硫化對CuO納米陣列形貌及Ni2CoS4電化學性質的影響.pdf

1、納米材料在催化、太陽能電池及儲能等方面都有著重要的應用，硫化是提高納米材料性質的一種行之有效的方法。本文研究內容分為兩部分，以硫化對單金屬化合物及雙金屬化合物形貌和電化學性質方面的影響為核心。第一部分研究了氣相沉積法一步可控合成氧化銅納米陣列，通過硫化的方式使其轉化形成硫化亞銅，研究了此轉化過程中硫化對納米陣列形貌的影響；第二部分研究了水熱法合成鎳-鈷雙金屬化合物，為提高其電化學性能，以該鎳-鈷雙金屬化合物為前驅物，對其進行不同溫度的硫

2、化，最終合成Ni2CoS4作為超級電容器電極材料，研究了硫化溫度對Ni2CoS4電化學性質的影響。
　　本文首先利用氣相沉積的方法于銅基片表面可控生長形成氧化銅納米陣列，通過控制反應溫度及反應時間，得到了不同生長密度、不同長度及不同直徑的氧化銅納米陣列，研究了實驗條件對氧化銅納米陣列的生長密度、平均長度以及平均直徑的影響。對合成的氧化銅納米陣列進行硫化處理，得到了特殊的云杉式結構的硫化亞銅，該方法與直接在銅的表面生長硫化亞銅陣列的

3、合成過程相比，對樣品形貌的可控性更高，并且所得樣品更有利于與電解液的接觸，為其在電化學上的應用提供了可能。其次，利用水熱法在炭布上合成片狀鎳-鈷雙金屬化合物作為前驅物，為改善其電化學性能，通過不同溫度的硫化處理后，得到了作為電化學活性物質的Ni2CoS4，研究了硫化溫度對 Ni2CoS4電化學性質的影響。結果表明，硫化過程的溫度影響著Ni2CoS4的最終形貌，并且，硫化溫度為100℃時所得Ni2CoS4樣品的電化學性質最佳，最佳硫化溫度