基于CMOS65nm工藝的毫米波頻率選擇負阻增強振蕩器電路的研究.pdf

1、近年來，隨著高速無線通信系統(tǒng)朝著更高頻率、更寬帶寬、更大集成度以及更低成本等方向發(fā)展，毫米波頻段的通信系統(tǒng)已成為研究的熱點，毫米波通信技術廣泛地應用于生活的各個方面，但是該項技術還有很大的研究空間，目前尚有很多的問題亟需解決。
　　主流的毫米波信號產(chǎn)生機制有兩種：一是采用光學降頻技術達到毫米波波段；二是采用電學方法。而采用電學方法產(chǎn)生毫米波也有兩個設計方向：一是基于化合物半導體工藝；二是基于硅基標準CMOS工藝。相較于光學降頻方法

2、和化合物半導體工藝方法，本論文的標準CMOS工藝實現(xiàn)方法有著集成度高，工藝要求低，成本低，可以實現(xiàn)片上系統(tǒng)和突破工藝最大振蕩頻率的限制等顯著優(yōu)點。
　　本論文主要研究了一種毫米波頻率選擇負阻增強型振蕩器電路。為獲得較高性能的毫米波振蕩器，本文首先在傳統(tǒng)負阻振蕩器結構的基礎上，驗證了一種具有頻率選擇功能的負阻增強電路，這一結構在特定的頻率下不但能夠呈現(xiàn)負阻特性，以增加整體電路的負阻特性，并且可以通過降低結構的整體電感把振蕩器的振蕩頻

3、率推到更高的頻率上。將該負阻增強電路和交叉耦合振蕩器電路結合，研究具有頻率選擇負阻增強結構的毫米波振蕩器，并對其進行了仿真驗證。本文中的毫米波頻率選擇負阻增強型振蕩器采用CMOS65nm工藝，仿真結果顯示振蕩器的振蕩頻率為146GHz，輸出功率為-25.77dBm，這使得其工作頻率接近了MOS管的截止頻率。另外，本文重點研究了在CMOS65nm工藝下，不同類型電感、場效應晶體管以及電源電壓對該振蕩器輸性能的影響并得出相應結論，這對于更好