文對(duì)激光干涉光刻技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，評(píng)述了激光干涉光刻技術(shù)的研究目的意義,以及目前在太陽(yáng)能電池、生物傳感器、掩模版等諸多應(yīng)用。論文進(jìn)一步從理論基礎(chǔ)研究到實(shí)驗(yàn)分析，首先介紹了無(wú)掩模激光干涉光刻基本理論，在理論的基礎(chǔ)上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。由于光刻技術(shù)根據(jù)光束的多少被劃分為雙光束干涉光刻、三光束干涉光刻等。本文通過(guò)

2、所需實(shí)驗(yàn)搭建光路，實(shí)現(xiàn)雙光束干涉、三光束干涉實(shí)驗(yàn)，用光傳感器探測(cè)透射信號(hào)，得到動(dòng)力學(xué)特性曲線進(jìn)而從中分析其衍射效率及內(nèi)部機(jī)理。由于本論文實(shí)驗(yàn)中采用的薄膜材料是螺噁嗪/PMMA聚合物，它是一種光致變色材料并且具有熒光特性，利用此特性可以在共聚焦顯微鏡下方便清晰的看到微觀結(jié)構(gòu)圖案。光刻按照曝光次數(shù)來(lái)分可以分單次曝光，雙次曝光及多次曝光，本論文實(shí)現(xiàn)了雙光束雙曝光、雙光束多次曝光以及三光束單曝光，分別得到了其微觀圖形。
　　目前，光刻技術(shù)