InP基單模半導(dǎo)體激光器的制作技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文通過(guò)對(duì)激光模式特性方面的研究,確立了以脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和InP/InGaAsP材料體系的方案;分析了脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì);并通過(guò)數(shù)值仿真方法對(duì)半導(dǎo)體激光器工作的基本原理進(jìn)行模擬;優(yōu)化了激光器的結(jié)構(gòu)以及脊型形貌(包括刻蝕寬度、刻蝕后剩余高度、刻蝕高度、刻蝕角度);分析了脊型形貌對(duì)于器件模式特性和輸出特性方面的影響。
  結(jié)合實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有設(shè)備,對(duì)模擬的方案進(jìn)行實(shí)踐。通過(guò)對(duì)光刻、刻蝕等實(shí)驗(yàn)方面的工藝優(yōu)化,確定以感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕作為器

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