CdSe基量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備和光電特性研究.pdf

1、量子點(diǎn)在生物技術(shù)、太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管等方面的應(yīng)用引起了廣泛關(guān)注。基于膠體量子點(diǎn)的發(fā)光二極管（quantum dot light-emitting diodes, QLED）具有啟亮電壓低、發(fā)光單色性好、低能耗、發(fā)光顏色可通過(guò)量子點(diǎn)尺寸調(diào)節(jié)和低成本的溶液法制備等優(yōu)點(diǎn)，在顯示領(lǐng)域和固態(tài)照明領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。但仍需要提高 QLED的亮度和器件的壽命才能達(dá)到商業(yè)化應(yīng)用。目前，提高器件性能的主要途徑包括設(shè)計(jì)新的器件結(jié)構(gòu)、發(fā)展新的量子點(diǎn)和

2、傳輸材料以優(yōu)化載流子的注入。本文主要從載流子傳輸層和量子點(diǎn)層對(duì) QLED性能的影響兩方面出發(fā)進(jìn)行系統(tǒng)研究，主要內(nèi)容如下：
　　1.無(wú)機(jī)載流子傳輸層能避免有機(jī)載流子傳輸層在空氣中的氧化和分解。采用溶液旋涂法成功制備出全無(wú)機(jī)載流子傳輸層的QLED。結(jié)合對(duì)載流子傳輸層的表征和對(duì)QLED光電特性測(cè)試，分析了全無(wú)機(jī)載流子傳輸層QLED發(fā)光效率低的原因。溶液法制備全無(wú)機(jī)載流子傳輸層QLED為低成本制備全無(wú)機(jī)QLED提供了方向。
　　2.

3、采用傳統(tǒng)混合傳輸層的器件結(jié)構(gòu)，分別研究了不同電子傳輸層和空穴傳輸層對(duì)QLED性能的影響。對(duì)于電子傳輸層，比較了ZnO和TiOx分別作為電子傳輸層對(duì)器件性能的影響。結(jié)果表明ZnO器件比TiOx器件電流密度更小，同時(shí)ZnO器件比TiOx器件具有更高的亮度和更低的啟亮電壓。對(duì)于空穴傳輸層，比較了聚四苯基聯(lián)苯胺(Poly-TPD)與聚乙烯咔唑(PVK)分別作為空穴傳輸層對(duì) QLED性能的影響，并分別向其中摻入小分子有機(jī)物四苯基聯(lián)苯胺(TPD)對(duì)

4、載流子遷移率和能帶進(jìn)行調(diào)節(jié)。結(jié)果表明Poly-TPD器件比PVK器件性能更優(yōu)，然而摻入小分子TPD后器件性能降低。結(jié)合載流子傳輸層自身的材料特性，對(duì) QLED光電特性測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析。
　　3.合金量子點(diǎn)與核殼量子點(diǎn)相比，有利于載流子的注入和激子的限制。我們采用一步法合成了CdSeZnS成分梯度合金量子點(diǎn)，并對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行表征。表征結(jié)果顯示合成的CdSeZnS合金量子點(diǎn)顆粒尺寸分布均勻，光致發(fā)光譜的發(fā)射峰為481 nm。將合成的Cd