用于磁場傳感器的非晶薄膜磁化特性分析.pdf

1、相比其他磁場傳感器，以非晶薄膜為磁敏元件的巨磁阻抗（GMI）磁場傳感器具有靈敏度高、響應迅速等優(yōu)勢。非晶薄膜是一種特殊的非晶態(tài)合金，已有的資料表明，不同的外加靜態(tài)場條件下，非晶薄膜包括交流阻抗值、電導率、磁導率等在內的磁特性參數不同。非晶薄膜的磁特性參數與其微觀磁矩結構緊密相關。因此，研究不同靜態(tài)場條件下，非晶薄膜的磁化結構具有重要的意義。
　　本課題選用GMI傳感器中較為常用的鈷基非晶薄膜為研究對象，模擬非晶薄膜在傳感器中的磁場

2、工作環(huán)境，仿真環(huán)向與縱向靜態(tài)場條件下其內部磁化矢量分布。詳細闡述磁學計算方法及原理基礎上，通過分析比較選定兩種數值方法求解。第一種是基于數值有限元方法，仿真環(huán)形靜態(tài)場條件下非晶薄膜穩(wěn)定狀態(tài)磁化矢量M分布，并對不同大小與方向環(huán)向靜態(tài)場條件下M的分布狀態(tài)進行比較分析，研究非晶薄膜的環(huán)向磁化特性。采用第二種有限差分方法，研究非晶薄膜外加直線方向靜態(tài)場條件下磁化特性。為提高仿真速度與精度，使用MATLAB對非晶材料磁疇結構進行選擇性尺寸剖分，基