SnO2-Nb,Ni薄膜的制備及性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以 SnO2為基質(zhì)，進行 Ni、Nb兩種雜質(zhì)的分別摻雜和共同摻雜，采用溶膠-凝膠法和旋涂技術制備出其薄膜樣品。利用XRD、SEM、XPS、FTIR、四探針電阻儀和分光光度計等儀器對薄膜樣品進行表征。結果表明：煅燒溫度500℃，得到結晶良好的四方金紅石型SnO2:Ni復合薄膜、SnO2:Nb復合薄膜以及SnO2:Ni,Nb透明導電薄膜。薄膜中晶粒均勻的分布，膜表層十分平整。Ni2+、Nb5+以替代原子的方式進入 SnO2晶胞， Ni2

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