版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、硒化物納米材料在日益蓬勃發(fā)展的無機納米功能材料與器件中扮演著重要的角色。這些納米材料已經(jīng)顯示了與其體相材料不同的光學、電學及催化等性能,可被廣泛應用于各種重要的研究與生產領域。研究表明納米材料的特性受到其尺寸、成分(或組成)、形貌和晶型所控制。硒化物納米材料的合成方法已經(jīng)被陸續(xù)報道。水熱法已經(jīng)在制備此類納米材料過程中顯示出了超凡的控制能力,同時它還具有操作簡單、成本低廉、產物均勻、結晶性好和綠色環(huán)保等優(yōu)點。單一或二元的硒化物在實際應用中
2、往往受制于自身的特性,在本文中我們嘗試使用不同的硒化物材料復合的方法與合成多元硒化物的方法來突破其應用的瓶頸。
(1)尺寸均一的CuSe-ZnSe花狀納米復合材料在大量制取時很容易地通過單分散ZnSe納米花和Cu2+離子在溶液中的離子交換反應控制。ZnSe和CuSe的不同的溶解度(Ksp)是這些花狀納米復合材料形成的主要驅動力。合成的CuSe-ZnSe花狀納米復合材料在可見光照射下降解甲基橙和亞甲基藍染料的光催化活性有了極
3、大地提高。對CuSe-ZnSe花狀納米復合材料降解染料可能的機制進行了討論。通過使用這種離子交換法合成的CuSe-ZnSe花狀納米復合材料在實際應用中具有極大的潛在價值。
(2)通過簡單的水熱法一步合成了三元的Cu2SnSe3納米晶和四元的Cu2ZnSnSe4納米晶。通過XRD,STEM等手段對所得產物進行了表征,結果表明合成的Cu2SnSe3和Cu2ZnSnSe4結晶度良好,純度很高,且各元素分布均勻。對三元的Cu2Sn
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 水熱-溶劑熱法合成硒化鋅納米半導體材料及其性能研究.pdf
- 鋅基半導體納米材料的控制生長與改性研究.pdf
- 無機半導體納米材料化學液相控制合成及性能研究.pdf
- 硫屬半導體納米材料液相控制合成與性能研究.pdf
- 幾種半導體納米材料的液相控制合成、形成機理及性能研究.pdf
- 硒化物半導體材料制備及其光電與熱電性能研究.pdf
- 銅鋅錫硒納米材料的制備及其性能研究.pdf
- 納米硫化鋅復合半導體的制備及其性能研究.pdf
- 氧化鋅納米線基半導體薄膜的制備及其特性.pdf
- 半導體、金屬納米材料的制備及其性能研究.pdf
- 硒化鎘納米半導體薄膜的制備及其光電化學性能研究.pdf
- 半導體納米材料的制備及其光電性能的研究.pdf
- 鎢基納米半導體材料的制備及催化性能研究.pdf
- 半導體納米材料的制備與性能研究.pdf
- 基于復合鹽-堿法制備硒化物半導體納米材料及其相關性能研究.pdf
- 基于單質硒活化制備金屬硒化物半導體納米材料的方法學研究.pdf
- 準一維半導體納米材料的制備及其性能研究.pdf
- 半導體納米CdS的制備及其性能研究.pdf
- 硒化鋅納米材料的制備及其光學、光電性質的研究.pdf
- 鋅基Ⅱ-Ⅵ族半導體納米材料分級可控生長、形貌和性能調控.pdf
評論
0/150
提交評論