缺陷型石墨烯納米條帶自旋極化輸運特性的理論研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩58頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、分子電子學和自旋電子學是當前的熱點研究領域,其中一個重要研究課題是尋找合適候選材料。本文采用電子密度泛函理論與非平衡格林函數(shù)方法相結(jié)合的理論研究方法,側(cè)重研究了含氮缺陷型石墨烯納米條帶的電子結(jié)構(gòu)和輸運特性。本學位論文包括如下四章。
  第一章主要介紹密度泛函理論。從量子力學的發(fā)展歷程出發(fā),依次介紹第一性原理方法,從頭算法,著重介紹密度泛函理論。介紹密度泛函理論所依據(jù)的假設以及定理等,然后詳細介紹幾種能量交換相關泛函,最后再簡介依據(jù)

2、密度泛函理論的計算軟件。
  第二章主要介紹分子電子學研究概況及輸運理論。前半部分主要簡要介紹了分子電子學概況,包括各種制備和測量分子器件的實驗手段,及各種功能型分子器件。本章后半部分側(cè)重介紹密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)方法,列舉了理論計算框架和詳細公式。最后簡單介紹了幾個常用用于研究分子電子學輸運特性的計算軟件。
  第三章主要研究邊界不對稱含NV缺陷石墨烯納米條帶(H-NGNR-H2)的電子結(jié)構(gòu)和自旋極化輸運特性。研究

3、表明這種分子結(jié)器件表現(xiàn)出具有很好的的負微分(NDR)效應,其對納米條帶寬度和NV摻雜位置等因素不敏感,但對其峰谷位置、峰谷比、及電流大小值有調(diào)制作用。NDR產(chǎn)生機理源自于偏壓影響分子結(jié)散射區(qū)能級與兩側(cè)電極能帶的匹配情況,從而調(diào)制體系的輸運曲線。此外,這類條帶也表現(xiàn)出顯著的自旋過濾效應,在特定的偏壓區(qū)間內(nèi),其自旋過濾效率接近100%,但這一效應顯著依賴于NV缺陷與邊界之間的相對位置。
  第四章,我們考察邊界對稱的含NV缺陷的石墨烯

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論