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文檔簡介
1、隨著微機電系統(tǒng)(MEMS)與半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,人們對于其構(gòu)件熱傳導(dǎo)性質(zhì)的研究越來越多。硅晶體薄膜是MEMS構(gòu)件與半導(dǎo)體中應(yīng)用最為廣泛的一種材料。它的熱傳導(dǎo)性質(zhì)是一種能決定材料散熱能力的性質(zhì),也是保證MEMS器件在一定的溫度下保持正常工作的決定性因素。
本文運用晶格動力學(xué)以及計算機模擬的方法計算了硅晶體薄膜的熱導(dǎo)率,并分析了其與自身厚度之間的關(guān)系?,F(xiàn)有的常用方法是分子動力學(xué)模擬,該方法從分子與原子層面出發(fā)討論了材料的熱傳導(dǎo)性質(zhì)。
2、但分子動力學(xué)模擬有較大的局限性,因此本文考慮采用晶格動力學(xué)。
本文首先從大塊晶體出發(fā),運用晶格動力學(xué)方法得到其晶格動力學(xué)矩陣、三次非和諧勢能,并利用聲子Green函數(shù)得到聲子壽命與聲子譜線寬度的表達式,再推廣到晶體薄膜上,從而得到晶體薄膜的晶格動力學(xué)矩陣、三次非和諧勢能以及聲子Green函數(shù)的表達式,并對硅晶體薄膜的聲子譜,晶格振動波形以及聲子譜線寬度進行了計算機模擬。
在前面晶體薄膜的晶格動力學(xué)基礎(chǔ)上,利用Hard
3、y能量通量公式以及Green-Kubo公式,得到晶體薄膜的熱傳導(dǎo)系數(shù)公式。該公式表明硅晶體薄膜熱傳導(dǎo)系數(shù)主要與聲子譜線寬度和聲子譜相關(guān),聲子譜線寬度和聲子譜均與晶體薄膜的厚度相關(guān),因此硅晶體薄膜的熱傳導(dǎo)系數(shù)與其厚度有關(guān)。
硅晶體薄膜的熱傳導(dǎo)計算結(jié)果表明,硅晶體薄膜的熱傳導(dǎo)系數(shù)隨著晶體薄膜厚度的減小而減小。這一結(jié)果對于人們在對硅晶體薄膜構(gòu)件的正確設(shè)計制造和使用具有很大的指導(dǎo)作用。根據(jù)這個結(jié)果,人們應(yīng)該在設(shè)計微電子器件和MEMS時
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