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文檔簡介
1、隨著太赫茲輻射源和探測裝置的種類和性能不斷發(fā)展,人們對于太赫茲波的認知越來越全面,太赫茲技術(shù)的相關(guān)應用也不斷影響到各個領(lǐng)域。由于其獨特的電磁頻譜特性,在醫(yī)學檢測、通信、成像和探測等領(lǐng)域的作用有望超過其他頻段的波譜。然而傳統(tǒng)的功能器件如調(diào)制器/開關(guān)、濾波器、吸收器和極化器等無法用于太赫茲波段,各個領(lǐng)域?qū)δ芷骷男枨笕找嫫惹小5?,不同領(lǐng)域需要的功能器件的性能都有所差別,例如在太赫茲通信中,需要調(diào)制速率足夠快的調(diào)制器來縮短通信傳輸?shù)臅r間,
2、而對其調(diào)制深度要求并不高;但在太赫茲成像中則要求調(diào)制器具備足夠大的調(diào)制深度去提高成像系統(tǒng)的清晰度和精確度,相對對其調(diào)制速率的要求卻很低,一般kHz量級的調(diào)制速率足夠滿足成像需求。
本文提出兩種硅復合結(jié)構(gòu)提高調(diào)制器件的調(diào)制深度。首先將摻金硅與單層石墨烯薄膜結(jié)合,形成硅/石墨烯復合結(jié)構(gòu),該復合結(jié)構(gòu)在激光作用下可有效提高器件的調(diào)制深度。當沒有激光作用時,石墨烯和摻金硅都對太赫茲波高度透明,其透射率為65%;當有激光作用在摻金硅表面,
3、產(chǎn)生的光生載流子由于濃度差向石墨烯層擴散,在“石墨烯-摻金硅”界面形成電導層,由于石墨烯具有極高的電子遷移率,因此形成的電導層會大幅度吸收和反射太赫茲波,透射率降為45%,調(diào)制深度比摻金硅提高50%,調(diào)制速率可達2.2MHz。其次,在高阻硅襯底上制作一種二維光子晶體,形成光子晶體/高阻硅復合結(jié)構(gòu)。該復合結(jié)構(gòu)不但可以增加器件的調(diào)制深度,還能減小插入損耗。說明了四種不同的入射方式對調(diào)制特性的影響,并給出了合理的解釋。當激光作用于硅層時,形成
4、的電導層不但吸收從正面入射的太赫茲波,還將一部分太赫茲波以漫反射的形式反射到光子晶體中,被局域在光子晶體中并對入射的太赫茲波產(chǎn)生干擾,從而降低太赫茲波的透射幅度,提高調(diào)試深度,最大調(diào)制深度可達97%,但調(diào)制速率較小,只有10kHz。最后,將Si-PC復合結(jié)構(gòu)用于THz成像中,進一步說明這種復合結(jié)構(gòu)對調(diào)制深度的增加。
本論文提出的兩種硅復合結(jié)構(gòu)能有效提高調(diào)制器件的調(diào)制深度,實現(xiàn)工藝簡單,成本低廉,提高效果較好,使用于太赫茲成像系
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