化學(xué)機(jī)械拋光多區(qū)壓力拋光頭檢測平臺研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical-Mechanical Planarization，簡稱CMP）是目前條件下一種較為理想的獲得高質(zhì)量表面的處理方法，該方法通過化學(xué)和機(jī)械的雙重作用去除材料，可以同時實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化和局部平坦化。
　　目前國際上流行的干進(jìn)、干出式CMP設(shè)備一般包括拋光部件、在位檢測部件、清洗部件、干燥部件、機(jī)械手搬運(yùn)部件等等，其中拋光部件是CMP設(shè)備的核心。拋光頭檢測平臺作為拋光部件的必備配套裝置，直接影響到晶圓

2、表面的拋光效果，對保證拋光質(zhì)量的一致性、減少CMP設(shè)備的維護(hù)時間、提高CMP設(shè)備的利用率具有重要作用。
　　論文在深入分析國外相關(guān)設(shè)備以及CMP拋光工藝過程基礎(chǔ)上，針對拋光頭裝卸晶片的檢測要求，設(shè)計了一套機(jī)械裝置，可全面測量裝卸片的高度、偏度等參數(shù)，為確保CMP工作質(zhì)量奠定了良好基礎(chǔ)。
　　選擇相對潔凈的動力能源——?dú)鈮毫鲃訛閯恿υ?，采用氣動元件搭建了氣動?qū)動系統(tǒng)，可以快速、可靠地完成檢測任務(wù)，也便于拋光頭的更換與維護(hù)。<

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