反激式開關(guān)電源功率MOSFET動態(tài)驅(qū)動電路的設(shè)計.pdf

1、反激式開關(guān)電源變換器具有體積小、電路簡單、可靠性好等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于小功率電子產(chǎn)品中。當前隨著美國DoEⅥ六級能效和歐盟EN55022規(guī)范等標準的推出，對變換器的效率和電磁干擾(EMI)等指標的要求越來越高。功率MOSFET驅(qū)動電路與電源變換效率及EMI直接相關(guān)，且效率和EMI間存在一定的矛盾和折中關(guān)系。本論文將重點研究和設(shè)計功率MOSFET的驅(qū)動電路，以優(yōu)化電源變換器的效率及EMI。
　　本文首先分析了反激式開關(guān)電源中功率MO

2、SFET驅(qū)動電路的發(fā)展現(xiàn)狀及主要設(shè)計方法，并結(jié)合功率MOSFET的開關(guān)過程和傳統(tǒng)驅(qū)動電路所體現(xiàn)出來的問題，提出了一種可以提高反激式開關(guān)電源變換效率且明顯改善系統(tǒng)EMI特性的動態(tài)驅(qū)動技術(shù)。接著研究了模擬和數(shù)字的兩種動態(tài)驅(qū)動方案，兩種方案均可在開關(guān)過程的不同階段依據(jù)變換器的負載條件動態(tài)地驅(qū)動功率MOSFET，以兼顧電源的效率和EMI要求。同時依照所提出方案分別設(shè)計了對應(yīng)的具體實現(xiàn)電路，并對電路進行了仿真分析驗證。此外，論文還對動態(tài)驅(qū)動電路的

3、版圖進行了設(shè)計以及后仿真。最后對一款本設(shè)計電路所在的反激變換器樣機進行了效率測試和EMI測試，并將結(jié)果分別與指標要求和傳統(tǒng)驅(qū)動的變換器樣機的測試結(jié)果進行了對比，驗證了所提出電路的設(shè)計效果。
　　仿真驗證表明:變換器輸出重負載和輕負載時，功率MOSFET的導通上升時間分別小于200ns和小于150ns，且關(guān)斷下降時間始終小于100ns，在保證快速開關(guān)的前提下適應(yīng)性地改變開關(guān)的時間。樣機測試結(jié)果表明:應(yīng)用動態(tài)驅(qū)動技術(shù)的基礎(chǔ)上，5V2A